2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術應用創新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

作為此次論壇承辦支持單位之一，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）將亮相此次展會，并誠摯邀請第三代半導體產業同仁共聚論壇，蒞臨B08-B09號展位參觀交流、洽談合作。

國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）面向第三代半導體產業的自主可控與高質量發展目標，聚焦關鍵核心技術和重大應用方向，協同市場創新要素和國際人才資源，建設體系化創新型開放研發大平臺，致力突破產業發展瓶頸技術、推動研究成果轉移轉化，為產業高質量發展提供源頭技術供給，為科技型中小企業孵化、培育和發展提供創新服務。

國創中心（蘇州）于2021年3月獲科技部批復支持建設。國創中心（蘇州）圍繞國家重大發展戰略和產業發展需求，聚焦“1~100”產業共性關鍵技術，建設開放共享的公共研發大平臺，以市場化機制協同優勢創新資源開展聯合攻關，推動科技成果轉化和創新型企業孵化，促進創新鏈、產業鏈、資金鏈、人才鏈的融合貫通，以新質生產力服務第三代半導體產業高質量創新發展。

國創中心（蘇州）的承建單位為江蘇第三代半導體研究院有限公司，研究院2019年7月注冊于蘇州工業園區，以市場化機制運行，是江蘇省批準設立的新型研發機構，由江蘇省、蘇州市、蘇州工業園區、核心運營團隊聯合共建。目前，國創中心（蘇州）建有材料生長創新平臺、測試分析與服役評價平臺、器件工藝與封裝平臺、模塊設計與集成應用平臺四大研發平臺，逐步建成支撐第三代半導體材料創新、器件工藝、測試評價及系統應用，具有國際先進水平的、開放共享的研發平臺。

關于材料生長創新平臺

材料生長創新平臺面向新型顯示、電力電子、微波射頻、深紫外等應用領域，聚焦GaN、AlN單晶同質襯底和大尺寸異質襯底的材料和器件的外延生長，提供專業的定制化服務。材料平臺擁有完善的設備和專業的研發團隊，承擔多項國家重點計劃和省重點項目，擁有核心發明專利165項，發表及合作發表國際期刊20余篇。研發和生產了一系列應用于高端光電子、微電子器件的外延片產品，已累計合作和服務國內外高校、研究機構和科創型企業約100余家。 

平臺規劃五年投入人民幣5億元，建設30臺套外延裝備，形成小規模研發、中試線，打造國際一流水準、專業化、綜合型的公共研發平臺。

車間一角

專業團隊

大尺寸異質外延片

高質量同質外延片 

關于測試分析與服役評價平臺

測試分析與服役評價平臺旨在建成第三代半導體領域的國家級創新型測試分析中心，推動我國第三代半導體測試技術、測試裝備、測試標準和認證體系邁向國際一流水平，加快新質生產力成果轉化，助力第三代半導體產業創新突破。

平臺現有大型專業設備30多臺套，具備材料分析、顯微結構、光電性能、失效分析等測試功能；擁有一支30多人的技術專家團隊，自主開發包括顯微缺陷、微納結構、雜質成分、光電特性、失效模式和失效機制的系統性解決方案，具有出具包括 CNAS、CMA 和第三方檢測報告的資質能力，可為客戶提供專業、可靠的一站式解決方案。平臺在支撐自身研發任務及合作項目的基礎上，已累計為200余家企業、高校和研發機構提供專業高效的測試分析服務。

關于器件工藝與封裝平臺

器件工藝與封裝平臺旨在構建國產化裝備和工藝技術標準體系，建成國內首個第三代半導體器件工藝和裝備公共驗證平臺，支撐新型顯示、微波射頻、電力電子等器件工藝的研究與工程化，實現標準化成套裝備和工藝技術成果轉移轉化。平臺匯聚國內優勢資源，聯合共建光刻、刻蝕、鍍膜、離子注入、晶圓鍵合加工等關鍵工藝技術公共驗證平臺，攻克 UV-LED、Micro-LED、HEMT 和 MOSHFET 等寬禁帶半導體芯片核心工藝技術，逐步實現 GaN 基半導體器件工藝裝備國產化、量產化、標準化；開展GaNSiC等寬禁帶半導體器件工藝技術開發及驗證，支撐光電子工藝、微電子工藝、光機電集成工藝技術和裝備技術驗證。

關于模塊設計與集成應用平臺

模塊設計與集成應用平臺以市場需求為導向，攜手龍頭企業共建探索支撐未來智能時代的半導體綜合平臺。平臺以項目為單元，進行開放式建設，專注于新型顯示、射頻功放、消費類電子等領域，推動后端產品和技術，專用化設備模塊設計與集成應用等項目研發。

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