11月25日,按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會(CASAS)相關管理辦法,經CASAS管理委員會投票通過2項氮化鋁晶片方面的團體標準立項建議,詳細信息如下:
秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知,組建標準起草小組,請CASAS正式成員關注秘書處郵件(casas@casa-china.cn)。
T/CASAS 053—202X 氮化鋁晶片位錯密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法規定了氮化鋁晶片位錯密度的檢測方法,適用于拋光加工后位錯密度小于I0^7個cm^2的AIN晶片。通過本標準的實施,可以確保不同實驗室和生產廠商之間的檢測結果具有可比性,從而保障晶片質量的穩定性和可靠性。
T/CASAS 054—202X 氮化鋁晶片透射譜檢測方法描述了氮化鋁晶片透射譜的檢測方法,包括樣品制備、檢測設備、檢測程序、結果分析和報告。適用于氮化鋁晶片的質量控制和評估。