氮化鎵功率電子器件在多個領域展現出廣泛的應用前景，市場需求將持續增長。‌近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。 

期間，由北京北方華創微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）、深圳平湖實驗室協辦支持的”氮化鎵功率電子器件技術 I“分會上，香港科技大學電子及計算機工程學系講座教授，IEEE Fellow陳敬，臺灣長庚大學可靠度科學和技術研究中心主任、教授陳始明，電子科技大學教授周琦，福州鎵谷半導體有限公司首席技術官梁琥，南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇，北京大學副教授王茂俊，復旦大學微電子學院教授黃偉，華南理工大學關晶允等嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。

陳敬

香港科技大學電子及計算機工程學系講座教授，IEEE Fellow

《釋放氮化鎵功率集成的潛能》

陳始明

臺灣長庚大學可靠度科學和技術研究中心主任、教授

臺灣長庚大學可靠度科學和技術研究中心主任、教授陳始明做了”硅基和氮化鎵基功率半導體的輻射效應比較“的主題報告，報告顯示，研究看到看到GaN TIA在性能上優越，并且對質子輻射可靠。GaN基電子系統非常適合在輻射惡劣的環境中使用。通過GaN晶體管的 高頻開關，可以降低整個電子系統的成本。隨著GaN制造技術的日益成熟，其強度確實可以取代Si TIA用于傳感應用。

周琦

電子科技大學教授

電子科技大學教授周琦做了”高性能增強型GaN p-MISFET先進制造技術與器件新結構“的主題報告，分享了具有空穴遷移率調制（HMM）的GaN p-MISFET、埋入背柵GaN p-MISFET（BBG）等研究進展。報告顯示，單芯片CMOS集成是功率GaN進一步提高“功率密度和效率”的最佳途徑。高性能p溝道器件與n溝道器件的匹配要求很高。與工業化技術兼容的設備和工藝對于擬議的方案至關重要。

梁琥

福州鎵谷半導體有限公司首席技術官

《垂直結構GaN在電力電子領域的應用及其外延技術研究》

于洪宇

南方科技大學深港微電子學院院長、教授

南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇做了”Si基GaN器件及系統研究與產業前景“的主題報告，分享了Si基GaN器件先進工藝、功率器件及其電源系統，Ga2O3器件及GaN氣體傳感器 ，Si基GaN射頻器件及其PA模塊等研究進展。報告顯示，研究取得了諸多成果。其中，開發一種基于Al:HfOx電荷捕獲層（CTL）的柵電荷存儲路線，制備出具有優異電學性能的常關型GaN HEMT器件。創新性提出魚骨柵結構設計，結合再生長技術，進一步提升常關型器件擊穿特性和閾值電壓穩定性，最大柵極驅動電壓達9.2 V（10年可靠性）。首次提出了基于Pt柵極GaN HEMT氣體傳感器的感算一體系統。實現了時序氣體模式識別，具有低訓練成本和低功耗。提出多感傳集成陣列用于復雜氣體混合物動態感知和識別，促進系統的小型化和單片集成。

王茂俊

北京大學副教授

《源對p-GaN柵HEMT關態阻斷特性的影響》

黃偉

復旦大學微電子學院教授

復旦大學微電子學院教授黃偉做了”6英寸GaN/Si CMOS 1P2M單片異質集成整套芯片工藝與平臺化器件研究“的主題報告，分享了工藝和平臺化設備、Epi-GaN材料和Si-MOS的應力建模等研究進展。涉及到平臺式PMOS、扁平體PN二極管、平臺BJT、平臺GaN HEMT等。

關晶允  

華南理工大學

華南理工大學關晶允做了”基于ANN的GaN HEMT終端電荷物理模型“的主題報告，分享了相關研究進展。報告指出，當前研究中面臨著缺乏準確的實驗數據；其他復雜效應，如極化效應、寄生效應等；缺乏標準化的模型框架；模型驗證和校準的難度等。機器學習具有捕捉并體現非線性關系、快速準確地對設備建模等優勢。研究顯示，對于源終端費用，初步估計是數據不足或物理機制未得到補償的原因。對于漏極端子電荷，初步估計可能是由于數據偏差問題造成的。未來，要在2D模擬→3D模擬，從HEMT器件到FinFET器件的建模。使用更復雜的神經網絡結構來完成具有更多特征的模型，如GAN和混合神經網絡等方面開展工作。

會上，圍繞著“氮化鎵應有的主要增長領域”、“氮化鎵功率器件有哪些可靠性、穩定性和魯棒性的問題”、“氮化鎵功率器件是否需要集成”等當下行業熱點話題，與會嘉賓們展開深入的互動探討，觀點激蕩，現場熱烈。 

（根據現場資料整理，僅供參考）