中國電子材料行業協會官微消息，在西部科學城，總投資約300億元的三安意法半導體項目進入收尾階段，其中，8英寸SiC襯底廠預計本月投產，比原計劃提前2個月。據了解，三安意法半導體項目包含建設一座8英寸SiC晶圓廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠，預計總投資約300億元人民幣，將整合8英寸車規級SiC襯底、外延、芯片的研發與制造。