2024年7月8-9日，“第三代半導體技術與產業鏈創新發展論壇”在上海新國際博覽中心舉行，本次論壇由由半導體產業網、第三代半導體產業、慕尼黑展覽（上海）有限公司共同主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司協辦。  

論壇聚焦第三代半導體產業鏈“材料-裝備-襯底-外延-芯片-封裝及模組-應用”等重點環節前沿技術進展，來自業界的諸多知名專家、企業代表進行專題報告分享，聚焦產業鏈共性關鍵技術及問題，探討產業延鏈-補鏈-強鏈發展路徑、國內企業產線投資及運行情況、新工藝研發及產業化成果、下游領域發展前景等，助推整個產業鏈創新發展。 

9日，論壇精彩分享繼續，來自蘇州實驗室、才道精密儀器、上海邦芯半導體、清軟微視、上海新微半導體、南京芯干線、茂碩電源、北京晶亦精微、飛锃半導體等嘉賓代表帶來精彩主題報告。

蘇州實驗室副研究員李騰坤

《氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展》

近年來，國際上氨熱生長技術發展較快，三菱化學和SixPoint已具備2英寸氮化鎵單晶小批量生產的能力，正在突破4英寸氮化鎵單晶氨熱生長技術。蘇州實驗室副研究員李騰坤做了“氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展”的主題報告，分享了GaN單晶材料主要生長方法及進展、氨熱法GaN單晶生長研究進展等內容。氨熱法生長GaN單晶面臨著超高壓生長裝備及復雜的原料裝載工藝，生長周期長、封閉生長、不能實時監控，生長速率低，雜質控制，晶體尺寸等問題與挑戰，報告介紹了其團隊研究及成果，其團隊在礦化劑配比、應力控制、晶體生長習性、雜質調控等方面進行了系統探索，實現了各晶面氮化鎵的穩定生長；探索了惰性內襯實現高純GaN單晶生長的可能性；結合裝備擴徑，實現了2英寸GaN的氨熱生長。實現了GaN單晶的Mn、Mg等元素摻雜，相關電學性質還需進一步研究。報告指出，氨熱法在氮化鎵晶體量產能力和結晶質量上具有一定的優勢，但還需要加強氨熱法襯底在器件中的應用驗證。

江蘇才道精密儀器有限公司副總經理樸彥宏

《襯底外延片檢測設備國產化》

SiC襯底質量，決定著終端器件的性能、可靠性和穩定性。因此襯底的質量檢測是關鍵環節。在SiC生長過程中形成的晶體缺陷和污染可能會延伸到外延層和表面，形成各種表面缺陷，如胡蘿卜缺陷、多型夾雜物、劃痕等，這些缺陷可能進一步轉化產生其他缺陷，從而對SiC器件的性能產生不利影響。因此，對SiC襯底中的缺陷進行精確的檢測、識別和統計是襯底片質量監控的關鍵環節。江蘇才道精密儀器有限公司副總經理樸彥宏做了“襯底外延片檢測設備國產化”的主題報告，分享了碳化硅襯底缺陷檢測技術，涉及碳化硅襯底缺陷檢測技術、碳化硅襯底表面粗糙度的檢測、外延片載流子壽命檢測等內容，以及檢測設備國產化進展。報告指出，在第三代半導體領域，尤其是襯底外延兩個重要環節，檢測很最重要，但檢測設備國產化率仍然很低。一是沒有大型的行業頭牌公司在引領；二是核心部件核心算法確實有壁壘，完全對標有差距；三是缺少機會。檢測設備需要“光機電算軟”多學科配合的綜合能力；考驗設備企業的人才儲備和技術團隊的內部配合度和創新能力，考驗設備企業的市場敏銳度和客戶開拓能力。報告指出，國產檢測設備普遍在核心部件和算法研發、試用、驗證階段。產線上，無人值守自動化批量檢測，尚需要時機，需要上游用戶給機會。半導體領域，才道精密已經商用化可以批量滿足用戶需要的設備，涉及原子力顯微鏡、晶圓測試探針臺和晶圓劃片機等，致力于成為半導體領域檢測設備專業的供應商。

上海邦芯半導體科技有限公司產品應用副總王士京

《功率芯片制造中刻蝕和薄膜沉積技術的應用及解決方案》

上海邦芯半導體科技有限公司產品應用副總王士京功做了“功率芯片制造中刻蝕和薄膜沉積技術的應用及解決方案”的主題報告，分享了芯片制造過程中的刻蝕技術、SiC功率芯片的刻蝕應用場景、應用場景下刻蝕和薄膜沉積的解決方案等內容。邦芯可以提供刻蝕&去膠的全套解決方案、薄膜細分市場的解決方案、集成式解決方案。

清軟微視（杭州）科技有限公司市場總監張云飛

《化合物半導體襯底和外延缺陷無損快速檢測技術》

清軟微視（杭州）科技有限公司市場總監張云飛做了“化合物半導體襯底和外延缺陷無損快速檢測技術”的主題報告，分享了其Omega 9880、缺陷表征與分類、高分辨率圖像的快速處理、小樣本數據合成與真實化技術等。其中，Omega 9880兼容 4/6/8 吋襯底和外延檢測，應用于襯底廠、外延廠和芯片廠（來料檢）。支持 DIC/明場/多角度暗場/PL成像方式的自由配置組合。適用于透明/半透明/不透明 襯底和外延片表面/側邊/背面缺陷檢測等。

上海新微半導體有限公司功率器件研發負責人雷嘉成
《聚焦硅基氮化鎵 展望行業“芯”未來》

在高效、高功率密度、低成本應用需求的驅動下，功率半導體迭代發展。GaN功率器件憑借高頻、高效和更小體積等優勢，在諸多領域展現出了較好的應用前景，市場快速增長。消費類電子、車規和數據中心等為最主要市場，氮化鎵市場憑借其優勢將可能成為半導體黑馬，迎來快速增長。上海新微半導體有限公司功率器件研發負責人雷嘉成做了“聚焦硅基氮化鎵 展望行業“芯”未來”的主題報告，分享了氮化鎵功率器件技術進展，以及氮化鎵功率器件當下應用與發展前景。快充領域作為當前功率氮化鎵的最主要的應用領域之一，在未來數年仍具有廣闊的市場空間除快充市場外，功率氮化鎵在家電、電源適配器、數據中心、新能源汽車和鋰電池等領域同樣具有巨大的潛在應用市場。隨著時間推移，氮化鎵功率器件芯片會過渡到越來越多的終端應用。氮化鎵功率器件技術方面，新微半導體將同時布局 E-mode和D-mode解決方案，E-mode的研發量產已近完成。新微半導體通過應力調控、有源層設計等技術，針對多種不同應用場景開發出高質量6吋硅基氮化鎵外延工藝，實現了低缺陷密度的硅基氮化鎵外延。 其最新6吋硅基氮化鎵外延晶圓（D/E-MODE）已滿足40V/150V/650V應用，均滿足無龜裂、低翹曲、高均勻性、良好的表面形貌和工藝可重復性。此外，外延晶圓在室溫和150℃下都具有低垂直漏電流。

南京芯干線科技有限公司應用技術總監劉歡

《第三代功率半導體充換電系統讓E-BIKE應用更安全更高效》

南京芯干線科技有限公司應用技術總監劉歡做了“第三代功率半導體充換電系統讓E-BIKE應用更安全更高效”的主題報告，短途出行領域，電動兩輪車已成為主流出行方式，也對對充電器提出新的要求。使用第三代半導體的充電器具有高效，發熱量小、體積小，便攜等特點。報告結合第三代半導體特性，分享了第三代功率半導體在充電器中的應用、工程化注意事項及案例等內容。其中工程化涉及驅動的調試、氮化鎵功率PCB布局設計、器件并聯擴容、PCB板極的測量等。

茂碩電源科技股份有限公司產品經理別必波

《GaN & SiC 何時才能成為主流》

茂碩電源科技股份有限公司產品經理別必波做了“GaN & SiC 何時才能成為主流”的主題報告。當前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體發展備受關注，Yole數據顯示，2026年GaN市場規模預計可達6.72億美元。SiC碳化硅2027年全球SiC功率半導體市場規模有望突破60億美元。汽車、光伏以及RF射頻電源是當前SiC、GaN的幾大應用方向，價值、供貨周期等因素，目前仍影響SiC功率器件的應用。第三代半導體材料滲透率逐年提升，針對GaN氮化鎵應用及SiC碳化硅(+氮化鎵)應用，茂碩電源均有相關產品，其第三代器件在MOSO的產品占比10%。氮化鎵以中小功率為主，GaN對比普通硅器件，效率更高可以優化體積，同等功率料本增2塊左右，價差已較小。SiC相對更貴，目前只適用在大功率產品上。報告認為，GaN & SiC市場增速會加快，未來可期。

北京晶亦精微科技股份有限公司高級總監蔡長益

《晶亦精微CMP在碳化硅襯底及器件應用》

北京晶亦精微科技股份有限公司高級總監蔡長益做了“晶亦精微CMP應用在碳化硅襯底及器件”的主題報告，分享了SiC CMP設備、GEGV、SiC襯底CMP、SiC器件CMP等進展。涉及碳化硅磨拋設備與技術迭代、二氧化鈰slurry研磨、8”SiCCMP晶圓形貌及溫控，不同磨料對SiC襯底CMP的影響、GEGV SiC ECMP解決方案等。當前，6/8英寸碳化硅換擋提速進行時，襯底尺寸擴大、成本下降、應用擴展、器件復雜程度上升。報告指出，長晶速度慢，外延生長速度慢，切片、減薄加工難，磨拋、CMP加工難，缺陷去除工藝難，制造成本居高不下是碳化硅整線技術難點。CMP成本占4H-SiC襯底總加工成本的30%~40%，報告認為相比傳統化學機械研磨（CMP），化學或者物理方法輔助的新型化學機械拋光方法正在研究中，可實現更高的研磨速率和表面平坦度，是未來三代半導體全局平坦化的方向。晶亦精微專注于平坦化設備，工藝，材料 等技術研發，經過多年的產業積累與技術提升，現已成為主流CMP設備供應商8英寸CMP設備已于中芯國際實現整線CMP工藝全覆蓋，唯一實現置換率超過100%。截至2024年5月出貨150多臺，其中臺灣地區累計出貨30臺，新加坡出貨2臺。12英寸CMP設備獨創的傳送模式降低晶圓等待時間，每小時產能提升5~10%。

飛锃半導體（上海）有限公司產品市場副總監袁建

《碳化硅器件在新能源市場的應用及展望》

飛锃半導體（上海）有限公司產品市場副總監袁建做了“碳化硅器件在新能源市場的應用及展望”的主題報告，分享了碳化硅在新能源市場的應用情況及市場展望及相關碳化硅產品方案。當前新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。報告指出，光伏儲能市場方面，功率密度需求提升，MPPT開關管有由IGBT切換成SiC的機會。儲能系統有雙向功率變換需求，SiC機會增加。逆變側混合模塊（IGBT+SIC Diode）占比逐步提升。新能源汽車市場方面，800V平臺市場滲透率將穩步提升，預計在2025年占比達到13%，這將進一步增加碳化硅的應用規模；當前OBC市場以6.6KW為主，預計到2025年6.6KW仍然占比在57.2%；11KW OBC市場占比將逐年提升，市場占比將從9%增加到18%；新能源汽車市場是碳化硅應用的主要增量市場，預計占比在75%以上，并在未來進一步提升。報告分享了飛锃半導體碳化硅MOSFET產品方案，以及第三代750V/55mohm碳化硅MOSFET、第三代1200V/40mohm碳化硅MOSFET，以及Gen4 1200V單芯大電流碳化硅二極管、Gen3+ 1200V 20/30A碳化硅二極管等。

更多論壇信息，敬請關注第三代半導體產業！