半導體產業網獲悉：近日，漢道精密制造年產1.8億件半導體元器件項目、日月光又一先進封裝項目、希磁科技MEMS智能磁傳感器核心器件中試研發項目、鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產線、星柯先進光電顯示產業項目高性能載板項目、泰國首個SiC工廠項目迎來新進展。詳情如下：

1、漢道精密制造年產1.8億件半導體元器件項目開工奠基

10月8日，江蘇漢道精密制造年產1.8億件半導體元器件項目在淮陰區開工。市長顧坤宣布項目開工。

江蘇漢道精密制造有限公司董事長晏偉表示，項目從8月26日簽約到今天“五證聯發”正式開工建設，僅用時42天，體現了淮安高效的政務服務和優質的營商環境。下一步，企業將以更加科學的態度規劃施工、更加嚴謹的管理確保質量、更加高效的協作加快進度，確保項目加速推進、早日竣工投產，為地方經濟發展作出積極貢獻。

漢道精密制造項目位于淮安高新區，主要從事半導體零部件研發與制造、3C電子產品精密加工等，工裝處于行業一流水平，產品廣泛應用在手機、平板、汽車制造等領域，建筑面積6.25萬平方米，計劃購置CNC加工設備2200臺。此次漢道精密制造等項目的開工，是淮陰區落實市委八屆九次全會、全市高質量發展和重特大項目建設推進會精神的實際行動，也是全區開展百日攻堅突破行動的重要成果，自攻堅突破行動開展以來，全區共開工項目23個，其中10億元以上項目6個，協議總投資超80億元，將為提升產業層次、壯大產業實力提供堅實支撐。

2、日月光又一先進封裝項目開工，預計2026年完工

日月光K28大社智慧工廠今舉行動土典禮，預計2026年完工，高市經發局肯定日月光深耕臺灣，除強化競爭力，還可為地方增加近900個就業機會。

日月光高雄廠總經理羅瑞榮表示，公司為滿足先進封裝制程（CoWoS）的晶圓、終端測試需求，于面積約2公頃的大社基地興建K27、K28廠房，K27已于2023年啟用，今日動土的K28由日月光提供所持有大社土地，宏璟建設提供資金合建廠房，預計興建地上7樓、地下1樓廠房建筑，以低碳建材蓋廠。高市府依行政院核定「工業區更新立體化發展方案」。

3、安徽蚌埠將建設年產約2億顆MEMS中試研發產線

10月7日上午，希磁科技MEMS智能磁傳感器核心器件中試研發項目在市經開區簽約。

MEMS智能磁傳感器核心器件中試研發項目總投資7億元，將在中國傳感谷建設一條年產約2億顆MEMS智能線性類、角度類、磁場類磁傳感器核心器件中試研發產線。項目的建設，將實現傳感器核心器件制造環節的完全自主可控，對助力提升國家自主創新能力具有重要意義。

4、鑫威源電子氮化鎵激光器芯片生產線通線試產

9月29日，據武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術突破，同時氮化鎵半導體激光器芯片產線完成通線試產。

鑫威源電子從事氮化鎵半導體激光器相關材料、芯片、封裝等的設計與開發，以及產品的研發、制造和銷售，致力于實現國產氮化鎵半導體激光器的產業化。據悉，鑫威源電子投資打造的大功率氮化鎵半導體激光器產業化項目，于今年4月在武漢市江夏區大橋智能制造產業園完成廠房建設，無塵車間內的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統相繼達標并投入使用。

廠房竣工后，鑫威源電子完成了超過一百臺套制造設備的安裝和調試，打通了芯片制造產線。在廠區內，鑫威源電子還完成了相關技術能力的轉移，并進行了產品試驗生產。今年9月，鑫威源電子實現了藍光450nm激光芯片的重大技術突破：閾值電流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光電轉換效率WPE達到45%，產品技術可以滿足市場對大功率氮化鎵半導體激光器的應用要求。

5、總投資310億元，星柯先進光電顯示產業項目高性能載板一號廠房主體封頂

10月8日上午，位于杭紹臨空示范區紹興片區的浙江星柯先進光電顯示產業項目，隨著高性能載板一號廠房主體封頂，項目再次刷新落地建設的“柯橋速度”。

據了解，該項目將建設高性能載板玻璃項目、高端柔性顯示器件項目、戰略新興產業智造基地及研究院項目、MLED顯示芯片及模組項目、功率半導體及儲能智造項目等。

“年底前實現首條生產線的點火投產，預計釋放高性能載板玻璃產能214萬片。”現場，公司總經理趙永華信心滿滿地說道。產業新、項目實、推進快，是“星柯光電”項目的“標簽”。

據悉，該項目總投資310億元，占地700畝，是近三年來我區引進落地的最大規模產業項目。擬建設高性能載板玻璃、戰略新興產業智造基地及研究院等，依托國家工程實驗室及“國家科技進步獎”、國家專利金獎的相關技術，聚焦光電顯示領域核心，力求打破國際巨頭在該領域的壟斷，實現國產替代。

6、泰國將投資3.5億美元建設首個SiC工廠，預計2027年運營

泰國將建立首家碳化硅（SiC）晶圓工廠，預計該工廠將于2027年投入運營，以期在半導體行業取得重大進展。據報道，泰國投資委員會宣布支持Hana Microelectronics和PTT Group成立的合資企業FT1 Corporation，投資115億泰銖（3.5億美元）建設泰國首家SiC工廠，該工廠將使用從韓國芯片制造商轉讓的技術生產6英寸和8英寸晶圓。

該工廠預計將于2027年第一季度投產，以滿足汽車、數據中心和儲能市場日益增長的需求。泰國投資委員會秘書長Narit Therdsteerasukdi于9月20日率領代表團前往南奔府視察一項重大晶圓制造投資項目的進展情況。他強調了泰國的中立地緣政治立場、有競爭力的成本以及未來擴大生產的潛力。