據方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產品總經理彭建華在發言中提到，方正微電子作為第三代半導體領域的IDM企業，當前有兩個fab。
其中，Fab1當前已實現SiC產能9000片/月（6英寸），預計2024年底產能將達到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規SiC MOS生產能力，GaN當前產能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生產線將于2024年底通線，長遠規劃產能6萬片/月。彭建華表示，方正微電子當前已建成的車規SiC MOS生產能力，中國第一。
據介紹，方正微電子工規 SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產品已于2023年一季度開始大規模量產，廣泛應用在光伏、儲能、充電、UPS、工業電源等領域，目前已出貨SiC晶圓超4萬片。除SiC功率器件外，方正微電子開發的GaN系列功率器件產品已經應用于消費快充、PC電源、服務器電源等場景。
