2024年11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。

日本華為股份有限公司高級(jí)首席專家濱田公守將出席論壇，并將帶來《最新高性能SiC MOSFET技術(shù)趨勢(shì)》的大會(huì)報(bào)告。

SiC是實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)電力電子系統(tǒng)新時(shí)代的一種有前景的材料。近年來，SBD和MOSFET等SiC器件開始大量供應(yīng)，利用這些器件的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大。但可以利用SiC優(yōu)勢(shì)并有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增長(zhǎng)的市場(chǎng)尚未完全建立，其中一個(gè)主要原因是成本高，而芯片性能影響著成本。近年來，8英寸晶圓的供應(yīng)已經(jīng)開始，報(bào)告將分享最新高性能SiC MOSFET技術(shù)趨勢(shì)，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

濱田公守

日本華為股份有限公司高級(jí)首席專家

濱田公守于1985年加入豐田汽車公司。1987年，他作為創(chuàng)始成員之一參與了TMC的內(nèi)部半導(dǎo)體項(xiàng)目，主要負(fù)責(zé)功率MOSFET、BiCDMOS、IGBT和SiC MOSFET的器件開發(fā)。目前擔(dān)任華為技術(shù)日本公司功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的高級(jí)首席專家，是日本電氣工程師學(xué)會(huì)（IEEJ）、日本汽車工程師學(xué)會(huì)（JSAE）和IEEE的成員。他獲得了ISPSD2005和ISPSD2020的最佳論文獎(jiǎng)，曾擔(dān)任ISPSD2021名古屋分會(huì)的總主席。

 參會(huì)聯(lián)系