近日，聞泰科技在回答投資者提問時(shí)表示，為了滿足市場(chǎng)對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，公司高度重視并且積極開拓第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。自2019年起，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的產(chǎn)品組合中就已經(jīng)包含了GaN FET。在2023年，公司實(shí)現(xiàn)了 GaN產(chǎn)品 D-M 系列產(chǎn)品工業(yè)消費(fèi)領(lǐng)域的銷售、 SiC 整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)、MOSFET 的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，在開拓第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了積極的進(jìn)展。

此外，公司在2023年還實(shí)現(xiàn)了IGBT模組平臺(tái)和產(chǎn)品的測(cè)試認(rèn)證，PMIC系列產(chǎn)品的測(cè)試認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這標(biāo)志公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的BCD平臺(tái)和產(chǎn)品線正式進(jìn)入市場(chǎng)，開拓了新的藍(lán)海。在投入研發(fā)的同時(shí)，公司通過與行業(yè)合作伙伴合作提升產(chǎn)品創(chuàng)新能力，發(fā)揮協(xié)同作用，推動(dòng)技術(shù)能力升級(jí)，確保產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)，為公司在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展拓展更大空間。

2024年6月27日，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的承載平臺(tái)——安世半導(dǎo)體宣布將投資2億美元在漢堡研發(fā)和生產(chǎn)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并增加二極管和晶體管的晶圓產(chǎn)能，同時(shí)計(jì)劃在未來兩年內(nèi)在該廠建立現(xiàn)代化、經(jīng)濟(jì)高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產(chǎn)線，為公司帶來新的增長(zhǎng)空間。

 （來源：金融界）