在中美技術競爭加劇的背景下，中國香港正建立首條新一代半導體材料氮化鎵（GaN）晶圓生產線，力爭在全球芯片行業站穩腳跟。

MassPhoton創始人兼CEO Eason Liao表示，該公司于2024年1月在香港成立，正與政府資助的香港科技園（HKSTP）合作建立一條8英寸GaN外延晶圓試點生產線，目標是到2027年實現年產能10000片。香港科技園孵化器在一份聲明中表示，MassPhoton專門生產紫外線C消毒產品，將投資2億港元（2560萬美元）新建晶圓生產線，并在科學園設立GaN技術研發中心。

GaN和碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，與傳統的硅基半導體相比，具有能源效率更高、體積更小等優勢。計劃中的GaN生產線正值香港著眼于全球半導體供應鏈的份額，這是香港在地緣政治緊張局勢加劇的情況下努力成為創新和技術中心的一部分。

去年10月，香港科技園還與中國大陸芯片公司杰平方半導體（J2 Semiconductor）簽署了一份諒解備忘錄，目標是建立香港首個SiC 8英寸晶圓廠和新的第三代半導體研發中心。杰平方半導體承諾為該項目投資69億港元，并計劃到2028年實現年產24萬片晶圓的產能。香港創新科技及工業局局長孫東當時表示，香港選擇專注于第三代半導體的原因之一是，用于制造第三代半導體的設備限制較少，因此相對容易獲得關鍵設備。美國的出口限制切斷了中國大陸獲得一些最先進芯片制造設備的渠道。

MassPhoton CEO Eason Liao表示：“我們對第三代半導體供應鏈的一致性充滿信心。”他補充說，許多中國大陸SiC公司已經在全球處于行業領先地位。Eason Liao表示，MassPhoton的目標是將其GaN晶圓應用于顯示技術、汽車和數據中心等領域。他還表示，該公司還計劃在今年底前再籌集1億港元資金。

香港立法會于今年5月批準為政府撥款28.4億港元，用于建立半導體研究中心。香港科技園表示，計劃在元朗創新園設立的微電子中心預計將于今年投入運營。

（來源：集微）