國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州鎵仁半導體有限公司申請一項名為“一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結(jié)構(gòu)及其劃片方法”的專利，公開號CN 118752386 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結(jié)構(gòu)及其劃片方法，屬于氧化鎵單晶襯底拋光片加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的劃片保護層結(jié)構(gòu)由下到上依次包括層疊設(shè)置的斜坡夾具、載臺、第二軟質(zhì)保護層、氧化鎵Wafer、第一軟質(zhì)保護層和硬質(zhì)保護層，所述斜坡夾具保證沿氧化鎵Wafer(010)晶面方向的切割道呈斜坡角度切割。本發(fā)明中，第一軟質(zhì)保護層和第二軟質(zhì)保護層的作用是避免拋光Wafer的表面免受硬物劃傷和冷卻介質(zhì)污染，硬質(zhì)保護層的作用是抵消一部分劃片過程中砂輪對(100)易解理晶面的法向作用力；斜坡夾具會進一步分解砂輪施加給(100)晶面的法向作用力，從而減少切割道周邊Wafer解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生。本發(fā)明的劃片方法切割速度快，可以實現(xiàn)拋光Wafer直接進行劃片，且不產(chǎn)生Wafer表面的劃傷和污染等缺陷。