天眼查知識產權信息顯示，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法“，公開號 CN202410623592.6，申請日期為 2024 年 5 月。
專利摘要顯示，一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法。涉及半導體技術領域。包括如下步驟：S100，在碳化硅襯底上外延生長形成碳化硅漂移層；S200，在碳化硅漂移層源區形成 N+區；S300，在碳化硅漂移層形成 PW 區；S400，在 PW 區形成 Spacer 層，通過離子注入形成 NP 區；S500，在 PW 區形成 PP 區；S600，在碳化硅漂移層形成 JFET 區；S700，在碳化硅漂移層頂面形成柵氧層；S800，在柵氧層上通過沉積多晶硅形成 Poly 層，作為柵電極引出；S900，在 Poly 層上通過沉積形成與 Poly 層和 NP 區相接觸的隔離介質層，隔絕柵極和源級，避免兩處短接；本發明降低器件電阻，提高器件通流能力，降低了器件發生雙極退化的可能性。
