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廣東:力爭(zhēng)到2030年取得超10項(xiàng)光芯片核心技術(shù)突破

日期:2024-10-22 閱讀:374
核心提示:廣東省人民政府辦公廳印發(fā)廣東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)方案(2024—2030年)的通知。

 10月21日,廣東省人民政府辦公廳印發(fā)廣東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)方案(2024—2030年)的通知。其中指出,為加快培育發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè),力爭(zhēng)到2030年取得10項(xiàng)以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破,打造10個(gè)以上“拳頭”產(chǎn)品,培育10家以上具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的一流領(lǐng)軍企業(yè),建設(shè)10個(gè)左右國(guó)家和省級(jí)創(chuàng)新平臺(tái),培育形成新的千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群,建設(shè)成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地,制定本行動(dòng)方案。

據(jù)悉,該行動(dòng)方案的十大要點(diǎn)包括,強(qiáng)化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力;省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃支持光芯片技術(shù)攻關(guān);加大“強(qiáng)芯”工程對(duì)光芯片的支持力度;強(qiáng)化光芯片產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)布局;聚焦特色優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域打造產(chǎn)業(yè)集群;積極爭(zhēng)取國(guó)家級(jí)項(xiàng)目;加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān);推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造;加強(qiáng)光芯片設(shè)計(jì)研發(fā);加強(qiáng)光芯片制造布局。

國(guó)盛證券日前發(fā)布研報(bào)表示,“芯片荒”成為限制光模塊出貨一大瓶頸,預(yù)計(jì)短期內(nèi)難以改善,下游光模塊將產(chǎn)生巨大的供需缺口。光模塊續(xù)期持續(xù)增加,帶動(dòng)芯片需求量遞增。根據(jù)YOLE的數(shù)據(jù),2029年,光模塊市場(chǎng)整體將會(huì)達(dá)到224億,2023-2029年CAGR達(dá)高達(dá)12.76%,其中,2024年在數(shù)通細(xì)分領(lǐng)域,AI驅(qū)動(dòng)的光模塊市場(chǎng)將出現(xiàn)同比45%的增長(zhǎng)。通常情況下,一個(gè)800G光模塊需要用到8個(gè)100G EML芯片,在此前提下,光模塊需求放量將推動(dòng)光電芯片需求量成倍增長(zhǎng)。

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