中國電子打造國家網信事業核心戰略科技力量、建設世界一流企業的偉大征程，離不開廣大青年人勠力同心、攻堅克難。為進一步發揮先進典型示范帶動作用，集團公司官微推出《中電青年志》融媒體報道，以推動高質量發展為錨點，以發展新質生產力為己任，照見中國電子與時代同行的青年力量，用炙熱的筆觸描繪科創青春的強國之志，捕捉實干道路的奮斗姿態，刻畫中國電子的奔涌活力。

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發青年突擊隊：

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發青年突擊隊是由一群朝氣蓬勃、敢于創新、勇于擔當的青年科技工作者組成的，團隊成員共12人，其中黨員8人，35周歲以下青年人數占比83%。團隊主要負責高壓隔離器芯片的核心工藝開發以及平臺的搭建，工藝平臺覆蓋2kV~5kV的超高耐壓范圍，可提供多種工藝方案以滿足客戶不同耐壓的需求，為國內高壓隔離器芯片的制造新增了一支主力軍。

BCD復合高壓隔離器芯片，簡稱高壓隔離芯片，能夠保證強電電路和弱電電路之間信號傳輸的安全性，避免強電電路的電流直接流到弱電電路，主要應用于工控、通信、新能源汽車等領域。隨著電子化和智能化的發展，高壓隔離芯片市場蓬勃發展。

積塔半導體迅速捕捉到高壓隔離芯片制造這片具有廣闊前景的市場。為了填補國內高端高壓隔離芯片制造工藝的空白，解決車規級高壓隔離芯片制造工藝的關鍵性問題，2023年3月，積塔半導體組建了一支青年突擊隊進行高壓隔離芯片工藝開發，突擊隊針對高壓隔離芯片制造工藝進行深入探討剖析和分解，歷時10個月實現了各關鍵技術難點突破，完成BCD復合高壓隔離器平臺工藝開發，為客戶提供一套完整的工藝設計包以支持芯片設計和產品導入。

從舉步維艱到技術突破

工藝開發進入完成時

BCD復合高壓隔離器平臺開發包括工藝研發和制作工藝設計包兩大部分，平臺可以理解為“體系”。在工藝開發完成后，將工藝文件以及測試數據整理成一套完整的工藝設計包，才意味著平臺開發完成。而平臺開發的難點在于工藝研發。

高壓隔離芯片工藝研發以隔離柵高耐壓性能氧化層沉積技術開發為錨點，并開發與之配套的高均勻性超深孔刻蝕，超深通孔金屬填充及平坦化工藝，對各模組工藝開發均提出了挑戰。比如厚氧化層生長應力控制、超深孔刻蝕片內均勻性控制、超深通孔金屬化填充控制、平坦化工藝停止點及研磨均勻性控制等等。

在工藝整合初期，團隊遇到各種新的工藝問題，特別是超厚介電層材料的引入，由此導致的晶圓翹曲而無法流片的問題給項目研發進度帶來很大的困難和挑戰。針對該技術瓶頸，團隊隊員每天定時定點開會研討工藝方案，集思廣益，并利用6sigma設計方法制定出一套最優的實驗方案，歷時2個月探索出了一條可行的工藝流程，完美解決了晶圓翹曲度太大帶來的無法流片問題。“這支隊伍雖然資歷尚淺，但是研發能力和團隊協作能力很強，是一支非常優秀的青年團隊。”高壓隔離器平臺開發技術副總監黃永彬介紹到。

在整個隔離器工藝流程通線之后，隊員們沒有絲毫懈怠，迅速開展各關鍵工藝模塊的優化，形成高效的工作機制。團隊定期召開技術交流會，分享最新研究成果和經驗，針對工藝整合產生的新問題不斷優化工藝條件。此外，團隊還積極查找業內相關技術問題的文獻，進行頭腦風暴，對各關鍵模塊技術問題各個擊破。

2023年7月，在經過近30次的技術交流會和數次內部研討會后，團隊成功攻克9項技術難題，并且順利通過6項專利申請，按時完成項目各項關鍵任務，為客戶的隔離器產品流片和驗證打下了堅實的基礎。

從技術突破到客戶認可

為行業發展提供新動能

BCD復合高壓隔離器平臺的開發完成，意味著公司具備生產BCD復合高壓隔離器芯片的能力，可以支持客戶進行芯片設計和制造。

為深入了解客戶對高壓隔離芯片產品的需求，團隊積極與多家客戶開展了深入的溝通和交流。在高壓隔離芯片研發過程中，考慮到隔離柵介質層材料對耐壓性能的影響，團隊積極探索各種材料組合，設計試驗方案，圍繞相關指標對BCD復合高壓隔離器平臺進行技術改造，最終提升了高壓隔離芯片的耐壓性能和穩定性。在高壓隔離芯片制造效率方面，雖然整個高壓隔離芯片工藝流程有七百多道工藝步驟，但是僅歷時一個多月就完成了晶圓工藝流片，比預期流片時間縮短了1/5。

這些突破達成了高壓隔離芯片開發關鍵性能指標，為行業的發展提供了新的動力，提升了我國高壓隔離芯片制造的整體水平。

目前已經有多家客戶的高壓隔離芯片在積塔進行產品導入，他們表示積塔制造的高壓隔離芯片耐壓超過國外代工廠的水準，在傳輸延遲和帶寬等關鍵性能指標上均能滿足其應用需求。

在芯片行業快速發展的時代，積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發青年突擊隊成員始終保持著對技術的熱情和追求，堅守崗位默默耕耘，不斷創新，以卓越的技術和無私的奉獻，奏響“請黨放心，強國有我”的青春強音。

來源：積塔半導體