2024年11月19-21日，第十屆國際第三代半導體論壇與第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）在蘇州盛大召開。作為論壇同期重要配套活動之一，《強芯沙龍·會客廳》首次線下開展，在“平臺建設與人才培養”主題環節中，深圳平湖實驗室科技發展部副部長丁祥金對“國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺/深圳平湖實驗室”做了詳細介紹。
信息、能源和物質生產是人類社會三塊基石。半導體技術促進信息技術、物質生產發展和更多能源需求。化合物半導體為社會發展與能源需求協調一致提供解決方案。丁祥金副部長介紹，面對重大需求，2021年3月18日，科技部印發《關于支持建設國家第三代半導體技術創新中心的函》，明確深圳市政府作為責任主體聯合江蘇省共同支持國家第三代半導體技術創新中心建設，由中國電子科技集團作為建設單位聯合相關單位落實各項建設任務。 2021年12月28日，國創中心成立大會上，科技部授予深圳市“國家第三代半導體技術創新中心”和“國家第三代半導體技術創新中心（深圳）”兩塊牌子。
深圳平湖實驗室概況：2022年8月深圳市成立深圳平湖實驗室并作為主體運營，在深圳市龍崗區羅山科技園建設一流的化合物功率半導體研發、中試、工藝、檢測平臺。建設深圳綜合平臺是深圳市政府深入貫徹落實習近平總書記重要指示和重要部署的戰略舉措。深圳平湖實驗室占地面積130畝，100級潔凈間面積9500平米，擁有業界領先的寬禁帶功率半導體基礎設施，國際先進設備和國產優秀設備380余臺套。深圳綜合平臺人力規模約350人，匯集海內外頂尖人才，采取開放共享的運行模式，建立由合作伙伴組成的生態系統，打造面向全國的開放、公共、共享的科研平臺、中試平臺和分析檢測中心，共同構建可持續發展的未來。
產業定位：致力于功率芯片領先技術開發及產業能力提升。產業鏈對技術可用性期望，逐層向下傳導。芯片是應用鏈對底層功能和產品性能期望的直接承載者。更可靠的底層產品、更能全面技術、更詳實數據支持服務。芯片制造是技術要素的整合者，是應用性能的承載者和底層改進的拉動者。
愿景、價值觀與使命：追求在SiC和GaN等第三代半導體領域及面向第四代半導體產出世界級成果，培養世界級人才。落實國產化設備驗證、材料驗證，最終打造全流程國產化產線并持續牽引、推動國產設備和材料的進步和趕超。融合高等院校、科研院所、行業龍頭企業的科研基礎和技術創新力量，以市場需求為牽引，突破第三代半導體產業鏈環節的共性難題和關鍵技術，不斷驅動創新，打通第三代半導體全產業鏈，并在下一代半導體產出創新成果。
丁祥金副部長表示，目前深圳平湖實驗室建有全國首條8吋SiC/GaN中試線的功率半導體開放共享平臺。覆蓋第三代功率半導體襯底、外延、器件制備、封裝測試、失效分析、可靠性驗證全鏈條；建成先進的8inch工藝平臺，具備向下兼容能力。支撐15-1200V GaN HEMT及1.2kV-15kV SiC MOSFET器件開發；對標國際一線Fab設備配置和專業團隊，具備研發、中試與產業化能力。布局氧化鎵、金剛石、氮化鋁、銻化物及異質集成材料與器件的研究。深圳綜合平臺具備碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)及超寬禁帶功率材料與器件研發、集成設計及試制能力。應用領域涵蓋新能源汽車與軌道交通電驅動、新型電力系統、新一代通信和數據中心基礎設施供電、消費類電子和通用電源、抗輻照高功率密度電源裝置等特種裝備及其它應用。
報告中，丁祥金副部長還對深圳綜合平臺的研究方向、工藝平臺能力、設計與仿真能力、EDA國產化催熟與驗證、分析檢測能力、人才團隊、運營模式等方面做了詳細介紹。他表示，目前實驗室擁有自主可控仿真設計平臺, 協同仿真-設計-制造-封裝-可靠性多維度聯合。支撐半導體的建模、提參、TCAD仿真、PDK的建立、良率預測、可靠性分析。打造第三代半導體工程服務平臺，提供復雜的計算機仿真、驗證、培訓、成果轉化服務。與國產EDA廠商緊密合作，實現國產EDA工具快速驗證迭代。搭建產學研緊密合作的第三代半導體國產EDA公共服務平臺，推動國內功率半導體產業鏈的發展進步。具備完善的、頂尖的第三代功率器件封裝和測試表征設備資源，圍繞構建第三代半導體產業引領技術和關鍵共性技術協同創新格局，擁有先進功率器件分析檢測所需的全套設備。
目前深圳綜合平臺人力規模約350人，首席團隊來自國內外第三代/第四代半導體頂尖企業和科研機構， 其中70%具有海外工作經驗。研發團隊博士占比超30%打造勇于創新、敢于試錯的研究型隊伍。資深工程師（工作經驗8年以上）占比超50%，來自國內外知名Fab廠。通過產學研深入協同，與國內重點高校建立創新人才培養機制。共同確立新研究課題、共同攻克關鍵技術、工程碩博聯合培養。堅持在國家重大專項布局、基礎研究、人才培養、專項創新中心、產業生態建設等在生態伙伴的協同下積極落地，共創寬禁帶功率半導體產業生態。
平臺建設與人才培養主題分享嘉賓合影
