7月5日—英諾賽科，一家致力于打造高性能、高性價比硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率半導體解決方案的全球能源生態系統公司，在 ITC 的初裁中徹底駁回了 宜普（EPC） 公司基于其508 專利的所有訴訟請求。判決裁定英諾賽科在508專利的權利請求（主張的唯一權利請求）中不存在侵權行為。這是英諾賽科在美國國際貿易委員會（ITC）與EPC的爭議中取得的巨大成功。

根據 ITC 的初步裁定，首席行政法官認為 英諾賽科對EPC的508 專利不存在侵權行為，該專利涉及增強型 GaN 晶體管的形成方法。這意味著英諾賽科 完全成功地戰勝了 EPC 基于其 508 專利提出的主張。

ITC法官裁定英諾賽科對EPC的294 專利存在侵權行為。英諾賽科不同意行政法官的意見，原因是EPC的294 專利是無效的。事實上，美國專利商標局（“USPTAB”）發起了一項針對294專利的多方復審程序，以四個不同的理由質疑 294 專利的所有權利要求，并同意英諾賽科的無效論點。美國專利商標局針對294專利的多方復審無效決定將于 2025 年 3 月發布。

事實上，EPC 主張的 508專利和294專利目前都正在接受美國專利商標局的無效審查。294 專利的權利要求 1至12 和 508 專利的權利要求 1至5 被高度質疑來自于公開且被業界熟知的現有技術。英諾賽科 還向 美國專利商標局質疑了另外兩項 EPC的 專利，EPC 此前已向 ITC 主張這些專利，但后來決定撤回其主張。雖然 EPC 從 ITC 撤回了該兩項專利主張，但英諾賽科仍在美國專利商標局繼續對這些專利提出無效質疑。對于 EPC 最初主張的所有四項 EPC 專利，美國專利商標局認為：“ 英諾賽科很有可能在其針對EPC專利的無效請求中獲得勝訴”。通過初步決定，英諾賽科在美國專利商標局的多方復審無效程序中取得了 4：4 全勝的完美戰績。

ITC 及USPTAB的初步裁定進一步證實了 EPC 對英諾賽科的訴訟是錯誤及荒謬的。EPC在對英諾賽科的無理攻擊中逐漸陷入被動局面。在針對其所有四項專利的無效立案審查中，美國專利商標局的三名法官一致同意英諾賽科的觀點。在所有四項訴訟中，英諾賽科都闡明了 EPC 專利無效的多種原因及可證實其無效性的充分論點，對此，美國專利商標局完全認可并同意英諾賽科的觀點。后續，英諾賽科將向美國專利商標局提供更新的補充信息及材料，美國商標局將根據這些補充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出專利是否無效的最終裁定。

對于ITC在 294專利的初步裁定，英諾賽科將在7月19日前向ITC復審委員會提出上訴。本次調查的最終裁定日期為 2024 年 11 月 5 日。

英諾賽科有信心在與EPC的爭議中取得徹底勝利。