近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼：688012）推出自主研發的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex® HW以及12英寸原子層金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex® AW。這是繼Preforma Uniflex® CW之后，中微公司為各類器件芯片中超高深寬比及復雜結構金屬鎢填充提供的高性價比、高性能的解決方案。中微公司深耕高端微觀加工設備領域多年，持續加碼創新研發，此次多款新產品的推出是公司在半導體薄膜沉積設備領域的新突破，也為公司業務多元化發展提供了強勁的增長動能。 

中微公司自主研發的具備超高深寬比填充能力的12英寸Preforma Uniflex® HW設備，繼承了前代Preforma Uniflex® CW設備的優點，可靈活配置多達五個雙反應臺的反應腔，每個反應腔皆能同時加工兩片晶圓，在保證較低生產成本的同時，實現較高的生產效率。Preforma Uniflex® HW采用擁有完全自主知識產權的生長梯度抑制工藝, 可實現表面從鈍化主導到刻蝕主導的精準工藝調控。硬件上，中微公司開發的可實現鈍化時間從毫秒級到千秒級的控制系統，可滿足多種復雜結構的填充。此外，搭配經過優化設計的流場熱場系統，使該設備具備優異的薄膜均一性和工藝調節靈活性。

中微公司12英寸高深寬比金屬鎢設備Preforma Uniflex® HW 

此次中微公司還推出了自主研發的具備三維填充能力的12英寸原子層金屬鎢沉積設備——Preforma Uniflex® AW。該設備繼承了鎢系列產品的特點，可配置五個雙反應臺反應腔，有效提高設備生產效率。此外，系統中每個反應腔均可用于形核和主體膜層生長，可根據客戶實際工藝需求優化配置，進一步提高生產中的設備利用率。Preforma Uniflex® AW采用擁有完全自主知識產權的高速氣體切換控制系統, 可精準控制工藝過程，實現精準的原子級別生長，因此，所生長的膜層具備優異的臺階覆蓋率和低雜質濃度的優點。Preforma Uniflex® AW 還引入獨特的氣體輸送系統，進一步提升性能，使該設備具備更先進技術節點的延展能力。該設備也繼承了中微公司自主開發的流場熱場優化設計，從而提升薄膜均一性和工藝調節靈活性。

中微公司12英寸原子層金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex® AW

中微公司董事、集團副總裁、CVD產品部及公共工程部總經理陶珩表示：“我們很高興可以為全球領先的邏輯和存儲芯片制造商提供行業領先的薄膜設備，這兩款設備優異的臺階覆蓋率和低電阻特性，使其可以滿足多種復雜和三維結構的金屬鎢填充需求。隨著半導體技術的不斷進步，原子層沉積技術因其卓越的三維覆蓋能力和精確的薄膜厚度控制而日益受到重視，預計未來將會有更廣泛的應用需求。中微公司推出的這兩款新設備，進一步擴充了中微公司薄膜設備產品線，不僅展示了我們在原子層沉積領域的先進技術水平，也證明了我們擁有強大的產品開發和應用開發能力，標志著我們在半導體領域中擴展了全新的工藝應用，這將為我們公司的持續增長和長期發展提供廣闊的空間。”

 （來源：中微公司）