10月4日，中國臺灣科學園區(qū)審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案。

據介紹，該案投資金額達15億元新臺幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產氮化鎵功率元件相關產品。

資料顯示冠亞為臺亞半導體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術。公司可提供的氮化鎵功率元件包含650V（GaN on Si）以下與1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上規(guī)格，產品可應用在快速充電器、電動車、太陽能逆變器等新興應用領域。值得一提的是，未來冠亞或將重心放在8英寸氮化鎵業(yè)務的發(fā)展。

今年5月底，臺亞半導體舉行股東會，會議通過了將8英寸GaN（氮化鎵）事業(yè)群分割的計劃。分割后，6英寸氮化鎵產線繼續(xù)保留在臺亞，產線同時生產感測組件，且生產6英寸氮化鎵是為子公司冠亞或其他廠商代工；8英寸氮化鎵事業(yè)群則在分割完成后由冠亞承接。

據此前報道，冠亞8英寸氮化鎵產線的第一批設備已經全數(shù)到位，原計劃預定在第三季試產8英寸氮化鎵，若一切順利冠亞將在第四季前完成第一顆產品，第一條線月產能預估達2,000片。

據了解，目前8英寸氮化鎵業(yè)務已接到客戶訂單。本次投資案通過以后，冠亞將借助母公司臺亞半導體的外延技術和研發(fā)資源，進一步整合上下游產業(yè)鏈，加強中國臺灣地區(qū)在化合物半導體外延技術及相關高功率元件開發(fā)領域的競爭優(yōu)勢，并推動氮化鎵長晶、晶圓切片及周邊材料供應鏈的產業(yè)集群的完善。