“三安光電選擇和行業內的頭部客戶一起，去做難而正確的事。”三安光電董事、副總經理林志東說道。

近日，在由中國經濟傳媒協會組織的采訪調研活動中，林志東接受了包括《每日經濟新聞》記者在內的媒體記者采訪。林志東表示，三安光電正在加快發展第三代化合物半導體產業，“今年我們砷化鎵射頻平均稼動率（注：一種衡量設備使用效率的指標）創新高，高峰時達到95%，公司已完成月產能2萬片的擴建”。

林志東表示，在碳化硅芯片領域，三安光電已分別在湖南、重慶兩地投建工廠，其中，在重慶與意法半導體（中國）投資有限公司（以下簡稱意法半導體）合資投建的中西部地區第一條國產8英寸碳化硅芯片生產線已經點亮設備，有望于明年開始通線（注：指項目竣工投入使用）進入批量生產。

從2017年起，三安光電的LED（發光二極管）芯片產能已連續多年位居世界第一，是LED芯片當之無愧的行業龍頭。

林志東表示，目前，三安光電是國內規模最大、產品最齊全的光芯片制造和服務平臺，是國內唯一具備大規模量產氮化鎵/砷化鎵射頻芯片制造平臺，是國內首家SAW（表面聲波濾波器）濾波器垂直產業鏈整合制造平臺，以及是全球第三家、中國第一家第三代碳化硅6英寸、8英寸功率芯片垂直產業鏈整合制造平臺。上述集成電路芯片領域，就是三安光電基于LED芯片業務基礎繪出的“第二增長曲線”。

拒絕“內卷”

“一方面，各類化合物半導體業務在材料與生產制造環節均有相通之處。另一方面，這也得益于三安光電在集成電路產業的提前布局、提前投資。”林志東表示，“公司近年來發展的集成電路均經歷了技術孵化、客戶積淀，在摸索中逐步落地相關產業布局。2014年，公司成立子公司廈門市三安集成電路有限公司（以下簡稱三安集成）以孵化其射頻、電力電子、光技術三大產品線，產品線共用廈門工廠及無塵室，積極進行技術研發，并逐步開始量產擴大規模。”

林志東稱，三安光電拒絕“內卷”，而愿意把精力和投入放在做研發、練內功上，三安光電旗下三安集成今年榮膺國家科學技術進步一等獎，這也是三安光電連續兩次榮獲國家科學技術進步一等獎，充分說明了三安人重研發、敢投入的創新精神。

對于射頻芯片領域，林志東表示，三安光電在該業務領域目標是“成為世界級的射頻前端芯片研發、制造和服務平臺”。

目前，射頻前端芯片市場仍由國際大廠占據主要份額，但近幾年，隨著國產手機在東南亞、非洲等市場打開局面，國產設計公司也在高端、旗艦機型上嶄露頭角，且伴隨5G商用進一步深化，國內企業在標準和產品定義上也有了更深刻的理解。

“我們認為國產射頻前端供應鏈的機會非常大，這也是我們今年推進2萬片月產能的底氣所在。”林志東分析稱。

“我們的自產外延比例在今年創造了新高，同時我們在延伸砷化鎵襯底制造的能力。”林志東表示，“在戰略業務領域，三安光電會一直堅持長期主義，不斷完善產業鏈整合能力，成為全球范圍內少有的、能同時提供PA（功率放大器）代工、濾波器產品、模組封裝代工的制造平臺。”

“我們從砷化鎵PA開始做起，然后我們布局了5G模組中用量越來越大的濾波器產品，用獨特的鍵合襯底技術路線和自有的芯片設計去挑戰國際上的高端產品；最后我們補上了封裝最后一環，開發先進封裝工藝，包括SIP（系統級封裝）、WLP（晶圓級封裝濾波器），緊跟最前沿的5G模組化要求。”

林志東進一步表示，僅PA和濾波器兩種芯片，就占據了射頻前端芯片超過50%的市場，隨著5G的滲透，這兩種芯片的價和量都會進一步上漲。

計劃8英寸碳化硅明年小規模量產

去年，三安光電與意法半導體在重慶共同設立了安意法半導體有限公司，主要從事碳化硅外延、芯片的生產和銷售。三安光電方面持有合資公司51%股權。

三安光電表示，在這一領域，三安光電繼續秉承了“高壁壘、寬護城河”的理念。在技術孵化初見成效、市場需求初步顯露后，三安光電2020年在湖南長沙落地碳化硅、氮化鎵產線，后續又與產業鏈上下游客戶理想汽車、意法半導體等合作伙伴分別在蘇州、重慶落地合資項目，逐步擴大業務體量，形成了現有的電力電子業務布局。

對于碳化硅的技術難度，林志東坦言：“碳化硅最大潛力是在新能源汽車，充電、電壓二次轉換等要求芯片具備高可靠性，這類芯片在新能源車里相當于傳統車的變速箱，所以對可靠性要求很高。三安與理想汽車合資以來，雙方做了大量的可靠性實驗測試，就像特斯拉當年跟意法半導體做大量的研發，這種技術積累和對基本功能的要求非常高，而經過近幾年的研發實驗和研發投入，公司碳化硅業務目前已逐步開始上量。”

對于重慶的碳化硅項目進度，林志東透露：“我們現在設備進場，然后做工藝驗證，因為它是國內中西部地區第一條完整的8英寸碳化硅產線，從安裝到測試，到規模量產，我們計劃明年通線并開始小規模量產。”

擁有核心技術才能突破囚徒困境

“為什么這么‘卷’？就是因為同質化，沒有差異化就只能靠價格，靠價格就會陷入囚徒困境，所以唯一能解套（的路徑）肯定是靠核心技術。”林志東稱，三安光電對核心技術的研發投入和對研發效率的高標準要求會一直堅持下去。

“公司深耕化合物半導體芯片的研發和規模化制造已有二十多年，我們一直緊跟國家信息通信行業發展規劃，與高校緊密合作，解決‘卡脖子’問題，瞄準市場前沿技術，敢于堅持壓強式研發投入。”林志東表示。

談及對未來的投入，林志東稱，三安光電要從兩方面入手，一是關注關鍵客戶需求及科技發展趨勢，敢于布局前瞻性研發，探索開發新材料和新工藝；二是推動數字化、智能化技術與芯片制造產業的深度融合，持續提質增效。

在碳化硅領域，林志東指出，三安光電擁有國內為數不多的碳化硅全產業鏈垂直整合制造服務平臺，能提供長晶、襯底制備、外延生長、芯片制造、封測全流程服務，實現產品迭代、質量、交付的全方位管控，產能規模、技術水平在全球同行業中具有競爭力，可有力保障供應，滿足市場需求。

展望LED芯片的發展趨勢，林志東認為，“通過提高Mini/Micro LED（小/微發光二極管）、植物照明、車載照明、激光等高端LED業務占比，能進一步鞏固行業的龍頭地位。但Mini/Micro LED現在的一個弊端就是成本太高，再就是它的良率和技術還需要突破，需要去提高良率，提高規模生產，然后降低成本來擴大市場應用”。

此外，林志東還表示，三安光電非常重視人才的培養和引進，全球化配置相關技術資源。“我們不斷加強培養和發展本土技術團隊和核心技術骨干，也愿意和全世界的頂尖人才團隊開展合作，例如我們在日本有手機濾波器的研發團隊，在德國等歐洲地區也設立了碳化硅相關研發中心。”林志東稱。

?來源：每日經濟新聞