9月12日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡稱“新微半導(dǎo)體”）850nm 10G VCSEL工藝平臺發(fā)布。該工藝平臺以其獨特的850nm波長，實現(xiàn)了10Gbps的高速數(shù)據(jù)傳輸能力。其采用先進(jìn)的氧化物隔離技術(shù)，具有高可靠性、高數(shù)據(jù)速率和低閾值等長足優(yōu)勢，非常適合短距離光互連應(yīng)用,可廣泛運用于光傳輸、HDMI、激光雷達(dá)和數(shù)據(jù)中心等廣闊的場景。 

該工藝平臺采用先進(jìn)的外延和制造工藝，確保了生產(chǎn)的芯片可以在高溫環(huán)境下穩(wěn)定的工作和保持優(yōu)異的光束質(zhì)量，滿足了客戶高標(biāo)準(zhǔn)的性能要求。10G 850nm VCSEL工藝平臺代工產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的性能：驅(qū)動電流僅為6mA，輸出功率高達(dá)2.4mW，波長穩(wěn)定性強(qiáng)，3dB帶寬大于12GHz。這些特性使得該平臺代工芯片非常適用于TO封裝及非氣密的COB封裝，為光通信模塊的多樣化設(shè)計提供了堅實的基礎(chǔ)。在可靠性方面，該工藝平臺已經(jīng)通過2000小時的加速老化可靠性認(rèn)證，等效于全天工作的條件下壽命遠(yuǎn)大于20年，不僅滿足了高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨螅瑫r也保證了傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。 

特別值得一提的是，850nm 10G VCSEL工藝平臺的面發(fā)射特性，使得激光垂直于產(chǎn)品頂面射出，這一結(jié)構(gòu)優(yōu)勢更易于實現(xiàn)二維平面和光電集成，為構(gòu)建大規(guī)模光電子集成電路提供了可能。此外，VCSEL的圓形光束和低發(fā)散角，進(jìn)一步提高了與光纖的有效耦合效率，助力通信系統(tǒng)的整體性能提升。

850nm 10G VCSEL光電特性參數(shù)

850nm 10G VCSEL LIV曲線圖

850nm 10G VCSEL工藝平臺產(chǎn)品

新微半導(dǎo)體擁有國際主流4吋、6吋GaAs VCSEL晶圓代工生產(chǎn)線，提供包括850nm 10G VCSEL在內(nèi)的豐富的VCSEL工藝平臺，可為客戶提供從芯片制造、芯片切割分選和芯片測試的全流程代工服務(wù)。 

850nm 10G VCSEL工藝平臺的推出，滿足了市場對于高速光通信產(chǎn)品代工的需求，隨著5G、云計算、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)等新一輪技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用，用戶對光通信網(wǎng)絡(luò)的帶寬提出了更高的要求，光電行業(yè)市場迎來了新的增長機(jī)遇，驅(qū)動光電行業(yè)向高速率化和集成化方向發(fā)展。新微半導(dǎo)體將抓住機(jī)遇，不斷拓展和制定更多的從外延到制造的代工解決方案，滿足不同客戶的需求，并為行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)一份力量。

 （來源：新微半導(dǎo)體）