半導體產業網獲悉：近日，天科合達、通潮精密、Resonac、天創、立洋光電、辰顯光電、天科合達、晶引電子、富加鎵業、威邁芯材、漢磊&世界先進、鴻茂光電、芯投微、貝和、華業氣體、長飛先進、RIR、晶益通、合盛新材料、中微公司、國星光電、歐萊新材、阿達尼集團&高塔半導體、京東方、比亞迪、三責新材、中科飛測、華封集芯、世界先進、艾佩科、芯盟、ASFLOW、萃錦半導體、眾芯半導體、先導科技、海信乾照、博洋微電子、弘利芯能、百斯特電子?等企業迎來新進展。詳情如下：

1、投資5.2億元，天科合達建設半導體設備產業化基地項目

近日，國內第三代半導體領軍企業——天科合達摘得北方芯谷新建區第一塊工業用地，將投資5.2億元建設半導體設備產業化基地項目，標志著北方芯谷新建區建設全面啟動。

天科合達是國內最早從事第三代半導體碳化硅晶片研制的國家級高新技術企業之一。這次摘牌的地塊位于北方芯谷新建區，計劃建設第三代半導體碳化硅單晶生長爐、高溫CVD真空爐等裝備研發制造生產基地和半導體設備高溫零部件碳化物涂層等終端產品生產基地。項目預計明年初開工建設，年底前投入使用。

2、通潮精密半導體核心零部件項目簽約

9月11日下午，通潮精密控股子公司晶海熱瓷投資的半導體設備核心零部件項目正式落地合肥經開區。

通潮精密機械股份有限公司成立于2016年，致力于泛半導體產業關鍵設備部件的研發及生產，產品主要應用于泛半導體薄膜工藝、刻蝕工藝等關鍵工藝環節，也是國內首家將面板領域CVD設備、干法刻蝕設備電極部件國產化的企業。晶海熱瓷項目規劃總投資數億元人民幣，主要研發、生產及銷售半導體設備用陶瓷加熱器及結構件、各類金屬加熱器等產品。

3、Resonac功率半導體用碳化硅（SiC）襯底及外延項目開工

9月13日，Resonac（原昭和電工）宣布，在日本山形縣東根市，公司用來生產功率半導體用碳化硅（SiC）襯底及外延的新大樓，已開工建設。奠基儀式于9月12日舉行。

據了解，該SiC晶圓廠建筑面積約為5832平方米，預計竣工時間為2025年第三季度。此前有報道稱，Resonac將投資約300億日元（折合人民幣約15億元）擴產碳化硅產能，并在山形縣工廠增設SiC襯底產線，預計在2027年開始量產，日本經濟產業省最高將補助103億日元（折合人民幣約5億元）。

另據日媒報道，Resonac的8英寸SiC外延片品質已經達到了6英寸產品的同等水平。目前，公司正在通過提高生產效率來降低成本，樣品評估已經進入商業化的最后階段。預計一旦成本優勢超過6英寸產品，Resonac就會開始轉型生產8英寸產品。source：ResonacResonac憑借在SiC單晶襯底上形成SiC外延層的技術優勢，擁有非常可觀的SiC外延片市場份額，并向高端市場供應SiC外延片。

Resonac開發的8英寸產品與其供應給高端市場的6英寸SiC外延片擁有相同品質。Resonac目前面臨的挑戰僅有成本問題，公司正通過設置最佳參數和用料，來縮短生產時間并提高產量。除了量產8英寸SiC外延片外，Resonac還將在2025年開始量產8英寸碳化硅襯底。

4、總投資30億元，天創總部暨光電顯示研發制造基地成都項目啟動

9月10日，和天創總部暨光電顯示研發制造基地開工儀式在成都金牛高新技術產業園區人工智能產業園舉行。

此次開工的和天創總部暨光電顯示研發制造基地項目總投資30億元，占地面積55.381畝，將開展數字光學電子智能顯示產品（包括但不限于激光電視、智能投影、光固化3D打印、新能源汽車數字大燈、AR-HUD、儀表、中控），新一代國產自主知識產權集成電路等產品的研產銷服；全球跨境電商平臺、產品中試基地及光學電子實驗室建設。聚合產業鏈上下游企業，構建新型智慧大屏互聯網智能生態鏈。

據悉，項目建成并全部投入使用后將引入高端人才500人，達產年產智能投影及周邊設備300萬臺，達產年產值5億元，稅收3000萬元。研發基地的落成，也將助推和天創加速推動全新產業線布局，未來將形成以自主品牌拓展LCD智能顯示終端消費市場，以軟硬件一體化解決方案為基礎的衍生業務覆蓋光顯電子行業市場，以新能源汽車ADS車載光學電子產品布局智慧出行消費場景，打造覆蓋人智慧家庭和出行場景的終端、用戶、內容、運營多維一體化的新一代智慧顯示互聯生態。

5、總投5億！立洋光電智能照明系統研發與制造基地項目即將封頂

9月1日，隨著最后一塊混凝土頂板澆筑完成，動工僅9個月的黃江立洋光電子智能照明系統研發與制造基地項目主樓迎來封頂。

深圳市立洋光電子股份有限公司，成立于2008年，專注為全球用戶提供高品質的大功率LED封裝器件，以及一體化LED照明應用解決方案，是業界領先的集研發、生產、銷售于一體的國家級高新技術企業。

黃江立洋光電子智能照明系統研發與制造基地項目位于黃江鎮刁朗社區，總投資5億元，項目總面積將近9萬平方米，其中3棟廠房、1棟研發辦公樓、1棟員工宿舍樓，于2023年11月開工。項目主要從事研發、生產和銷售LED光源器件、LED照明燈具以及LED智能控制系統。達產后，預計年產值為5億元。

6、辰顯光電首條TFT基Micro-LED量產線（VSM）設備搬入

9月10日，辰顯光電隆重舉行了首條TFT基Micro-LED量產線（VSM）設備搬入儀式。

據介紹，此次設備搬入預計耗時11天，涉及設備兩百余臺，總重量達近千噸。在此前的9月8日下午，在成都高新西區光顯柔谷產業園，辰顯光電全球首條TFT基Micro-LED生產線奠基儀式順利舉行。辰顯光電總經理黃秀頎指出，設備搬入是辰顯光電Micro-LED量產之路中的一個重要環節，也是VSM量產線順利運行的關鍵一步。接下來，辰顯光電將正式進入量產倒計時。

據了解，辰顯光電是中國大陸第一家專業從事Micro-LED自主研發、規模生產和市場銷售的高科技企業，致力于成為全球Micro-LED顯示領域領導者。此次奠基的生產線位于光谷柔顯產業園內，占地面積約53畝，生產線全部采用自主設計，并采用多臺“首臺套”Micro-LED量產設備。產線建成后將有效推動我國Micro-LED顯示技術商業化進程，也將成為中國新型顯示產業高質量發展的重要里程碑。

此次搬入的設備中，有多臺是由辰顯光電與設備廠商聯合研發的首臺套，涵蓋了多個關鍵工藝，確保自主可控的技術路線，同時也助力國內Micro-LED產業鏈的協同發展。黃秀頎介紹，公司始終專注Micro-LED顯示技術研發和產業化建設，公司成立至今， 已將自身研發、中試技術發展到可量產水平，并完成了多項業內公認的Micro-LED領域卡點、難點問題的攻關，辰顯光電已將巨量轉移良率提升至99.995%，開發出國內首款TFT基混合驅動IC和大尺寸TFT基混合驅動量產方案。

去年6月27日，辰顯光電與成都高新技術產業開發區管理委員會正式簽署了Micro LED顯示屏生產基地項目投資合作協議，這標志著全球首條TFT基Micro LED顯示屏生產線在四川成都正式落地啟動。該項目投資總額為30億元，將率先布局大尺寸商顯領域，預計2024年底實現產品出貨。

7、近12億，中電四公司成功中標北京半導體大項目

近日，中電四公司成功中標北京天科合達半導體股份有限公司“第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目（1#生產廠房等12項）”，中標金額：1159022898.60元。

該項目建設地點位于北京市大興區大興新城東南片區0605-022C地塊，建設規模超10萬平方米，中標范圍為施工圖紙范圍內的地基與基礎、主體結構、建筑裝飾裝修、屋面、建筑給水排水及供暖、通風與空調、建筑電氣、智能建筑、建筑節能、電梯及室外工程等全部工作內容。下一步，公司將繼續秉持“以客為尊，服務領先”的經營理念，做好客戶服務，不斷提升我們的綜合工程服務能力，為我國半導體產業的繁榮發展做出更大貢獻。

8、晶引電子超薄精密柔性薄膜封裝基板（COF）生產線項目點亮倒計時

近日，位于麗水經開區的浙江晶引電子科技有限公司超薄精密柔性薄膜封裝基板（COF）生產線項目迎來新進展，據悉，晶引工廠建設已進入沖刺階段，工地實施三班倒作業，各區域內外裝修同步進行中，數百余名技術員和工人正日夜奮戰，全力沖刺年底點亮投產目標。專業電子廠房外立面作業即將完工無塵車間整體施工正在有序開展配套用房裝修同步進行中玻璃幕墻正在安裝員工宿舍吊頂施工中據悉，晶引電子COF生產線項目總投資55億元，總用地面積約250畝，分兩期建設。

項目一期主要建設年產18億片超薄精密柔性薄膜封裝基板生產線（首個批量產品為運用業內先進成熟制程工藝生產的8微米等級顯示屏用單面COF產品），預計可實現年產值34億元，上繳稅收3億元。建成投產后，預計專家團隊達120人以上，產線人員達750人以上，將彌補國內外高端COF 基板產能缺口，實現新型顯示產業關鍵零組件的國產化升級，促進全省芯屏產業鏈上下游生態發展。公開資料顯示，浙江晶引電子科技有限公司成立于 2022 年 10月，注冊資本11,000萬元，專注于柔性半導體、新型顯示及新材料研發及生產，是一家國際國內領先的新型顯示及柔性半導體關鍵器件、生產及研發的高科技企業。晶引電子繼獲得麗水綠色產業基金天使輪5000萬元增資后，今年4月份，再獲得日晟半導體科技的3000萬元PreA輪融資。

9、富加鎵業年產10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

近日，杭州富加鎵業科技有限公司6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線在杭州富陽開工建設。這是國內首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線，與國際同時起步的6英寸單晶生長技術及更加適合量產的外延技術將“換道超車”，助力新型超寬禁帶半導體氧化鎵產業鏈高質量快速發展。

據了解，目前國際上僅僅有日本NCT（Novel Crystal Technology, Inc）有6英寸氧化鎵量產計劃。杭州富加鎵業是國內目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線，該生產線高度集成單晶生長、襯底加工、外延及檢測，整條產線涉及關鍵設備包括“一鍵長晶”單晶生長設備、多線切割設備、高精度研磨拋光設備、倒角設備、激光加工設備、全自動化晶片清洗設備、高通量外延設備、表面缺陷檢測儀、電學性能測試儀等重要設備。面向未來，6英寸的氧化鎵單晶及外延片將為下游器件廠商提供穩定可控的高質量氧化鎵材料。

10、威邁芯材年產100噸半導體高端光刻材料項目主體結構全面封頂

近日，位于新站高新區的威邁芯材（合肥）半導體有限公司年產100噸半導體高端光刻材料項目主體結構全面封頂。

該項目位于潁州路與龍子湖路交口，占地面積共50畝，總投資3億元，于今年3月開工建設，旨在打造國內最大的高端半導體DUV級別（ArF/KrF）的光刻膠核心主材料量產基地。產品包括光致產酸劑PAG、BARC層樹脂Resin、光引發劑PI等，同時也提供每個最終產品的中間體及核心單體材料，規劃建設年產能100噸，將于年底竣工并投入使用。

威邁芯材（合肥）半導體有限公司是蘇州威邁的全資子公司，始終專注于高端半導體DUV級別（ArF/KrF）光刻膠核心主材料的研發與生產，憑借PPB級別的金屬雜質控制及多步合成的定制化開發等核心技術，已成功導入國內阜陽欣奕華、南大光電、蘇州瑞紅、北京科華微、徐州博康等多家龍頭光刻膠企業，成為中國光刻膠企業國產PAG的領先供應商。

11、漢磊&世界先進攜手共建8吋SiC產線

9月10日，漢磊科技發布公告，宣布與世界先進集成電路股份有限公司簽訂策略合作協議，雙方將攜手合作，推動化合物半導體8英寸SiC晶圓的技術研發與生產制造。相關技術初期由漢磊轉移，預計2026下半年開始量產。同時，世界先進并策略投資參與漢磊科技公司私募普通股認購，投資金額24.8億元新臺幣（約5.5億人民幣），以共同推動具競爭優勢的產品制造服務，建立雙方的長期策略合作關系。

漢磊辦理私募增資案，由世界先進認購5000萬股，投資24.8億元新臺幣，取得13%股權。漢磊將于主管機關核準募資登記后，和世界先進展開合作。結合雙方的技術優勢和市場資源，漢磊及世界先進并將共同進行SiC技術研發、市場推廣，為客戶創造更大的價值；未來雙方亦將評估SiC技術研發及量產進度，進行更進一步的合作。

12、總投資35.5億，金剛石產業基地在鄭州航空港區落成投產

9月10日，榮盛晶創新材料科技有限公司金剛石產業基地投產儀式在鄭州新鄭綜合保稅區舉行，為鄭州航空港區產業升級和創新發展注入了新動能。

據悉，該基地于今年4月動工，分兩期建設，主要生產泛半導體功能材料，總投資達35.5億元。其中，9月10日當天投用的為一期工程，投資14.2億元，建設年產能二百萬克拉高品質CVD金剛石功能材料制備基地，達產后預估年產值約10億元，年綜合納稅約8000萬元，預計可提供300個就業崗位。二期擬投資21.3億元，主要建設泛半導體材料（金剛石、氮化鎵）產業園區。

據悉，榮盛集團總部位于美國，專注于MPCVD（微波等離子體化學氣相沉積）大尺寸金剛石的工業化生產和多領域應用，實現了從金剛石原料生產、到多領域應用產品的設計制造、到線上線下零售品牌的全產業鏈覆蓋，產品廣泛應用于珠寶首飾、高功率芯片散熱、極限光學窗口、切割工具涂層、微波射頻、工業廢水處理與消毒、量子技術等領域。

13、鴻茂光電高端LCD、OLED偏光片產線落戶珠海 總投資約22億元

9月10日，珠海市金灣區人民政府、華發集團與珠海市鴻茂光電科技有限公司簽訂鴻茂光電高端偏光片項目投資協議。

鴻茂光電主營應用于各種顯示面板的核心關鍵材料——高端偏光片，技術團隊成員均來自偏光片行業全球頂尖企業，大多擁有15-20年的從業經驗。本次簽約項目計劃在珠海投資建設高端LCD、OLED偏光片產線，規劃總投資約22億元，其中固定資產投資約17億元，全部投產后，預計可實現年產值超50億元，是珠海產業立柱項目之一。

此外，該項目還儲備了UV膠和水膠兼容的生產線工藝。此前，該技術路線長期由日韓企業壟斷，對生產設備、人員技術能力和從業經驗都有較高要求。鴻茂光電技術路線的良率和生產效率目前可媲美全球一流企業，并在成本等方面具備顯著競爭優勢。鴻茂光電是繼華燦光電Micro LED高端芯片一體化項目后，又一個成功落地珠海、達產產值超50億元的高端顯示產業鏈項目。項目的落地，將進一步補全補強珠海顯示面板產業鏈，并與已落戶的京東方及廣東省顯示面板行業企業形成上下游聯動，可進一步強化珠海集成電路、新一代信息技術產業集聚效應，助力珠海打造新型顯示面板材料領域的千億級產業集群。

14、芯投微SAW濾波器晶圓制造封裝工藝通線

近日，芯投微完成了SAW濾波器晶圓制造和晶圓級封裝的產品工藝通線，形成了規模化的、可拓展的SAW濾波器產能布局。

此前消息，2022年1月26日，曠達科技集團股份有限公司發布公告稱，公司重要參股公司芯投微電子科技（上海）有限公司與合肥高新技術產業開發區管委會簽訂了《芯投微濾波器芯片研發生產總部項目投資合作協議書》。芯投微設立合肥芯投微電子有限公司作為項目主體公司，在合肥高新區建設濾波器芯片及模組研發、設計及生產總部項目，該項目總投資55億元，分兩期實施。

據悉，該項目于2022年12月正式開工建設，2024年2月首臺設備搬入，計劃2024年通線投產。項目建成初期將聚焦射頻濾波器設計、研發、生產業務，致力于為客戶提供高性能、低功耗和高可靠性SAW產品。項目全部建成后，千級及以上且滿足各類防微振等級要求的潔凈室面積超過20000平方米，將有力支撐其各類型產品研發、生產及業務拓展。

芯投微是由上市公司曠達科技、產業資本和金融資本聯合發起設立的，于2020年底成功控股了脫胎于日本NEC和NDK濾波器事業部的射頻濾波器IDM公司——NSD。后又陸續引進了來自高通和思佳訊等行業龍頭公司的華人技術和管理人員，結合日本人員，磨合并打造了一支平均行業經驗二十年且具有國際視野的核心團隊。

15、新一代半導體碳化硅上游核心材料與工藝產業化項目落戶金陽智中心

9月10日，金陽投資集團子公司匯遠實業與長沙貝和科技有限公司舉行簽約儀式，新一代半導體碳化硅上游核心材料與工藝產業化項目正式落戶金陽智中心！

貝和團隊深耕半導體領域研究近20年，為破解CMP材料“卡脖子”技術，團隊攻堅克難、自主創新，推出完整的CMP工藝解決方案，本項目核心產品為納米級拋光磨粒和電子級CMP拋光液，其中磨粒采用精準可控的高溫煅燒工藝、可控結晶工藝，粒徑可控，磨削能力強；拋光液采用砂磨解聚工藝和分級篩選技術，均一性與穩定性良好。

項目已設立中試產線，完成產品驗證，可快速轉化落地。與Fujimi、Cabot等國際競品相比，貝和科技產品的顆粒尺寸、粒徑分布等參數接近，表面形貌、磨削效率相類似，且生產成本較低，完全可平替進口產品。預計項目達產后產值不低于1億元。

16、華業氣體一期技改項目正式投產

9月8日，正帆科技“蘇州華業氣體制造有限公司一期技改項目”投產儀式在蘇州華業氣體公司舉行。

正帆科技于2022年9月9日，正式收購華業氣體。華業氣體技改項目，以高純氣體的生產、充裝為主線，引進了國內領先的自動化充裝設備，在提高充裝安全性能的同時也提升了產品的質量。本項目正式投產后，年充裝量將會達到180萬瓶，具備了高端的200bar鋼瓶的充裝能力。

正帆科技總裁史可成表示，蘇州華業氣體的一期落成，豐富了正帆科技在長三角核心區域所供應的產品品類，強化了在高純電子載氣方面的供應能力，有力地支持了當地泛半導體行業及先進制造業的發展。在一期項目的基礎上，華業氣體還將會有二期，乃至后續三期的項目，正帆科技努力在蘇州太倉，以華業氣體為中心基地，服務好周邊的客戶群體。

17、長飛先進武漢基地主體樓已全面封頂

9月10日晚，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。

據悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發與生產，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發于一體的現代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。日前，長飛先進的晶圓廠、封測廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實現封頂。

據介紹，10月開始，長飛先進武漢基地將迎來首批設備搬入，并于2025年6月實現量產通線。項目投產后可年產36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光儲充等領域。長飛先進專注于SiC功率半導體產品研發及制造，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。目前，長飛先進產品覆蓋650V-3300V全電壓平臺的SiC MOSFET和SBD，應用于車載主驅、車載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業電源等全場景。長飛先進目前晶圓代工產品超過50款，自營產品超過20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產品已經開始導入市場，面向車載主驅逆變器應用場景。

18、總投資62億盧比，印度首個碳化硅半導體工廠正式開工

9月6日（上周五），印度奧里薩邦舉行由RIR Power Electronics Limited公司投資62億盧比（約合5.25億人民幣）的印度首個碳化硅半導體項目工廠奠基儀式，奧里薩邦首席部長作為主賓參加活動。

據介紹，該項目奧里薩邦布巴內什瓦爾Khurdha Info valley的EMC園區，為期三年建設，預計將創造500多個就業崗位。建設該項目的RIR公司成立于1969年，主要從事整流器、逆變器及相關組件業務。去年10月底，該公司主導的碳化硅器件和封裝項目獲批，生產視為IGBT等傳統硅半導體升級版的，用于包括電力電子、可再生能源系統和電動汽車的碳化硅半導體器件和裝置。

19、晶益通12億元IGBT模塊材料和封測模組產業園項目明年投產

據“內江新區”消息，晶益通（四川）半導體科技有限公司旗下IGBT模塊材料和封測模組產業園項目已完成建設總進度的40%，預計在明年5月建成。據了解，該項目總投資12億元，規劃建設用地約150畝，分兩期建成集大功率IGBT模塊材料、封裝基板與封測材料、半導體設備精密零部件等于一體的全產業鏈條。

作為內江高新區重點引進項目，晶益通（四川）IGBT模塊材料和封測模組產業園項目自開工建設以來進展順利，目前該項目已完成建設總進度的40%，預計在明年5月建成。目前公司生產和廠房建設兩條線齊頭并進，實現了邊建設、邊生產。

晶益通（四川）半導體科技有限項目建成后，年產能分別達到設備模組、模具各100套，注塑產品500噸，機加精密零部件產品10000余噸，年產值預計10億元以上，帶動就業1000余人，能解決半導體制造封測行業卡脖子問題，技術達到國內領先水平，打造IGBT模組配件國內第一品牌。

20、合盛8英寸導電型4H-SiC襯底項目全線貫通

合盛硅業下屬單位寧波合盛新材料有限公司（以下簡稱“合盛新材料”），于近期正式宣布8英寸導電型4H-SiC襯底項目已實現全線貫通。這一里程碑式的成就標志著合盛新材料在第三代半導體材料領域取得了重大技術突破，全面躋身行業第一梯隊。

經過五年的潛心研究與深入鉆研，合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長、襯底加工等全流程的核心技術難關。自2023年起，公司聚焦市場需求，專項攻克8英寸導電型4H-SiC襯底技術，經過近兩年的理論深化與技術迭代，現已實現高質量產品的穩定量產。

該8英寸導電型4H-SiC襯底在多項關鍵性能指標上均展現出卓越優勢。通過精密的工藝控制與技術創新，襯底的微管密度顯著降低至0.05/cm?以下，確保了襯底的高純度與高質量。同時，4H晶型面積比例達到100%，展現了極高的晶體完整性與穩定性。電阻率穩定在0.015-0.025Ω·cm之間，相對標準偏差小于4%，彰顯了材料優異的性能。

21、中微公司MOCVD項目簽約南昌，專注GaAs基紅黃光LED應用

9月6日，南昌中微公司GaAs基紅黃光LED應用的MOCVD設備開發項目簽約南昌。

根據協議，江西省科技廳、南昌高新區和南昌中微半導體設備有限公司聯手進行GaAs基紅黃光LED應用的MOCVD設備開發。項目研發成果優先滿足Micro LED生產的產業化需求，將有效提升江西省在新型顯示領域產業鏈的創新能力，進一步提高我國在新型顯示領域的產業鏈供應鏈韌性和安全水平。

22、國星光電：吉利產業園項目已整體竣工，將于近期試投產

9月2日，禪城南莊公眾號消息，國星光電吉利產業園項目已整體竣工，將于近期試投產。

該項目總投資不低于20億元，總建筑面積19萬平方米，項目主要用于建設研發及生產場地、先進的LED封裝及應用生產線，重點生產RGB小間距、Mini/Micro LED、TOP/CHIP LED等產品，主要用于超高清及新型智能顯示、智能車燈、智能家居、紫外殺菌等領域。

23、超高純等靜壓石墨材料項目落地三水樂平 意向投資20億元

9月9日，超高純等靜壓石墨材料產業化核心工序項目在佛山簽約，項目落戶佛山三水，總投資20億元，固定資產投資10億元，預計達產后終端產品年產值約15億元。

據了解，項目主要終端產品有超高純等靜壓石墨材料及精密加工半導體級超高純制品，主要應用于寬禁帶半導體（SIC）、硅基半導體，屬于半導體產業的重要環節。該項目的落地能促進三水乃至佛山半導體及集成電路產業的發展，實現區域內產業上中下游的融合，逐步形成產業鏈聚集區。

24、歐萊新材高端濺射靶材生產基地項目一期正式投產

9月5日，合肥歐萊高新材料有限公司（簡稱“合肥歐萊”）舉行正式投產儀式，這標志著歐萊新材首次公開發行股票并在上海證券交易所科創板上市的募集資金投資項目“高端濺射靶材生產基地項目（一期）”（簡稱“募投項目”）已完成主體建設及設備安裝、調試、試運行等工作，正式進入投產階段。

據悉，歐萊新材全資子公司合肥歐萊是高端濺射靶材生產基地項目（一期）的實施主體，該募投項目主要生產銅靶、鋁靶、鉬及鉬合金靶和ITO靶，該項目正式投產后可以突破產能瓶頸，有效擴充主營業務產品生產能力，進一步夯實該公司主營業務；還可以優化生產布局，為華東地區客戶就近提供高質量產品及服務，進一步增強公司市場競爭力。

歐萊新材成立于2010年，是國家專精特新“小巨人”重點企業、國家高新技術企業、國家知識產權優勢企業和廣東省制造業單項冠軍產品企業。其主營業務為高性能濺射靶材的研發、生產和銷售，主要產品包括多種尺寸和各類形態的銅靶、鋁靶、鉬及鉬合金靶、 ITO 靶、TCOM靶等。其官網顯示，公司客戶包括京東方、華星光電、惠科、超視界、彩虹光電、深超光電等半導體顯示廠商，超聲電子、萊寶高科、南玻集團、長信科技和TPK（宸鴻科技）等觸控屏廠商，越亞半導體等半導體廠商，萬順新材、寶明科技、騰勝科技等復合集流體廠商，華晟新能源、中建材等太陽能廠商。

25、100億美元！阿達尼集團、高塔半導體擬聯手在印建設晶圓廠

9月9日消息，據印度馬哈拉施特拉邦副首席部長 Devendra Fadnavis 北京時間本月 5 日 X 平臺動態，印度巨頭阿達尼集團 Adani Group 與以色列晶圓代工企業高塔半導體 Tower Semiconductor 擬在該邦建設晶圓廠。

這座晶圓廠將設在馬哈拉施特拉邦首府孟買附近的 Panvel，瞄準模擬與混合信號半導體產品，可創造超 5000 個工作崗位，整體投資額達 100 億美元。該晶圓廠將分為兩個階段建設，首階段投資額達 70 億美元，月產能為 4 萬片晶圓；第二階段追加投資 30 億美元，月產能翻倍至 8 萬片晶圓。

外媒報道稱，阿達尼集團與高塔半導體合作的晶圓廠項目將于 3~5 年內建成，生產的芯片將用于智能手機、無人機與汽車等產品。

26、總投資630億元！國內首條第8.6代AMOLED生產線預計今年底封頂

據成都日報最新報道，京東方第8.6代AMOLED生產線項目B/C標段主體結構已封頂，周圍其他標段施工正加快推進。預計今年年底，該項目將實現主體封頂，計劃 2026年5月產品點亮，2026年10月實現量產，2029年滿產。項目投產后，成都將成為全國最大柔性面板生產基地，“成都造”柔性面板全球市場占有率有望提升至20%。

中建一局此前消息顯示，7月31日，中建一局承建的成都京東方第8.6代AMOLED生產線項目B/C標段舉行主體結構封頂儀式。B/C標段總建筑面積約55.2萬平方米，相當于77座標準足球場。

成都日報報道指出，京東方第8.6代AMOLED生產線作為國內首條、全球首批高世代AMOLED生產線，總投資630億元，設計產能每月3.2萬片玻璃基板（尺寸2290mm×2620mm），主要生產筆記本電腦、平板電腦等智能終端高端觸控OLED顯示屏。

據了解，該生產線通過采用低溫多晶硅氧化物（LTPO）背板技術與疊層發光器件制備工藝，使OLED屏幕實現更低的功耗和更長的使用壽命。同時，能夠大幅提升中尺寸OLED產品切割效率，降低生產成本，有效滿足消費者對輕薄便攜IT類產品的使用需求。

27、比亞迪公布深圳全球研發中心規劃 總投資200億元

9月6日消息，據報道，比亞迪位于中國深圳市龍崗區寶龍街道的全球研發中心項目公布了規劃許可及總平面圖。該項目總用地約65萬平方米，預計總投資200億元人民幣，將建設超330萬平方米的建筑面積，首期工程占地66萬平方米，包含132萬平方米的研發空間及30萬平方米的人才配套公寓。

項目重要性在于，其將設立超過50個前沿技術實驗室和11大研究院，涵蓋汽車工程、產品規劃及新技術研究等領域。預計未來將吸引全球范圍內超6萬名高端研發人員，其中碩士和博士比例將超過50%。據了解，項目一期總建面約226萬平方米，二期約48萬平方米，三期約56萬平方米，部分宿舍及研發中心已在建設中。

28、三責新材二期半導體設備用高精度結構陶瓷產業化項目廠房封頂

9月2日，江蘇三責新材料科技股份有限公司在南通舉行的二期半導體設備用高精度結構陶瓷產業化項目廠房封頂。

隨著技術的不斷進步，結構陶瓷已經成為推動半導體行業精密化、高效率化不可或缺的材料。特別是在半導體設備制造中，結構陶瓷更是扮演著關鍵的角色。

三責新材作為結構陶瓷材料領域的領先企業，一直致力于高性能碳化硅陶瓷研發、生產、銷售和工程應用。此次項目的成功封頂不僅標志著項目建設的一個關鍵節點的完成，也預示著半導體設備用結構陶瓷領域即將迎來新的發展機遇。這不僅僅是企業發展的一個新高度，也為整個半導體行業的進一步發展提供了重要支持。未來，三責新材在繼續擴大規模的同時，將進一步加強在新材料領域的研究和應用，助力半導體及相關產業鏈的創新發展。

29、中科飛測華中研發生產總部項目落戶武漢新城

半導體質量控制設備是集成電路生產過程中核心設備之一，對芯片生產良率至關重要。9月5日，國內領先的半導體質量控制設備商——深圳中科飛測科技股份有限公司（簡稱“中科飛測”）與東湖高新區簽訂合作協議，中科飛測華中研發生產總部項目落戶武漢新城。

中科飛測成立于2014年，專注于檢測和量測兩大類集成電路專用設備，擁有全部自主可控的關鍵技術和多項核心發明專利，2023年在科創板上市，是國內該領域首家科創板上市公司，產品已廣泛應用于國內所有頭部集成電路制造產線。該公司計劃在光谷設立集研發、生產、銷售、運營為一體的華中研發生產總部。項目選址光谷筑芯產業園，產品主要圍繞國內高端集成電路制造所需的部分相關檢測和量測設備。

30、濟南52億元MLED項目，新上90條生產線，預計年底投產

據濟南日報，山東省計劃下半年竣工投產且總投資50億元以上的重大項目共有21個，其中，濟南市萊蕪區半導體智能光電全產業生態鏈項目在列，將于年底投產。

據了解，半導體智能光電全產業生態鏈項目主要投資方為中投國匯（深圳）投資控股有限公司，計劃總投資52億元，一期投資30億元，二期投資約22億元。項目租賃占地182畝的萊蕪嬴城電子信息產業園現有廠房18萬平方米，新上生產線90條，主要生產LED顯示屏微間距、Mini/Micro LED顯示模組、影音娛樂顯示、XR虛擬現實場景等光電終端產品，投產后將填補全市產業空白；全部達產后，Mini LED生產能力將達到全國前五名，實現年產值100億元，計劃5年內獨立IPO實現上市。

31、北京華封集芯先進封測基地年底竣工，總產能為54萬片/年

近日，華封集芯先進封測基地項目如期進展，預計將于2024年12月竣工。這家處于創業階段的先進封裝企業被認為是北京市布局高端封裝的“鏈主”企業代表，項目建成后將補全北京集成電路產業鏈中空缺的先進封裝環節。

華封集芯先進封測基地項目是北京僅有的先進封裝項目，用地面積142畝，預估總投資為332153萬元，購買研發及生產設備3686臺/套，用于項目關鍵技術、項目產品研發、生產、測試的需求，開展CPU、ASIC 芯片的封裝測試及凸點封測。公司儲備12吋晶圓級FCBGA封裝、高性能小芯片高密堆積Chiplet集成、2.5D/3D技術。

本項目新建 2 個生產廠房進行生產，即生產廠房 1 和生產廠房 2，兩個廠房產品相同。產品產能：FCBGA 芯片封測7200萬顆/年，FCCSP 芯片封測3.82億顆/年，BUMPING芯片封測14萬片/年，WB芯片封測1萬片/年。折合12吋計總產能為54萬片/年。項目完全投產后將帶動2500人就業，其中研發工程師450人。

32、世界先進新加坡12英寸廠獲批 下半年動工

世界先進和恩智浦9月4日宣布，其合資成立新加坡12英寸晶圓廠已獲中國臺灣及新加坡等監管機構批準，正式成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合資公司，今年下半啟動VSMC首座12英寸（300mm）晶圓廠建設。

世界先進和恩智浦于今年6月5日宣布計劃于新加坡共同成立VSMC合資公司，以興建一座12英寸（300mm）晶圓廠，總投資金額約為78億美元。消息稱，新晶圓廠將在今年下半年開始動工興建，新廠制程節點為0.13um～40nm，主要應用為電源管理、模擬、混合信號產品，主要應用以工業及車用為主，少部分為消費類產品。法人預估，世界先進12英寸廠2027年試產，2029年就將開始貢獻利潤，其技術有臺積電的支持，市場看好其長期運營展望。

33、投資5億元，艾佩科半導體預計10月試生產

近日，據如東發布消息，艾佩科半導體半導體前驅體材料及高純電子特氣生產項目預計10月份試生產。

目前南通艾佩科半導體前驅體材料及高純電子特氣生產項目整體建筑已初具規模。南通艾佩科半導體材料有限公司總經理劉璧介紹：“目前項目15個建筑單體已經全部封頂，正在進行室外管網、道路硬化、消防管網等施工，預計10月份基本完工，投入試生產。”

南通艾佩科半導體前驅體材料及高純電子特氣生產項目由南通艾佩科半導體材料有限公司投資5億元建設，于去年12月初開始施工。該公司是一家專注于電子行業用特種氣體、電子化學品及相關配套服務的企業，產品涵蓋了半導體前驅體、高純電子氣體、大宗氣體等多個領域。其生產的硅烷、磷烷混合氣等產品純度可達到6N級別，填補了國內空白，為中國的半導體、軍工行業發展作出貢獻。

34、芯盟高等級功率半導體廠房項目加速推進，預計明年1月竣工

8月30日，芯盟高等級功率半導體廠房項目施工現場，呈現出一派繁忙而有序的建設熱潮。高聳的塔吊在空中揮舞著鋼鐵巨臂，各式施工機械轟鳴不斷，140余名建設者正揮汗如雨，在各自的崗位上緊鑼密鼓地作業，共同繪制出一幅熱火朝天的建設畫卷。

據千葉集團房建部負責人姜樹軍介紹，芯盟高等級功率半導體廠房項目自今年2月正式破土動工以來，始終保持著高效推進的態勢。經過半年多的不懈努力，項目已順利完成主體結構封頂這一重要里程碑，標志著項目建設進入了全新的階段——即將全面展開磚塊砌筑及二次結構內外粉刷工作。該項目占地面積廣闊，建筑面積約2萬多平方米，總建筑面積更是接近3萬平方米，是地區內重點推進的高科技產業項目之一。其建成后，將進一步提升我國在高等級功率半導體領域的研發與生產能力，對促進區域經濟發展、推動產業升級具有重要意義。

35、總投資1.5億美元！韓國（株）ASFLOW半導體設備超潔凈模塊及系統集成項目簽約

9月3日，韓國（株）ASFLOW半導體設備超潔凈模塊及系統集成項目簽約儀式舉行。項目總投資1.5億美元，是張家港市鳳凰鎮近十年來對韓招商單體投資量最大的項目。

韓國（株）ASFLOW是韓國科斯達克上市企業，是超潔凈不銹鋼管精密部件、半導體領域的全球頭部企業。此次簽約的半導體設備超潔凈模塊及系統集成項目，總投資1.5億美元，主要生產超潔凈EP管道、閥門、調節器及系統集成模塊，是半導體廠務端與設備端用的關鍵核心零部件。一期項目投產5年內預計年銷售可達8億元，項目全部達產后預計年銷售可達15億元。

36、萃錦半導體籌建功率半導體中后道特色工藝生產基地近日據“寧波股權交易中心”消息，浙江萃錦半導體有限公司正在籌劃建設面積4.2萬平方米的功率芯片制造廠房，打造功率半導體中后道特色工藝（FSM + BGBM）生產基地。

該項目投產后，將極大提升其生產能力和品牌影響力據介紹，萃錦半導體已擁有海外成熟量產的碳化硅代工廠，每月可提供1000片以上的MOSFET，通過寧波工廠的功率芯片晶圓中后道特色工藝線，可將碳化硅MOSFET的月產能提升至3000片。

資料顯示，萃錦半導體以Smart IDM模式，專注于新一代功率半導體的芯片設計、器件研發、生產、銷售和應用服務。該公司在寧波和上海設立雙總部，負責芯片設計和研發，在寧波慈溪高新區建立生產基地，主要用于生產制造超薄芯片、開展芯片測試等，同時還在深圳和西安等地建設了銷售和應用中心。萃錦半導體敏銳捕捉到前沿機遇，主動發揮人才、技術、資源等方面優勢，為算力、儲能、風電、工業驅動、新能源汽車等領域提供功能和可靠性對標國際一線品牌的功率半導體產品，主要包括600v—2000v電壓平臺的第三代半導體碳化硅SiC MOSFET 和模塊，硅基超結SJ MOS、IGBT分立器件和模塊、新型合封功率芯片和板級系統方案等。

37、總投資15億元，先進封裝載板項目簽約桐鄉

9月2日上午，在“招商突破年、變革創新年、環境提升年”月度工作推進活動上，總投資99億元的40個優質產業項目集中簽約，項目涵蓋智能汽車、新材料、高端裝備制造等多個領域。其中，計劃總投資15億元的先進封裝載板項目將融杭經濟區洲泉鎮作為了夢想啟航地。

桐鄉發布消息指出，簽約現場，先進封裝載板項目負責人介紹，該項目將由BT載板切入，通過與國內研究機構合作，創新研發不對稱載板專利技術，加速實現高階封裝載板與先進材料的國產替代。該負責人表示，項目主要通過整合ABF材料生產與載板生產，實現集成電路載板國產產業化。

38、總投資3.95億元，蘇州華旃航天電器新項目投產

8月30日，蘇州華旃航天電器有限公司新基建連接器產業化項目在蘇州高新區投產，加碼深耕新能源、商業航天等新興領域，年新增營業收入12億元。

蘇州華旃航天電器有限公司成立于2005年，位于江蘇省蘇州高新區，屬于航天科工所屬航天江南集團麾下貴州航天電器股份有限公司的控股子公司。其官微顯示，公司梳理形成了軍工、通訊、石油、汽車、新能源、半導體、醫療七大產業領域以及射頻、電源、高速、低頻、熱管理、高溫高壓、特種七大專業方向。

此次投產的項目將提升蘇州華旃在新能源、工業大數據、智能網聯、商業航天等重點領域的技術及生產領先地位。項目新建廠房面積約4萬平方米，預計新增年產能3976萬套，新增營業收入約12億元。項目總投資3.95億元，新建廠房面積約4萬平米，擬建設新產線9條，預計新增年產能3976.2萬套，將有力鞏固并提升蘇州華旃在新能源、新一代信息技術、工業大數據、智能網聯、商業航天等重點領域的技術及生產領先地位。

39、投資近10億元，眾芯半導體半導體光電和功率器件IDM項目有望年底投產！

據寧波前灣新區發布消息顯示，寧波眾芯半導體有限公司半導體光電和功率器件IDM項目工程正在收尾，為月底通線做準備，預計年底可以小批量生產。

寧波眾芯半導體有限公司負責人張海濤表示，這些廠房屬于寧波眾芯半導體有限公司，總建筑面積8.6萬平方米。作為投資近十億元的項目，企業從注冊成立、啟動建設到即將投入使用，只花了兩年多時間。“工程正在收尾，為月底通線做準備，預計年底可以小批量生產。計劃明年產能逐步爬坡至月產芯片3萬片，最終滿產可達6萬片，逐漸成為國內市場領先的光電器件生產供應商。

寧波前灣新區發布消息顯示，該項目是前灣新區引進的第一個晶圓制造類項目，總投資9.8億，采用芯片設計、晶圓制造、封裝測試為一體的IDM（垂直整合）模式，主要建設6萬片/月的6英寸硅基晶圓生產線和7000萬顆/月的SOT、IPM、PDFN、TO封裝測試產線。

寧波眾芯半導體有限公司成立于2022年，是一家專注于光電器件和特色器件的半導體芯片設計研發、晶圓制造和封裝測試垂直一體化的IDM芯片公司，產品涵蓋高速光耦、高壓光耦、光繼電器、光驅動電路、FRDMOS等半導體器件，廣泛應用于節能、綠色照明、風力發電、智能電網、混合動力/電動汽車、儀器儀表等領域。

40、總投資50億，先導科技半導體激光雷達及傳感器件產業化項目開工！

8月31日，2024年秋季山東省高質量發展重大項目建設現場推進會舉行，德州分會場設置在半導體激光雷達及傳感器件產業化項目現場。

由先導科技集團投資的半導體激光雷達及傳感器件產業化項目開工儀式正式舉行。半導體激光雷達及傳感器件產業化項目總建筑面積25萬平方米，擬建設廠房、辦公配套及附屬設施等。項目建成后,預計年產激光雷達約100萬臺、傳感器件約4.5億個、發射器件0.5億個、接收器件0.5億個、模組約215萬套,預計年銷售收入80億元,年稅收不低于2億～3億元,帶動就業2000余人。

投資方先導科技集團是一家專業從事稀散金屬及高端材料研發生產的高新技術企業，產品廣泛應用于半導體、微電子、光通訊等領域。對于德州集成電路產業來說，先導激光雷達項目建設，既能夠為現有威訊、有研、英望手機、恒芯電子等企業提供配套服務，還讓德州形成從外延、芯片制造、封裝測試、器件模組到終端應用更加完善的產業生態，彌補了全市第二代半導體、特別是制造環節的空白。

41、總投資10億元，海信乾照江西半導體基地項目投產

8月30日，海信乾照半導體項目投產活動舉行。海信乾照江西半導體基地項目落戶在南昌市新建經開區，總投資10億元，于2023年8月簽約，至2024年6月25日，不到一年時間，已完成全部設備的搬遷和新增設備的采購，并實現全面投產。

海信乾照江西半導體基地是海信布局的重要板塊，將主要生產RGB顯示紅光芯片、MiniLED以及高端LED等產品，項目落地將為海信乾照實現產品擴容增效，也將促進其砷化鎵系列、氮化鎵系列產品進行全面產業升級。

據悉，江西乾照半導體公司主要產品為砷化鎵體系LED芯片、太陽能電池、VCSEL等，應用場景覆蓋顯示、車載、植物照明、空間太陽能、光通信等領域。據悉，投產后半導體公司砷化鎵系列產品將實現年產超800萬片。2024年，整個南昌基地年產值有望突破10億元。

海信集團控股股份有限公司擁有海信視像、海信家電、三電控股、乾照光電等上市公司，旗下有海信、東芝電視、容聲、gorenje、ASKO等多個品牌。海信旗下的乾照光電公司總部位于廈門，產業基地分布在廈門、揚州、南昌，是國內領先的全色系超高亮度發光二極管外延片及芯片生產廠商。去年1月，海信視像科技公司成為乾照公司控股股東，也是海信視像縱深布局顯示產業鏈，加快Mini LED、Micro LED等新技術研發和產品推廣的成果，是整合發展Mini/Micro LED業務的核心環節。

42、博洋微電子年產10萬噸超高純濕電子化學品項目試生產

8月27日，博洋微電子（銅陵）公司建設的年產10萬噸超高純濕電子化學品項目正在進行竣工前的“掃尾”施工。目前，該項目已進入試生產階段，預計10月正式投產。

該項目位于銅陵經開區西部園區，該項目總投資10.5億元，建筑面積約40000平方米，包括新建辦公樓、車間、倉庫等。項目建成后，將形成年產10萬噸超高純濕電子化學品的生產能力，產品廣泛應用于半導體、液晶顯示、光伏太陽能等行業，滿足國內外市場對高端電子化學品的需求，進一步優化我市產業結構，提升產業鏈水平；同時，帶動上下游產業發展，創造更多就業機會。

博洋微電子董事長王國洪告訴記者，在試生產階段，公司團隊秉持嚴格管理、認真排查的態度，確保各項工藝流程穩定運行、產品質量符合高標準要求。“項目的成功推進，得益于銅陵經開區的大力支持和良好的營商環境。相關部門還幫助我們協調解決前期及建設過程中遇到的問題和困難，助力項目加快建設投產。”

43、半導體產業生產制造基地項目將落戶長安

8月30日，長安區與河南弘利芯能科技有限公司舉行戰略合作簽約儀式，計劃在長安投資建設長安區半導體產業生產制造基地項目，將形成數十億級產業集群。

未來，雙方將進一步深化合作共識、完善對接機制、暢通溝通渠道，確保合作項目早日落地、達產、見效。長安區將著力打造“情同此心，如我在辦”營商環境品牌，持續優化政務環境、政策環境、要素環境、法治環境、政商環境，盡心盡力為企業提供“保姆式”“跟蹤式”服務，助力企業高質量發展。

44、一氮化硅陶瓷基板項目順利通過河北省評審驗收

8月29日，臨城縣高富氮化硅材料有限公司“芯片封裝高導熱氮化硅陶瓷基板項目”順利通過河北省第一批工業領域關鍵核心技術和產品“揭榜掛帥”項目評審驗收。

河北省工業領域關鍵核心技術和產品“揭榜掛帥”工作于2023年9月啟動，是由省政府組織面向全社會開放征集科技創新成果的一種非周期性科研資助安排，有利于調動全社會科研創新積極性，實現對關鍵核心技術的攻關。第一批共確定26項攻關項目及21家揭榜主體，由該縣高富氮化硅材料有限公司報送的“芯片封裝高導熱氮化硅陶瓷基板項目”是邢臺市唯一上榜項目。

據報道，該項目通過研究流延工藝和燒結技術，制備出芯片封裝高導熱氮化硅陶瓷基板，采用氣壓燒結后續熱處理的燒結技術，增大氮化硅β相晶粒的長徑比，提升了氮化硅陶瓷基板的熱導率。該項目已形成年產10萬片的生產能力，項目實施期間實現相關產品銷售收入超過100萬元。項目為芯片封裝行業提供了堅實的基礎，推動了河北省氮化硅陶瓷基板產業向高技術、高附加值方向發展，促進省內相關產業結構優化升級。

45、投資超3億元，百斯特電子中山總部項目動工！

9月1日，位于火炬高新區民眾街道深中合作創新區的深圳市百斯特電子有限公司（下稱：百斯特電子）中山智能制造總部項目舉行奠基動工儀式，項目投資超3億元，達產后預計年產量36億支電感器，年新增產值3億元、稅收1200萬元。

該項目地塊面積14.3268畝，計劃建設3.3萬平方米高標準現代化廠房，為集電感、可調電阻、電位器、編碼器、連接器等產品研發、制造和銷售的總部基地。

百斯特電子成立于1999年，是一家專業從事電感器、可調電阻、電位器、編碼器、連接器的研發、制造、銷售和服務于一體的生產廠商，是國家高新技術企業、深圳市專精特新企業，是廣東省唯一一家生產3296、3362系列精密電位器的廠家。公司商標“精密龍”“JML”獲得全國知名電位器十佳名優品牌稱號。百斯特電子產品廣泛應用于家電、安防、電源、儀器儀表、電工電氣、金融機具、通信基站、3C數碼、醫療電子、汽車電子、人工智能、機器人等領域。