江蘇第三代半導(dǎo)體研究院應(yīng)用高質(zhì)量同質(zhì)外延技術(shù)，在攻克再生長(zhǎng)界面問題、晶體質(zhì)量再提升、外延材料均勻性等方面做了大量的技術(shù)攻關(guān)，不斷深挖和優(yōu)化顯示應(yīng)用Micro-LED外延結(jié)構(gòu)。
近期，南方科技大學(xué)劉召軍教授團(tuán)隊(duì)在“超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”支持下，與王國(guó)斌博士團(tuán)隊(duì)合作，在超高性能同質(zhì)外延Micro-LED取得新突破。通過零應(yīng)力工程技術(shù)開發(fā)低極化效應(yīng)同質(zhì)外延片，制造的相關(guān)器件和AR/MR顯示模組，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)越的單色性和波長(zhǎng)穩(wěn)定性，并在高電流密度下表現(xiàn)出優(yōu)越的發(fā)光特性。
隨著材料科學(xué)和器件設(shè)計(jì)的不斷進(jìn)步，同質(zhì)外延Micro-LED有望在提高亮度、降低功耗和擴(kuò)展色域等方面取得更大突破。 “超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”研發(fā)成果以《Ultra-low-defect homoepitaxial micro-LEDs with enhanced efficiency and monochromaticity for high-PPI AR/MR displays》為題發(fā)表于今年8月《PhotoniX》
江蘇第三代半導(dǎo)體研究院材料生長(zhǎng)創(chuàng)新平臺(tái)，面向產(chǎn)業(yè)需求，聚焦關(guān)鍵共性技術(shù)，著力布局同質(zhì)外延技術(shù)，深入開展Micro-LED和激光器，電力電子，微波射頻材料和器件技術(shù)攻關(guān)。研究院積極參與國(guó)家科技部、省科技廳、基礎(chǔ)研究計(jì)劃自然科學(xué)基金等“新型顯示與戰(zhàn)略電子材料”、“面向顯示與通信融合應(yīng)用”等課題，在GaN 同質(zhì)藍(lán)綠光 Micro-LED 外延片及芯片工藝、GaNMicro-LED 結(jié)構(gòu)外延及器件制備獲得系列研究成果。
研究院與深圳市思坦科技有限公司共建超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心，共同解決Micro-LED器件開發(fā)的核心材料、芯片工藝等關(guān)鍵科學(xué)和共性技術(shù)問題，成功開發(fā)出藍(lán)、綠Micro-LED器件，單顆像素尺寸≤2μm。項(xiàng)目還創(chuàng)新性地采用微納加工技術(shù)提升器件的光電性能。“1+N+X”協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)合共建模式進(jìn)一步推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
發(fā)表于：PhotoniX
論文鏈接：https://photonix.springeropen.com/articles/10.1186/s43074-024-00137-4
文獻(xiàn)檢索：PhotoniX 5, 23 (2024). https://doi.org/10.1186/s43074-024-00137-4
