近日,位于吳中區的芯谷半導體研發智造項目——兩幢研發樓主體結構正式封頂,預計明年12月底即可交付使用。
該項目占地面積110.9畝,建筑面積約30萬平方米,計劃總投資16.8億元,規劃建造2幢研發辦公樓、4幢高標準廠房。目前,廠房主體結構已全部封頂,二次結構完成60%;研發樓主體結構已封頂,二次結構完成50%,各項建設工作正在推進中。項目建成后將用于第三代半導體及集成電路專用設備的研發生產。
近日,位于吳中區的芯谷半導體研發智造項目——兩幢研發樓主體結構正式封頂,預計明年12月底即可交付使用。
該項目占地面積110.9畝,建筑面積約30萬平方米,計劃總投資16.8億元,規劃建造2幢研發辦公樓、4幢高標準廠房。目前,廠房主體結構已全部封頂,二次結構完成60%;研發樓主體結構已封頂,二次結構完成50%,各項建設工作正在推進中。項目建成后將用于第三代半導體及集成電路專用設備的研發生產。