近日，全球最大8英寸碳化硅（SiC）晶圓廠啟動。

功率半導體大廠英飛凌8月8日宣布，在馬來西亞投資20億歐元的新工廠一期項目正式啟動運營，將重點生產碳化硅功率半導體，并涵蓋氮化鎵外延的生產。

位于居林的英飛凌碳化硅功率半導體晶圓廠

（圖源：英飛凌官微）

據悉，新工廠二期項目投資額高達50億歐元，建設完成后該工廠將成為全球最大且最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅功率半導體晶圓廠，進一步鞏固和增強英飛凌作為全球功率半導體領導者的地位。

實際上，近段時間來，以SiC和GaN為代表的第三代半導體領域正在呈現出激烈競爭態勢，包括英飛凌、意法半導體、安森美、羅姆等在內的海外頭部廠商，都在加緊升級工藝，提高產能及生產率，并積極尋求更多長期合作伙伴，建立更為完全的產業鏈；國內廠商也在奮起直追，抓緊窗口機遇期搶占市場，增資擴產步伐加快。

據Yole Group數據統計，預計到2029年，SiC市場容量將達到100億美元，除了汽車之外，工業、能源和鐵路應用現在也提供了額外的增長動力。

在巨大增量市場的吸引下，第三代半導體產業欣欣向榮，八方入局，搶奪市場競賽重要位置。2024年以來，行業延續了前幾年的火熱態勢，企業圍繞技術研發、產能建設、簽單合作等方面都在積極推進當中，不斷為產業發展注入新動力。

SiC競爭，陷入白熱化

隨著英飛源馬來西亞工廠的正式啟用投產，該生產基地或將幫助其實現在2030年前擁有全球30%碳化硅市場份額的目標。

據報道，正在持續擴建的英飛凌居林工廠第三廠區已經獲得了總價值約50億歐元的設計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預付款。能看到，英飛凌正在加強在碳化硅和氮化鎵等領域的技術領先優勢。

與此同時，行業其它廠商也正在以各種方式，拼命擴大產能，促進供應鏈合作。

例如，Wolfspeed的Building 10 Materials工廠已實現其8英寸晶圓的生產目標，預計到2024年底，其莫霍克谷SiC晶圓廠可借此將晶圓開工利用率提升至約25%；

意法半導體目前在全球SiC MOSFET市場份額已超50%，并指出今后三年在SiC領域有三個工作重點：1）將生產線升級到8英寸晶圓；2）落實SiC供應鏈垂直整合策略，包括正在卡塔尼亞(Catania)工廠建造的碳化硅襯底綜合廠，將SiC襯底內部供應量占比提升到40%；3）與Soitec合作在8英寸晶圓上采用SmartSiC技術。今年6月，意法半導體宣布與吉利汽車集團雙方簽署SiC器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。

羅姆在SiC市場的銷售目標是在2025年度大于1100億日元銷售額，預計2024-2026三個年度，有近9000億日元的市場待開拓。為了實現這樣的目標，羅姆正不斷進行SiC方面的投資，預計2021-2025這五年投入1700-2200億日元。

安森美近日也在大手筆提升產能，計劃通過一項高達20億美元的多年期投資來擴大SiC生產。通過本次投資擴建在捷克的工廠，安森美將能夠更好地為全球客戶供應SiC產品，目標是到2027年占據全球汽車SiC芯片市場40%的份額。而在2023年10月，安森美位于韓國富川的先進SiC超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片8英寸SiC晶圓。安森美富川SiC生產線目前主力生產6英寸SiC晶圓，在2025年完成8英寸SiC工藝驗證后，將轉為生產8英寸晶圓。

不僅國際巨頭“跑馬圈地”，國內企業也不甘落后，紛紛布局碳化硅市場，擴張產能、向8英寸邁進，試圖以國產替代爭奪市場份額，以及提升產品的價值量或出貨量等。

能看到，為滿足SiC不斷增長的市場需求、提升公司競爭力，產業鏈相關廠商在投資擴產方面動作頻頻。

國產SiC，實力與差距“并存”

從行業整體競爭格局來看，美國、歐洲和日本企業是SiC行業的領先者。據集邦咨詢統計，僅意法半導體、安森美、英飛凌、Wolfspeed、羅姆五家，2023年的SiC MOSFET器件營收的市占率就達到了91.9%，同時創造了創紀錄的收入。

我國第三代半導體的市場份額遠小于海外其他廠商，市場認可度相對較低，導致在產品被應用市場選擇時經常處于被動的備選地位。

從產業鏈結構來看，SiC主要包括襯底、外延、器件設計、晶圓制造、模塊封裝等環節，其中襯底和外延合計占據SiC產品整體成本的70%以上，是決定器件品質的關鍵；器件制造約占19%。

可謂，得SiC襯底和外延者得天下。

目前國內SiC襯底玩家非常多。其中，天岳先進和天科合達兩家公司襯底在全球合計份額達到15%，2023年底從產能看兩家都位列全球前三，擴產速度快，2024年有望進一步坐實全球龍頭地位。 此外，三安光電、露笑科技、東尼電子、爍科晶體、科友半導體、河北同光等公司未來均有相關擴產計劃。

據估算，2023年我國6英寸SiC襯底產能占全球產能的42%，預計2026年將提升至50%左右。

國內6英寸SiC襯底產能不完全統計

（圖源：電子工程世界）

對于國產SiC當前的發展現狀與差距，北京三安陳東坡認為，現在國內SiC襯底和外延技術發展已相對較好，跟全球大廠的水平基本接近。

這一點其實從業內廠商的動態中也能看到跡象。比如，一些國際碳化硅大廠也開始選擇中國的襯底材料，作為其長期供應商。其中，英飛凌為滿足市場對SiC器件持續增長的需求，積極尋求與中國的SiC襯底企業合作，天岳先進和天科合達等已被納入其供應鏈；去年4月博世與天岳先進簽署長期協議；

實際上，除了天岳先進和天科合達外，還有多家中國SiC襯底和外延廠商的產品已經被國際器件廠商所采用。

此外，三安光電、意法半導體也在聯手布局，雙方去年6月宣布在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠，該項目總規劃投資約300億元人民幣，項目達產后將建成全國首條8英寸SiC襯底和晶圓制造線，具備年產48萬片8英寸SiC襯底、車規級MOSFET功率芯片的制造能力，將有力推動中國第三代化合物半導體產業的新升級。

這一系列舉措都在說明，國際大廠對中國襯底廠商的生產工藝、原材料品質和襯底質量已經表示認同，通過加強與國際大廠的合作，可以為中國廠商提供更多的市場機會和技術支持，共同開發新產品、新技術，提高產品的國際競爭力。

SiC外延片環節，目前國內相關外延廠商東莞天域、瀚天天成、三安光電、露笑科技等均已實現產業化，中電科13所/55所、希科半導體等廠商也能供應外延片，不過當前產能仍有較大提升空間，這些廠商未來一兩年內將有許多產能即將釋放。

國內外SiC外延對比

（圖源：東吳證券）

有業內人士指出，隨著國產SiC襯底材料廠商的發展，國外SiC廠商感受到了一定的危機。例如全球SiC襯底和外延片市場翹楚的Wolfspeed，近年來正在遭受巨大沖擊。

在設備環節，目前SiC器件產線國產設備開始連點成線，已逐步形成從設備、材料、器件到應用的全生態產業鏈，再加上政策推動，有助于進一步推動產業鏈關鍵設備的自主可控、安全可靠。

國產SiC，陷入“內卷”困局

近年來，隨著天科合達、天岳先進、瀚天天成、三安光電等中國制造商的出現和快速發展，國產襯底材料的進步十分明顯，SiC晶圓和外延片的生產競爭越來越激烈。但在享受高歌猛進的快感時，也需冷靜面對現實問題。

由于大陸SiC產能的持續擴大，SiC襯底的價格下滑速度遠超過市場擴張的速度。據業內人士披露，近幾個月來國內襯底供應商已將價格下調達30%-40%。

同時，為應對來自中國競爭對手的日益激烈的競爭，歐美SiC襯底供應商對亞洲客戶也在小幅下調價格。

有從業者擔心，由于國內在SiC長晶、襯底等領域的廠商眾多，如果有人率先掀起降價模式，恐怕將會迫使越來越多廠商跟進，進而引發SiC襯底的價格戰，陷入“內卷”困局。

對此，陳東坡在接受筆者采訪時表示，襯底降價有多方面原因：

首先，汽車是SiC最主要的應用市場之一，今年主要車廠都面臨極大的降本壓力，這個壓力也會傳導到SiC產業鏈，進而傳導到成本占比最大的上游襯底與外延等環節。

其次，價格下降的原因與之前建設的產能陸續投產也有關系。這幾年SiC投資強度一直不低，據不完全統計，2023年國內有近40項SiC相關擴產項目啟動。在這些項目當中，甚至有不少投資數十億甚至上百億的大手筆。

隨著新布局產能的陸續投產，以及近期下游汽車市場需求的回落，終端用戶的訂單無法充分消化產能，國內SiC襯底的價格迅速下降也不算意外。

另外，陳東坡還指出，業內也不排除一些二、三線SiC廠商想要通過“價格戰”的方式，以價換量來獲取更高的市場份額。

還有觀點表示，國內SiC價格戰之所以更兇，也是因為國內市場更卷，同質化帶來的低端內卷，是引發價格戰的關鍵原因之一。

有業內人士表示，惡意降價并不符合當下行業發展規律。對于SiC行業新進入者來說，現階段制約行業發展的因素有兩方面，一個是產能跟不上；另一個是良率無法提升，這也導致中小廠商在面對頭部大廠商競爭時，通過降價的方式，換取市場份額；相反，對于已經接入英飛凌、博世等全球頭部SiC上游廠商來說，穩定的產品性能以及批量供應能力，才是立足市場的根本，而并非通過降價的手段，“出清”市場跟隨者。

國產SiC上車難，何解？

雖然國內市場在中低端產品存在產能過剩風險和內卷現象，但國產SiC功率器件真正有效產出、達到高質量標準的產品還不多。

上文提到，目前SiC MOSFET器件市場90%以上份額被歐美大廠占據。近年來，隨著新能源汽車滲透率穩步抬升的同時，頭部車企對于SiC功率半導體試水的速度、廣度和深度不斷推進，SiC上車的呼聲越來越高。

據TrendForce集邦咨詢預計，2026年SiC功率元件市場規?？赏_53.3億美元，其中車用SiC功率元件市場規模將攀升至39.4億美元。

目前大部分的汽車市場份額以國際品牌為主，包括Wolfspeed、意法半導體、安森美、英飛凌等。同時，國外車企已與全球領先的SiC芯片企業實現了產能綁定。尤其是在新能源汽車主驅上，目前基本上沒有使用國產SiC器件。如果不能進入主驅，未來會失去很大的市場。

針對目前國產SiC器件的上車進展，有不少下游廠商反饋，車企正在加速導入國產SiC產品，上下游廠商持續合作以共同改善良率，希望構建本土供應鏈。

其中，SiC二極管產品已經相對成熟，SiC MOSFET單管也已在OBC和DC-DC等應用中開始驗證測試和小批量生產。在量產上車方面，國內SiC廠商已經開始嶄露頭角。但針對市場規模最大的、投資者更看重的主逆變器領域還略顯乏力。陳東坡對此表示，因為主逆變器關系到整車和人員的安全，對SiC MOSFET的性能、可靠性和車規測試等方面要求極高，國內很多車規級SiC MOSFET器件還在驗證過程中，能滿足車規級要求的占比不高，還存在技術和工程化方面的挑戰亟待克服。

因此，本土企業在積極發展過程中要提升差異化優勢，與實際市場需求相結合，避免產能盲目擴張，避免中低端SiC功率半導體的產能過剩風險和內卷現象。

國產SiC廠商如何破局

不難理解，卷的結果是大家大打價格戰，誰都掙不到錢。

那么，在當下格局和形勢下，國產廠商究竟應該如何破局？

事實上，目前國產SiC上車的占比還較低，往往是作為“備胎”的角色，并且對于SiC廠商來說，單純追求價格競爭而忽視產品質量和可靠性是一個危險的趨勢。卷價格的最終結果是一損俱損，尤其是在涉及人命安全的應用場景中，任何一絲的質量問題都可能導致嚴重的后果。

作為國內SiC廠商，真正應該“卷”的是上車應用，將更多精力聚焦在產品質量和長期可靠性等方面：

提升產品質量和可靠性：這是最基本也是最重要的，國內SiC廠商應該投入更多研發資源，改進生產工藝，確保產品性能穩定可靠。同時，也應該建立完善的質量檢測體系，確保每一批產品都符合標準。

加強上車驗證：廠商應積極與汽車制造商合作，爭取更多的上車驗證機會，通過實際應用來驗證產品的性能和質量。尤其是要加快主驅芯片可靠性驗證工作，目前SiC最大的應用場景就是新能源汽車的電驅部分，而電驅對芯片的可靠性要求極高，一般對芯片的驗證周期在一年半以上，因此需要盡量抓住時間窗口，盡快通過可靠性驗證工作。

拓展應用領域：雖然新能源汽車是SiC的主要應用領域，但并不意味著其他領域就沒有機會。例如，光伏儲能、工業、低空經濟等都是非常有潛力的領域。廠商可以根據不同領域的需求，開發適合的產品，拓展應用領域。

加強國際合作：與國際大廠合作，不僅可以學習到先進的生產工藝和管理經驗，還可借助他們的渠道和資源拓展國際市場；也可以通過合作共同推動碳化硅產業的發展。

加快行業人才培養：以SiC為代表的第三代半導體是一個非常新興的行業，國內外相關人才都非常稀缺，必須加快自身人才的培養，這也是行業可持續發展的關鍵。

提高品牌影響力：通過優質的產品和服務提升品牌影響力，讓更多的用戶了解和信任國產SiC器件。這不僅可以提高產品的市場占有率，還可以為廠商帶來更多的商業機會。

8英寸，SiC競爭新焦點

成本是把雙刃劍，SiC行業的規?；l展需要降低成本，但也要防止被一味地追求低價所反噬。

在當前“價格戰”背景下，因為價格下探幅度較大，國內襯底廠商基本已無利可圖，價格競爭已達極限。同時，國內廠商在持續研發、建廠投入等方面又耗資巨大，導致經營性收入虧損嚴重，這并不是一個良性可持續的發展方式。

對此，向更大襯底尺寸演進成為“天下群雄”踴躍進軍的技術路徑。

從當前來看，6英寸晶圓占據SiC市場主流，8英寸正處于大規模產能釋放階段。據業界人士預計，從2026年至2027年開始，現在的6英寸SiC產品都將被8英寸產品替代。

襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數量越多，單位芯片成本就越低。同時，襯底的尺寸越大，邊緣的浪費就越小，據Wolfspeed統計，6英寸SiC晶圓中邊緣芯片占比有14%，而到8英寸中占比降低到7%。

據測算，SiC晶圓從6英寸擴大到8英寸，SiC芯片產量可增加90%，在8英寸晶圓上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，這有利于進一步降低芯片成本，進一步加速SiC的大規模應用。

從行業進展來看，英飛凌、Wolfspeed、安森美、意法半導體、羅姆等大廠早早“卷”進了8英寸SiC賽場。據“行家說三代半”調研發現，截至2024年4月，全球已有20家企業正在或計劃推進8英寸SiC晶圓產線建設，其中有8個項目落地中國。

圖源：行家說三代半

雖然國內尺寸迭代較海外廠商略慢一籌，但近年來發展提速明顯，不少本土廠商掌握了8英寸SiC襯底制備技術，但基本都還處于驗證階段，尚未實現量產或僅小規模量產。

根據最新規劃，在未來幾年內將有更多國內外廠商的8英寸SiC晶圓達產。

另一方面，提升良率也是降低成本的關鍵，同時也是SiC繼續大規模鋪開的關鍵。提升良率一方面依賴技術創新與技術沉淀，另一方面，在擴大產能之下，可以通過學習曲線和規模優勢，達到快速降低平均成本的目的。所以目前各大SiC企業積極擴產，一方面可以擴大市場份額，另一方面也可以提升良率，從而將價格下探。

寫在最后

總的來看，SiC市場是異?；馃岬?，2024年是關鍵的一年，也是卷上加卷的一年。

雖然市場產銷兩旺，但我國SiC產業仍處于相對早期階段，國內外產業模式的差異，技術差距、設備挑戰以及國內SiC中低端“互卷”等問題，都是擺在眼前的難題。

隨著SiC逐漸進入全面的產能和價格拼殺階段，對這個市場話語權與附加值的爭奪和追趕，還遠遠沒到結束的時候。對于國產SiC產業而言，如何降低成本、穩定質量、提升良率，都將成為大規模應用落地和應對行業競爭的關鍵。