科友半導體致力于推動大尺寸SiC單晶襯底的國產化、產業化，從晶體裝備研制、熱場設計優化、工藝技術開發三個方面入手，形成科友半導體獨家SiC長晶一站式解決方案，解決國內SiC襯底產業化設備、熱場與工藝卡脖子關鍵問題。2024年9月份，科友半導體成功實現8英寸高品質碳化硅襯底的批量制備，通過優化電阻爐溫場、引入緩沖層優化長晶工藝、優化原料區域溫度分布，充分發揮電阻加熱式PVT法碳化硅單晶穩定生長的優勢。檢測表明，8英寸碳化硅襯底產品總腐蝕坑密度控制在2000個cm-2左右，TSD與BPD位錯缺陷密度得到有效降低，占同期產出襯底的比例在八成以上，彰顯出電阻加熱式長晶爐對推動設備和耗材國產替代、推動襯底成本持續降低方面的巨大潛力，標志著科友半導體8英寸碳化硅襯底產業化進入了新的階段。

位錯缺陷密度隨晶體厚度提高不斷下降

科友近期制備的低缺陷密度8英寸碳化硅襯底

（來源：科友半導體）