氮化鎵射頻電子器件憑借其高功率、高頻率和高效率的特性，在無線通信、新能源汽車和光通信等領域展現出巨大的應用潛力。近日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。                             

分會現場

論壇期間，由深圳市匯芯通信技術有限公司/國家5G中高頻器件創新中心，北京國聯萬眾半導體科技有限公司，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州），蘇州思體爾軟件科技有限公司，北京北方華創微電子裝備有限公司協辦支持的“氮化鎵射頻電子器件與應用”技術分會上，香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷，小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍，中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰，西安電子科技大學教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監張新川，中國科學院半導體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學集成電路學院博士劉濤，中國科學院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵射頻電子器件與應用的進展與趨勢。蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千，中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻共同主持了分會。

張乃千

蘇州能訊高能半導體有限公司總裁

張韻

中國科學院半導體研究所副所長、研究員

俞捷

香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人

香港科技大學高通光學實驗室主任、教授、高武半導體（香港）有限公司創始人俞捷做了“賦能未來數據中心和6G網絡的下一代高端節能半導體芯粒”的主題報告，涉及高端生態半導體芯片的High5核心技術，下一代通信市場機遇（2025-2035），企業光和無線通信市場趨勢，GaN充電器和高電源，技術發展路線圖，數據中心互連中下一代光通信的高性能驅動器，6G網絡和衛星通信無線產品，High5半預期產品等內容。

孫躍

小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師

小米通訊技術有限公司高級硬件研發工程師孫躍做了“移動終端射頻功放應用問題探討”的主題報告，涉及移動通信中關鍵發射機特性的演變，手機功率放大器模塊的研制，手機功放在實際應用中的問題，以及基于WBG的移動通信PA的探討等。報告指出，隨著移動通信的快速發展，手機需要高輸出功率、高階信號調制和高頻譜效率。這促使PA設計師開發先進的PA架構和集成封裝模塊。非線性行為、輸出回退（OBO）效率、堅固性、穩定性和封裝EMI屏蔽在PA器件設計中值得重視。寬禁帶半導體在移動通信領域仍有很大的增長空間。

左成杰

中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人

射頻濾波器主導射頻前端市場。中國科學技術大學微電子學院教授、安徽云塔電子科技有限公司創始人左成杰做了“面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器”的主題報告，結合目前發展趨勢，分享了相關研究進展與成果。涉及蘭姆波諧振器、耦合SAW諧振器等。

薛軍帥

西安電子科技大學教授

《同質外延氮化鎵射頻電子器件研究進展》

許明偉

深圳市匯芯通信技術有限公司、國家5G中高頻器件創新中心副總經理、CTO

《FLAB：特色射頻半導體的技術創新模式探索》

張新川   

蘇州能訊高能半導體有限公司研發總監

氮化鎵非常適合于制造5G毫米波射頻前端集成。蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁裴軼做了“先進射頻氮化鎵制造中心支持DC-40GHz MMIC代工”的主題報告，6英寸GaN HEMT、高級過程控制、先進的熱解決方案、高功率高效率PA等內容。

張連

中國科學院半導體研究所副研究員

《fT/fmax=10.4/7.1GHz 的藍寶石上AlGaN/GaN異質結雙極晶體管》

熊鑫

九峰山實驗室

九峰山實驗室熊鑫做了“高性能、低成本、小型化集成無源器件技術”的主題報告，分享了集成無源器件IPD技術、九峰山實驗室IPD_PDK技術，基于IPD_PDK設計的超寬帶功分器等內容。報告顯示，基于九峰山實驗室工藝平臺和自研的IPD工藝Flow，開發了IPD的背孔工藝、空氣橋等關鍵工藝，實現IPD無源器件包括電阻、電容、圓形電感、方形電感等器件。3-20 GHz超寬帶功分器采用威爾金森功分器架構，采用三級級聯結構拓展帶寬，電阻采用TFR電阻，JFS IPD_PDK通過功分器、巴倫等電路設計已完成原理圖仿真、版圖EM仿真、調諧優化等功能性驗證，PDK功能完善且使用便捷，設計的無源電路性能突出，該功分器在超寬帶范圍內具有良好的回波損耗與插入損耗，以及隔離度，尺寸為1.2 mm*3 mm。

劉濤

江南大學集成電路學院博士

江南大學集成電路學院副教授李楊做了“基于氮化鎵肖特基二極管的微波無線能量收集”的主題報告，涉及整流損耗計算、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵微波整流器及其應用等內容。

報告顯示，研究提出了一種用于預測微波整流二極管效率的新型等效電流模型。基于所提模型的分析，并結合氮化鎵二極管的工藝設計，已經設計和制造了多種高性能的氮化鎵肖特基二極管。展示了基于氮化鎵的微波整流器，適用于常見的ISM頻段，包括900 MHz、2.4 GHz和5.8 GHz，并介紹了它們的應用，分別實現了最大整流效率92.3%、91%和80%。特別是，GaN-SBD首次應用于微瓦級整流，在0 dBm和-10 dBm時的效率與現有技術水平相比最高。這展示了氮化鎵材料在微波無線輸電領域巨大的潛力。

張國祥

中國科學院微電子研究所

中國科學院微電子研究所張國祥做了“基于GaN SBD技術的具有快速恢復性能的大功率微波限幅器”的主題報告，分享了GaN SBD技術、GaN SBD MMIC特性等相關研究進展。報告顯示，在不同頻率下，快速恢復時間在100 W下小于39 ns。由于SBD的多數載流子導通機制，該限制器不僅具有設計方法簡單、閾值設計自由度高的優點，而且具有無尖峰泄漏和易于集成的特點。 

（根據現場資料整理，僅供參考）