2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。
中科重儀半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“中科重儀”）作為第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）材料生產(chǎn)與技術(shù)應(yīng)用的國家級高新技術(shù)企業(yè)，將攜多款科研型MOCVD設(shè)備及氮化鎵外延片產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B16號展位參觀交流、洽談合作。
同時，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員姚威振博士將出席論壇，并將在“氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分論壇上，分享《GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究》主題報告。
報告嘉賓：
姚威振
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人
姚威振，博士，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員，中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人。九三學(xué)社第十五屆中央委員會科普工作委員會委員，北京市特聘專家。主要從事氮化物半導(dǎo)體材料、器件與MOCVD裝備設(shè)計建造技術(shù)研究。2018年獲法國圖爾大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位，曾擔(dān)任國際著名功率半導(dǎo)體公司STMicroelectronics骨干研發(fā)工程師。2021年獲得中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所青年人才推進計劃資助，2022年入選中國科學(xué)院特聘骨干崗位，2023年憑借其寬禁帶半導(dǎo)體材料及國產(chǎn)化MOCVD核心裝備領(lǐng)域的深耕細作和參與多項跨學(xué)科項目及研究經(jīng)歷，榮獲“中國產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新獎”。
演講報告：《GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究》
演講會場：F2-氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)
報告簡介：GaN基半導(dǎo)體材料具有寬禁帶，電子遷移飽和速率高，介電常數(shù)小，導(dǎo)熱性能好等特點，MOCVD反應(yīng)腔的溫場和流場設(shè)計對其外延生長至關(guān)重要。現(xiàn)有的制備工藝易非故意引入高密度缺陷、雜質(zhì)及表面起伏，嚴(yán)重影響了材料質(zhì)量和器件性能，從而阻礙了GaN基光電器件的產(chǎn)業(yè)化進程。
報告研究了MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)與GaN基半導(dǎo)體材料生長質(zhì)量關(guān)聯(lián)性，通過有效調(diào)整腔室高度、氣源預(yù)處理和天棚溫度控溫裝置，探究了MOCVD腔室結(jié)構(gòu)對GaN基材料外延工藝中晶體質(zhì)量、雜質(zhì)缺陷含量和均勻性等影響機制。通過反應(yīng)腔溫場有效調(diào)控預(yù)翹曲來補償應(yīng)力，只需要單層AlGaN緩沖層，就能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸Si基GaN外延厚膜材料的無裂紋均勻生長，減少了現(xiàn)有生長流程和工藝復(fù)雜性，形成了一套新穎有效的緩沖層生長技術(shù)路線。
關(guān)于中科重儀：
中科重儀半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“中科重儀”）是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）材料生產(chǎn)與技術(shù)應(yīng)用的國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于2021年，研發(fā)中心設(shè)在北京，生產(chǎn)基地設(shè)于蘇州。公司主要從事科研型MOCVD（金屬有機化學(xué)氣相沉積法）國產(chǎn)高端設(shè)備，以及高品質(zhì)、大尺寸GaN外延片材料的生產(chǎn)與銷售，并可提供多種半導(dǎo)體測試、分析及定制化解決方案等服務(wù)。相關(guān)產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費電子、可再生能源、數(shù)據(jù)中心和新能源汽車等領(lǐng)域。
您可以通過瀏覽官網(wǎng)：www.casinstrument.com，了解中科重儀的更多信息。
CASInstruments Semiconductor Technology Co., Ltd. ("CASI") is a National High-tech Enterprise committed to advancing innovation in Gallium Nitride (GaN) production and application, a third-generation semiconductor material. Founded in 2021, the company operates R&D centers in Beijing and production facilities in Suzhou. CASI specializes in developing high-end, domestically produced MOCVD (metal-Organic Chemical Vapor Deposition) systems and manufacturing high-quality, large-size GaN epitaxial wafers. In addition, CASI offers comprehensive semiconductor testing, analysis, and customized solutions. Its products are widely used in a broad ranges of industries, such as consumer electronics, renewable energy, data centers, and new energy vehicles.
For further information on CASI, please visit our website at:www.casinstrument.com.
產(chǎn)品介紹/about Products：
一、ZY-314/316/318 科研型MOCVD設(shè)備/ZY-314/316/318 Research-Oriented MOCVD System
自動化控制與數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：可運行數(shù)據(jù)處理，原料流量控制，監(jiān)控輔助設(shè)備運行狀況等功能，并可進行生長過程預(yù)演和回放，同時進一步增強了系統(tǒng)功能和可靠性。
Automatic Control and Data Analysis System: This system includes data processing management, raw material flow control, auxiliary equipment monitoring, and simulations and playback of the growth process. These features further enhance both the functionality and reliability of the system.
集成VR深度輔助教學(xué)系統(tǒng)：用于MOCVD及配套設(shè)備模擬與實驗室運營維護，以虛擬現(xiàn)實再現(xiàn)材料生長過程，將微觀事物具象化，可縮短相關(guān)專業(yè)技能培訓(xùn)的周期，減少成本支出。
VR-Assisted Teaching System: This system is designed to simulate the operation of MOCVD equipment,? supporting systems, and laboratory maintenance. By using virtual reality, the system recreates the material growth process and visualizes microscopic phenomena. This approach significantly shortens the training period for acquiring relevant professional skills while reduceing costs.
用戶可定制化：可根據(jù)客戶需求定制氣體管路數(shù)量、外延片尺寸（2~8英寸），滿足不同材料高質(zhì)量外延生長。
Customizable Option: This system can be customized to adjust the number of gas lines and the size of the epitaxial wafers (ranging from 2 to 8 inches) to meet customer requirements, ensuring high-quality epitaxy growth across various materials.
二、氮化鎵外延片/GaN Epi-Wafer
中科重儀依托自主研發(fā)生產(chǎn)型MOCVD設(shè)備，有效緩解外延片龜裂狀況，并保持產(chǎn)品具有極低的翹曲度。公司所生產(chǎn)的GaN外延片產(chǎn)品擁有獨有的高壓厚膜緩沖層和鈍化層設(shè)計，生產(chǎn)力及產(chǎn)品性能均達到國際先進水平。
With its independently developed and manufactured MOCVD system, CASI effectively reduces cracking and maintains extremely low warpage in epitaxial films. Its GaN epitaxial wafers feature a unique high-voltage thick film buffer layer and passivation layer design, meeting internationally advanced standards while ensuring a stable and ample supply.
參會聯(lián)系：
第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）
第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）
時間：2024年11月18-21日
地點：江蘇·蘇州國際博覽中心·G館
國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的九年時間里，IFWS延請寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國際頂級學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是SSL國際系列論壇在中國地區(qū)的年度盛會，SSLCHINA是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。SSL國際系列論壇以促進半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。
今年，國際第三代半導(dǎo)體論壇與中國國際半導(dǎo)體照明論壇于11月18-21日在蘇州國際博覽中心舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
