5月21日，杭州士蘭微電子股份有限公司宣布與廈門市相關國資公司簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》，總投資額為120億元人民幣。

根據公告，士蘭微電子擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業有限公司雙方合作在廈門市海滄區合資經營項目公司“廈門士蘭集宏半導體有限公司”，并由士蘭集宏負責建設一條以SiC-MOSEFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線，產能規模為6萬片/月。

該項目位于廈門市海滄區，計劃將分兩期建設，一期投資規模約為70億元，預計月產能為3.5萬片。第二期投資約為50億元，將在第一期的基礎上實施，建成后，新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產能力，與第一期的3.5萬片/月的產能合計形成6萬片/月的產能。

碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。針對本次投資，士蘭微電子表示，將為士蘭集宏"8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目"的建設和運營提供資金保障，有利于加快實現公司SiC功率器件的產業化，完善公司在車規級高端功率半導體領域的戰略布局，增強核心競爭力。