2024年12月26日，中電科半導體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅單晶襯底。

爍科晶體一直堅持聚焦碳化硅材料研發及生產，開拓碳化硅材料更廣闊的應用場景。先后攻克了大尺寸擴徑工藝、高純半絕緣碳化硅襯底關鍵工藝和低缺陷N型襯底的生長工藝。全球首片12英寸高純半絕緣碳化硅襯底的成功研制，將加速碳化硅材料在VR眼鏡、熱沉等新應用場景的進一步拓展。

未來，爍科晶體將繼續聚焦大尺寸碳化硅單晶襯底的產業化技術，持續加大研發投入，充分發揮技術創新引領作用，打造核心競爭優勢，從而帶動創新鏈、產業鏈、生態鏈的創新與重構，引領行業向更高端化方向發展。