碳化硅晶體技術和應用的不斷進步，推動了SiC在功率電子、光電子和傳感器等領域的廣泛應用，為提高器件性能和應用范圍提供了重要支持。
6月22日-23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南召開。本次會議在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導下，由山東大學新一代半導體材料研究院、山東大學晶體材料國家重點實驗室、濟南市歷城區人民政府、山東中晶芯源半導體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、極智半導體產業網（www.ynpmqx.com）、第三代半導體產業共同主辦。
會議除開幕大會，還設置了四大主題平行論壇。其中“碳化硅晶體技術及其應用”平行論壇上，實力派嘉賓代表們深入研討，分享相關技術最新研究成果，探討發展趨勢與前沿，觀點交互，碰撞激發新的思路，共同促進產業技術發展。山東大學教授陳秀芳，國網智研院電能所副總師、教授楊霏，山東大學特聘教授韓吉勝，中電科五十五所副主任設計師李赟共同主持了該分論壇。
山東大學教授陳秀芳
山東大學特聘教授韓吉勝
河北普興電子科技股份有限公司產品總監李洪浩
《碳化硅外延技術及發展趨勢》
SiC外延為器件制造提供關鍵的有源層，是碳化硅產業鏈的核心環節。隨著對高性能SiC器件需求的增加，SiC外延技術也在不斷發展。河北普興電子科技股份有限公司產品總監李洪浩做了“碳化硅外延技術及發展趨勢”的主題報告，分享了最新研究進展。碳化硅外延關鍵問題涉及降低缺陷、規?；a、大直徑等。據介紹，普興公司在23年6月成功開發了8英寸碳化硅外延產品，解決了8寸襯底應力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點。外延產品厚度均勻性為0.63%，濃度均勻性為2.29%。報告指出，8英寸目前存在有襯底價格高、缺陷多的問題：必須通過規模化生產降低成本；通過技術提升降低缺陷；同時上下游聯合推動。
中晶芯源/山東大學技術總監、副教授楊祥龍
《導電型碳化硅單晶襯底的研究進展》
近年來，在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。8英寸SiC襯底在降低器件單位成本、增加產能供應方面擁有巨大的潛力，成為行業重要的技術演化方向。我國作為全球最大的SiC器件應用市場，需要加緊提升大尺寸SiC襯底制備技術，以搶占市場，實現國產替代。中晶芯源技術總監、山東大學副教授楊祥龍做了“導電型碳化硅單晶襯底的研究進展”的主題報告，主要介紹廣州南砂晶圓半導體技術有限公司聯合山東大學近期大尺寸SiC單晶襯底的研究進展。大尺寸擴徑進展、位錯缺陷控制進展等。其中，制備了8英寸導電型4H-SiC晶體，加工出了500μm和350μm的8英寸4H-SiC襯底；經拉曼測試，無6H和15R等多型，4H晶型面積比例達到100%，實現了8英寸4H-SiC單一晶型控制。南砂晶圓公司聯合山東大學實現了“零螺位錯”密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。
江蘇通用半導體有限公司總工程師鞏鐵建
《SiC晶錠激光剝離設備線》
近年， 碳化硅（SiC）功率器件在大功率半導體市場中的份額不斷增加，并被用于一系列應用，如新能源車輛和城 市軌道交通， 風力發電，高速移動通訊，IoT等。碳化硅由于其高硬度，高脆性特點，在 SiC 器件制造領域存在一個瓶頸：晶錠分割工藝過程。通用半導體有限公司總工程師鞏鐵建做了“碳化硅晶錠剝離工藝應用”的主題報告，分享相關研究成果。報告指出，SiC晶錠材質硬度高不易加工且原料成本高等，目前，SiC 晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。提高加工效率和減少損耗是關鍵。激光剝離取代傳統的線切割，有利于實現高速度切割碳化硅（SiC）晶錠。江蘇通用半導體在半導體隱形切割領域深耕，陸續推出了Low-K開槽機、SDBG激光隱切設備、SiC晶錠激光剝離設備和SDTT切割設備。
江蘇才道精密儀器有限公司副總經理樸彥宏
《SiC/GaN襯底外延片檢測設備國產化》
SiC/GaN襯底和外延片的檢測設備國產化是推動我國SiC/GaN材料及器件產業發展的重要舉措之一。國產化的檢測設備有助于降低設備成本、提高設備的技術水平和穩定性，促進SiC/GaN材料及器件產業的快速發展。江蘇才道精密儀器有限公司副總經理樸彥宏做了“SiC/GaN襯底和外延片檢測設備國產化“的主題報告，分享了相關研究進展，報告指出，
穩定 量產 性能穩定的高品質碳化硅晶片的技術難點涉及溫度控制、晶體結構、擴徑難等。
國產檢測設備普遍在核心部件和算法研發、試用、驗證階段。產線上，無人值守自動化批量檢測，尚需要時機，需要上游用戶給機會。國外品牌，直接以終端解決方案命名設備，比如膜厚測量儀，缺陷分析儀，其實核心還是各種光學手段的變化應用。
上海澈芯科技有限公司應用技術部部長崔丹
《開啟國產點激光散射的測量之路——Thea C520》
上海澈芯科技有限公司應用技術部部長崔丹做了“開啟國產點激光散射的測量之路——Thea C520 ”的主題報告，介紹了點激光掃描檢測光學系統及其原理、算法、易入門的軟件、對標情況。
中電科五十五所副主任設計師李赟
《碳化硅外延如何協同器件發展》
碳化硅外延在產業鏈中是承上啟下，連接襯底和芯片工藝的關鍵環節。SiC電力電子器件的發展離不開SiC外延技術的助力。中電科五十五所副主任設計師李赟做了“碳化硅外延如何協同器件發展”的主題報告，SiC電力電子器件在行業內的滲透率取決于其與硅功率器件的性價比，需進一步提升器件性能并降低成本。報告介紹了55所SiC電力電子業務的發展歷程以及SiC外延協同器件發展的技術趨勢。
泰科天潤應用事業部技術總監、北京交通大學副教授邵天驄
《碳化硅功率器件在電力系統當中的應用與挑戰》
碳化硅（SiC）功率器件具有許多優點，如高擊穿電場強度、高熱導率和高工作溫度等，但在實際應用中仍面臨一些挑戰。電力電子化的電力系統亟需響應速度快的電力電子化保護措施，泰科天潤應用事業部技術總監、北京交通大學副教授邵天驄做了“碳化硅功率器件在電力系統當中的應用與挑戰”的主題報告，分享了繼電保護設備—固態斷路器，電力電子設備——電能質量治理、柔性交直流輸電、電動汽車充電的研究進展。涉及低壓直流固態斷路器、中高壓直流固態斷路器，中低壓交流配電網電能質量治理、柔性交流輸電（FACTS）、柔性直流輸電（HVDC）、電動汽車充電等。
北京中電科電子裝備有限公司副總經理劉國敬
《先進Grinding技術助力大尺寸SiC量產》
當前，大尺寸SiC趨勢增強，8英寸襯底梯隊加速進階。8英寸是降低SiC器件成本的關鍵。北京中電科電子裝備有限公司副總經理劉國敬做了“先進Grinding技術助力大尺寸SiC量產”的主題報告，報告指出，大尺寸SiC產業化任重道遠，8英寸襯底量產難題與長晶爐、晶體生長、切磨拋技術及外延技術息息相關，也是襯底產業化的突破口。切磨拋工序直接關系到襯底加工的效率和產品良率，急需穩定性、可靠性高的高精密切磨拋設備。報告主要介紹了碳化硅襯底的加工工藝、減薄工藝等研究進展。報告認為，SiC襯底的制造過程中，單晶生長是核心環節，晶錠切片是產能瓶頸，是SiC產業鏈由6英寸襯底轉8英寸襯底的主要堵點之一。激光改質剝離切割與減薄技術作為當前行業最先進的切磨工藝新路徑，具有材料損耗低、加工效率高、出片數量多的優勢，尤其是在8英寸及其以上SiC襯底加工上，與傳統工藝相比優勢更加明顯。
中國科學院大連化學物理研究所研究員、創銳光譜董事長金盛燁
《瞬態光譜技術及其在SiC晶圓缺陷檢測中的應用》
中國科學院大連化學物理研究所研究員、創銳光譜董事長金盛燁做了“瞬態光譜技術及其在SiC晶圓缺陷檢測中的應用”的主題報告，報告指出，瞬態光譜是一種基于時間分辨技術和光譜探測有段相結合而發展的專有譜學技術，可廣泛應用于發光材料、納米材料、半導體材料等多種材料的光誘導載流子動力學過程的探測和研究中。由于其譜學信號對材料缺陷態和缺陷結構極為敏感，可通過發展相應的瞬態光譜和成像方法，實現了第三代半導體晶圓（SiC或者GaN）中襯底位錯缺陷（TSD，TED，BPD等），外延片結構缺陷和少子壽命（點缺陷濃度）等多種化學或晶格缺陷的無損、高效的探測。相關技術的應用落地將助力我國SiC晶圓成長和制備技術的進一步提升和發展。
山東大學副研究員崔瀠心
《碳化硅功率器件失效及可靠性研究》
碳化硅（SiC）功率器件的失效和可靠性研究是提高SiC功率器件性能和穩定性的關鍵。通過對碳化硅功率器件失效和可靠性的深入研究，可以指導制備工藝的改進和器件結構的優化，提高SiC功率器件的性能和可靠性，推動其在電力電子等領域的廣泛應用。山東大學副研究員崔瀠心做了“碳化硅功率器件失效及可靠性研究”的主題報告，分享了碳化硅缺陷對器件影響、碳化硅器件工藝引入缺陷、碳化硅器件可靠性等的研究進展。
國網智研院電能所副總師、教授楊霏
《電力電子變壓器用6500V碳化硅MOSFET器件研制》
高性能、高可靠性的6500V碳化硅MOSFET器件的開發，將有助于推動電力電子領域的創新和發展。國網智研院電能所副總師、教授楊霏做了“電力電子變壓器用6500V碳化硅MOSFET器件研制”的主題報告，分享了最新研究成果，其研究實現了6.5kV級SiC材料—芯片—裝備應用全鏈條技術突破，實現了高壓SiC關鍵原材料、核心元器件國產化，支撐了專項目標的實現。報告指出，未來需在密切跟蹤高壓SiC器件應用需求，推動高質量襯底和外延片的批量化應用進程。面向電力系統應用，根據裝置需求，進行定制化高壓碳化硅器件的開發。充分發揮碳化硅器件特性，研制更高容量，更高工作溫度，更高可靠性的碳化硅模塊等方向開展深入研究。
江蘇易矽科技有限公司總經理陳宏
《Si及SiC功率器件應用及趨勢》
隨著技術的不斷發展，硅（Si）和碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領域的應用正在不斷擴展和深化。江蘇易矽科技有限公司總經理陳宏做了“Si及SiC功率器件應用及趨勢”的主題報告，分享了IGBT/SiC MOSFET功率器件應用、IGBT技術、SiC MOSFET技術的進展，報告指出，IGBT芯片技術向著高電流密度、低損耗，高魯棒性及高可靠性不斷發展。SiC MOSFET在性能方面明顯占優，Si IGBT在可靠性魯棒性方面占優。報告指出，SiC作為寬禁帶半導體的典型代表，由其材料優勢展現出巨大的應用前景，在新能源領域比Si IGBT具有更大提升空間，但仍存在一定的短板，需要全產業鏈協同提升。
浙江大學副教授郭清
《碳化硅橫向功率芯片的研究》
碳化硅（SiC）橫向功率器件具有結構簡單、便于制造、低開關損耗等優點，適用于高頻率、高功率應用。浙江大學副教授郭清做了“碳化硅橫向功率芯片的研究”的主題報告，分享了相關研究成果。報告顯示，其研究研制了高壓碳化硅橫向二極管和橫向MOSFET器件，大幅度提升了器件的的品質因數。SiC LJBS最高耐壓達到1650V，最高BFOM達到390MW/cm2（1430V, 5.25mΩ·cm2）；SiC LMOS最高耐壓達到1800V，最高BFOM達到128MW/cm2（1660V, 21.5mΩ·cm2）研制了碳化硅功率集成芯片，靜態性能良好，初步進行了動態測試，為下一步工作打下基礎。
西安電子科技大學教授宋慶文
《碳化硅電子器件技術若干新進展》
西安電子科技大學教授宋慶文做了“碳化硅電子器件技術若干新進展”的主題報告，報告指出，碳化硅（SiC）作為一種第三代半導體典型代表，因其具有禁帶寬度大、熱穩定性強、 熱導率高、 抗輻射能力強等優點，不僅在廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、人工智能等領域，還在在航空航天、石油化工、國防軍事等領域等極端環境具有巨大的應用潛力。相關器件和電路技術也是SiC重點亟待突破的方向。報告從碳化硅器件的技術發展共性技術出發，分析探討若干碳化硅電子器件的研究現狀與未來發展趨勢，及其團隊近年來在此方向所做的研究工作。
上海交通大學副教授王亞林
《高壓SiC功率模塊封裝、測試及應用研究》
功率器件在新能源逐漸占據主導地位的電能發輸配用新型電力系統中的應用將越來越廣泛，采用高壓功率器件進行電能變換能夠提高用電效率和質量，為降低碳排放、提高系統靈活性以及解決能源短缺問題提供關鍵支撐。上海交通大學副教授王亞林做了“高壓SiC功率模塊封裝、測試及應用研究”的主題報告，詳細介紹了高壓SiC功率模塊封裝材料、高壓SiC功率模塊失效測試、高壓SiC功率模塊設計實現等最新研究進展。報告指出，目前高壓SiC芯片成本高昂且工藝不成熟，研究替代產品及匹配的封裝技術是高壓SiC器件發展的重點方向之一。封裝絕緣材料承受耦合的電熱機械應力，封裝失效問題是待解決的重要問題之一。也亟需研究耐高溫、擊穿強度高、可靠性好的封裝絕緣材料。
山東大學特聘教授Handoko Linewih
《SiC Power Device SPICE Modeling》
碳化硅（SiC）功率器件的SPICE建模是電路設計中重要的一環，能夠幫助工程師在仿真軟件中準確模擬器件的電性能。山東大學特聘教授Handoko Linewih 做了“SiC Power Device SPICE Modeling”的主題報告，分享了SPICE建模方法，SPICE子電路建模：650V SiC肖特基勢壘二極管等內容。
廈門大學教授張峰
《SiC少子壽命與IGBT器件研究》
碳化硅（SiC）材料的少子壽命對器件性能有著重要影響，特別是在功率器件中。研究SiC材料的少子壽命可以幫助理解器件的載流子動力學和性能特性，也可以為提高SiC功率器件的性能提供重要參考。廈門大學教授張峰做了“SiC少子壽命與IGBT器件研究”的主題報告，分享了SiC IGBT功率器件挑戰、SiC少子壽命與深能級缺陷研究、SiC光注入IGBT器件研究的最新進展。其中，SiC摻雜調控研究方面，報告顯示，調整生長時的C/Si來獲得低的背景摻雜濃度，在優化的C/Si條件下，平均摻雜濃度為4.1E14 cm-3 ，能夠滿足4H-SiC大功率器件的制備要求。通過研究 SiC 外延生長的摻雜機理與溫場、流場和攜帶氣體流量等內在關系，對SiC 外延材料的摻雜濃度進行調控，使100µm厚的SiC外延片的摻雜濃度不均勻性小于10%。
山東大學教授郁萬成
《液相法碳化硅單晶生長研究》
液相法生長碳化硅（SiC）單晶是一種重要的方法，山東大學教授郁萬成做了“液相法碳化硅單晶生長研究”的主題報告，分享了相關研究進展。液相生長法具有降低位錯密度、易于p型摻雜、易于擴徑、可愈合微管、實現3C等晶型等優勢。報告中還介紹了山東大學液相碳化硅研究進展與成果。
南京大學教授修向前
《大尺寸碳化硅激光切片研究進展》
大尺寸碳化硅激光切片技術對于制備SiC基板和器件具有重要意義。南京大學教授修向前做了“大尺寸碳化硅激光切片研究進展”的主題報告，分享了相關研究進展與成果。
中國電子科技集團公司第十三研究所基礎研究部高級工程師蘆偉立
《面向特種器件應用的SiC多層超厚外延進展及機遇》
中國電子科技集團公司第十三研究所基礎研究部高級工程師蘆偉立做了“面向特種器件應用的SiC多層超厚外延進展及機遇”的主題報告，分享了相關研究進展與成果，包括P型摻雜及多層外延進展、厚外延技術及進展等。報告指出，新能源汽車和光伏的應用，推動650-1700V規格SiC功率器件迅速發展。多種新研特種器件對P型外延及厚外延工藝提出迫切需求。多層外延及厚外延工藝的實現，可滿足多種器件結構研發，外延技術的進一步發展，助推SiC實現更多特種器件的實現。
山東大學仲光磊博士
《低電阻率p型SiC晶體制備及電學性質研究》
低電阻率的p型碳化硅（SiC）晶體制備和電學性質研究一直是SiC研究領域的熱點之一。山東大學仲光磊博士做了“低電阻率p型SiC晶體制備及電學性質研究”的主題報告，分享了相關研究成果。報告顯示，研究設計并研制出單線圈調控AI源釋放穩定性的新型坩堝生長系統；制備得到AI摻雜濃度1.13?1020cm-3，最低電阻率約70mΩ·cm的p型SiC單晶，為國內所見PTV法報道的最低電阻率值。針對固態AI摻雜源耐熱性差，初期釋放迅速的問題，設計并提出了采用p型SiC粉料制備p型SiC摻雜技術。
現場展覽展示
參觀考察
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