天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，華羿微電子股份有限公司取得一項名為“一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法“，授權(quán)公告號 CN118248736B，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件，通過在器件有源區(qū)中間隔錯位或者平行排列而形成溝槽寬度和接觸孔寬度的不同版圖布局，該布局是通過光刻的方式在器件有源區(qū)中間隔錯位或者平行排列形成溝槽和接觸孔不同寬度，使得該區(qū)域擁有更窄的溝槽到接觸孔距離，從而在接觸孔注入后形成該區(qū)域與其他區(qū)域不同的濃度梯度，實現(xiàn)在器件導通時其他區(qū)域優(yōu)先開啟而該區(qū)域延遲開啟，最終在其他區(qū)域優(yōu)先開啟的情況下，該區(qū)域可以作為散熱場板從而提升器件整體的 SOA。本發(fā)明還提供了一種上述器件的制備方法，該器件的制備方法與一般功率器件制造工藝兼容，能夠應(yīng)用于平面型以及溝槽型和屏蔽柵型 MOSFET 甚至超結(jié) MOSFET 和 IGBT 等功率器件當中。