碳化硅材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、強化學穩定性等優良特性，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G 通訊等領域具有重大應用價值。在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。碳化硅材料面臨的挑戰，主要來自成本與質量。質量方面涉及低位錯密度、低應力、P型襯底、生長和加工新技術等。近年來 SiC 襯底廠商加速推進 8 英寸襯底的研發和量產進度，當尺寸擴展到 8 英寸之后，熱應力增大，缺陷控制更加困難，尤其是位錯缺陷的控制與 6 英寸相比還有一定差距。
2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會”將在山東濟南召開，將邀請新一代半導體領域相關高校院所專家和知名企業代表出席，共同研討新一代半導體晶體技術進展及未來發展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術進步和產業發展。
山東大學新一代半導體材料研究院院長、南砂晶圓聯合創始人徐現剛受邀將出席會議，并做《低缺陷碳化硅單晶進展及展望》的大會報告。8英寸SiC襯底在降低器件單位成本、增加產能供應方面擁有巨大的潛力，已成為行業重要的發展和應用方向。山東大學和中晶芯源公司近期在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得重大突破。采用物理氣相傳輸法（PVT法）實現了零TSD，零MPD，零層錯、超低BPD的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。報告將分享最新研究成果。敬請關注！
徐現剛，山東大學教授、博導，晶體材料國家重點實驗室主任、新一代半導體材料研究院院長、南砂晶圓聯合創始人。教育部“長江計劃”特聘教授，國家杰出青年科學基金獲得者，科技部“973“計劃首席科學家，國家科技重大專項負責人。曾任國務院學位委員會委員，國家“863”計劃半導體照明工程重大項目總體專家組專家，享受國務院政府特殊津貼，全國優秀科技工作者。
徐現剛教授自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料外延及器件研究工作，應用到半導體激光器、發光二極管、異質結晶體管等多種半導體器件。自2000年開始進行SiC單晶生長、加工研發及產業化工作，先后突破了2-8英寸SiC單晶生長技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題。先后承擔多項科技部重大項目、863、973、國家科技重大專項及自然科學基金等，解決了寬禁帶SiC單晶制備和襯底超精密加工難題，推動了國產半絕緣SiC單晶襯底的國產化。攻克了高功率半導體激光器災變損傷及熱飽和兩大難題，實現砷化鎵基高功率半導體激光外延材料和芯片的國產化。研究成果獲得國防科學技術進步一等獎、山東省技術發明一等獎、省科技進步一等獎等。獲國家發明專利100余項，發表論文200余篇。
一、組織機構
指導單位：
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
主辦單位：
山東中晶芯源半導體科技有限公司
山東華光光電子股份有限公司
山東大學新一代半導體材料研究院
山東大學晶體材料國家重點實驗室
極智半導體產業網（www.ynpmqx.com）
第三代半導體產業
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司
協辦支持：
山東硅酸鹽學會新材料專委會
濟南晶谷研究院
江蘇通用半導體有限公司
北京中電科電子裝備有限公司
江蘇才道精密儀器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顧問委員會：
陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮 江風益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀美
大會主席：張榮 徐現剛 吳玲
大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華
程序委員會：
李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊曉燕 黎大兵 孫濤 宋慶文 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強 張進成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 宋慶文 韓吉勝 黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬
組織委員會：
李樹強 李強 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 劉鵬 王雨雷 王希瑋 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等
二、主題方向
1. 碳化硅晶體技術及其應用
·碳化硅晶錠激光剝離技術及其設備
·液相法碳化硅單晶生長技術
·碳化硅外延生長技術
·先進長晶及外延碳材石墨技術
·碳化硅功率器件設計與制造技術
·先進碳化硅長晶爐及外延生長裝備
·先進晶體缺陷檢測技術及其設備
·先進研磨設備及先進拋光技術
·激光退火設備及技術
·先進刻蝕設備及技術
·銀燒結封裝技術及先進封裝設備
2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用
·氮化鎵單晶及外延生長技術
·氮化鎵功率及射頻器件技術
·超寬禁帶半導體單晶技術
·鈮酸鋰晶體技術制備
·大尺寸金剛石單晶生長技術
·氧化鎵單晶生長技術
·氧化鎵外延及器件技術
·先進AlN 單晶生長技術及其應用
·Micro LED 技術
3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應用
·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術
·半導體激光器技術及應用
·車用激光雷達技術及應用
·光通信技術及應用
·紅外LED及顯示照明技術
三、會議概覽
會議時間：2024年6月21-23日
會議酒店：山東·濟南融創施柏閣酒店
四、擬參與單位
北方華創、百識電子、比亞迪半導體、長飛半導體、東莞天域、東尼電子、華大半導體、華虹半導體、海思半導體、海創光電、瀚天天成、國星光電、基本半導體、江蘇宏微、晶盛機電、晶湛半導體、科友半導體、山東華光、連城數控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環集團、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導體、晶工半導體、賽爾科技、通用半導體、泰克科技、安儲科技、華林嘉業、聯盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺、瑞霏光電、中科漢達、上海央米智能、同光半導體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導新材、西門子、小鵬汽車、意法半導體、英飛凌、揚杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學、東南大學、電子科技大學、復旦大學、清華大學、南京大學、山東大學、西安電子科技大學、西安交通大學、廈門大學、浙江大學、中科院半導體所、中科院微電子所等
五、活動參與
1、注冊費2800元，6月10日前注冊報名2500元（含會議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業展位預定中，請具體請咨詢。
2、掃碼報名
掃碼完成預報名，然后再注冊繳費
六、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。
七、聯系方式
報告及論文投稿聯系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會及商務合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 聯系人 ：
王先生 15811352980
八、協議酒店
1、會議酒店名稱：濟南融創施柏閣酒店（濟南市歷城區鳳鳴路5865號）
協議價格：大床/ 標間 含早 500元/1-2份早餐
預訂方式：
發郵件到 預訂部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
郵件模本：晶體會議，姓名，電話，房型，入住時間，退房時間
酒店銷售經理：謝文寧15966068948
2、周邊協議酒店
