2024年4月27日，“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”在成都開幕。本次會議在電子科技大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導下，由電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、電子科技大學集成電路研究中心、成都信息工程大學、極智半導體產業網、第三代半導體產業、中國電源學會元器件專業委員會共同主辦。
來自全國各地高校科研院所的學術界專家、學者和產業界領袖200余位嘉賓代表出席本次論壇。圍繞硅基、化合物功率器件，以碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等主題，深入探討交流最新技術進展與發展趨勢，分享前沿研究成果，攜手促進功率半導體器件與集成電路技術與應用發展。電子科技大學教授周琦主持了論壇開幕式環節。
AI時代連接前沿 探索科技自主新實踐
算力時代AI芯片的性能和功率加速提升，驅動相關材料的技術變革和需求放量。半導體新材料支撐人工智能可持續發展。“功率芯”被認為是“中國芯”的最佳突破口。功率半導體作為半導體產業的重要組成部分，是國家“雙碳”戰略的關鍵支撐，也是保障國家安全和產業鏈安全的重要基石。功率半導體已廣泛應用于國民經濟各個領域。隨著人工智能、數字經濟的蓬勃發展，功率半導體面臨新的機遇，也有望開拓更廣闊的市場空間。
電子科技大學教授 張波
作為四川代表性的科研力量之一，同時也是本次論壇的主辦方之一，電子科技大學是國家雙一流建設高校，完整覆蓋整個電子信息類學科，已成長為國內電子信息領域高新技術的源頭，創新人才的基地。論壇大會主席，電子科技大學教授張波為論壇致辭時表示，當前人工智能的快速發展，功率半導體的發展正當時，非常重要。本次會議群英薈萃，眾多領域專家學者和業界翹楚將分享功率半導體最新研究成果，探討前沿技術問題，在當前人工智能發展的科技背景下具有更加重要的意義。期待通過此次會議促進學術交流，加強科技自主創新，推動功率半導體行業高質量發展。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長 耿博
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長耿博致辭時表示，半導體產業的核心競爭力決定科技發展的高度。當前，半導體產業進入穩步增長的發展態勢，在AI算力、電力等需求驅動下，全球半導體領域的資源投入達到了新的高峰。我國功率半導體市場規模逐年攀升，已成為全球功率半導體市場的重要增長極。未來，隨著材料、器件等產業全鏈條技術的進步與提升，功率半導體發展空間巨大。成都的功率半導體產業發展迅速，已構建了較為完整的產業鏈，在專業人才資源等方面有所積累，并擁有電子科技大學等具有優勢的科研機構，綜合實力強大。希望借此會議契機，共同為業界搭建高質量的開放互動交流平臺，共同探討，助力探索科技自主實踐。
深度聚焦技術進展 助力新時代科技應用前行
大會主旨報告環節，六大重量級報告，深入探討交流功率半導體器件設計及集成應用的最新進展及前沿新方向。電子科技大學教授周琦和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長耿博共同主持了大會報告環節。
電子科技大學教授周琦
成都信息工程大學副校長、電子科技大學教授羅小蓉
《氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用》
GaN作為第三代半導體的代表，具備寬帶隙、高臨界擊穿電場和高電子遷移率等優勢，在電力電子技術領域受到廣泛關注。成都信息工程大學副校長、電子科技大學教授羅小蓉做了題為“氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用” 的主題報告， 重點闡述GaN在功率器件、柵驅動以及高效電能變換三個方面的技術現狀、挑戰以及應對方法，涉及高可靠低損耗GaN電力電子器件新結構，高頻率高精度GaN柵驅動技術，以及基于GaN的高效高功率密度電源系統。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰
《第三代半導體產業發展現狀及展望》
應用需求推動半導體新材料不斷發展，顛覆性技術不斷涌現，我國巨大的市場需求亟待滿足。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰做了“第三代半導體產業發展現狀及展望”的主題報告，分享了當前產業整體發展現狀，形勢與需求。報告指出，新能源汽車等應用產業高速發展帶動第三代半導體需求增長。8英寸SiC量產加快，企業積極布局溝槽柵MOSFET，氮化鎵邁向更廣闊領域。超寬禁帶半導體作為戰略儲備技術成為各國關注焦點。國際已進入產業化快速發展階段，我國核心材料和器件的規模化生產能力亟待突破。
廣東芯粵能半導體有限公司首席技術官相奇
《大規模碳化硅功率器件制造探索 》
廣東芯粵能半導體有限公司首席技術官相奇做了題為“大規模碳化硅功率器件制造探索 ”的主題報告，分享了市場需求、研發與制造的新進展。報告指出，“雙碳”戰略開啟能源轉換的黃金時代，碳化硅很適合功率器件，具有系統優勢。全球碳化硅功率器件市場需求爆發式增長。在新能源汽車應用潛力巨大。當前全球碳化硅產業鏈價值主要集中在上游，主要由海外頭部企業主導。碳化硅市場規模和應用領域爆發式增長推動規模化和專業化生產。
電子科技大學集成電路科學與工程學院副院長、教授陳萬軍
《超快高壓脈沖功率半導體器件與應用》
電子科技大學集成電路科學與工程學院副院長、教授陳萬軍做了題為“超快高壓脈沖功率半導體器件與應用”的主題報告，分享了最新研究成果。報告指出，超快高壓脈沖功率半導體器件是全固態脈沖功率系統的核心和關鍵。研制超快高壓脈沖功率芯片用于小型化脈沖起爆/點火系統，重復脈沖發動機點火系統，固態直流斷路器等領域。
西安交通大學電氣工程學院教授王來利
《碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究》
現有的器件封裝技術主要是基于硅半導體發展而來，難于充分發揮碳化硅半導體的優勢，已經成為碳化硅器件走向大規模應用的瓶頸性問題。西安交通大學電氣工程學院教授王來利做了題為“碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究”的主題報告，分享了最新研究進展與成果。報告指出，過去幾十年，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。半導體芯片、器件封裝、裝備應用還面臨著更高耐壓、效率、頻率等挑戰。相同封裝下寬禁帶器件比硅器件面臨更高的電熱應力。也面臨著寬禁帶器件封裝材料體系無法匹配半導體高溫特性的挑戰。
成都高投芯未半導體有限公司常務副總經理蔣興莉博士
《高密度IGBT實現路徑》
成都高投芯未半導體有限公司常務副總經理蔣興莉博士做了題為“高密度IGBT實現路徑”的主題報告，報告指出，盡管本土產量增速高于需求增速，但供需缺口絕對量仍有較大空間，仍以進口為主。從下游IGBT需求結構來看，中國IGBT需求結構與全球市場不同，新能源汽車，消費電子和工控是IGBT需求占比最大的三個下游領域。
會議期間，在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰的主持下，電子科技大學教授張波 ，大連理工大學教授王德君，廣東芯粵能半導體有限公司首席技術官相奇，西安交通大學電氣工程學院教授王來利，電子科技大學集成電路科學與工程學院副院長、教授陳萬軍，成都高投芯未半導體有限公司常務副總經理蔣興莉博士齊聚，圍繞著寬禁帶半導體SiC/GaN、傳統Si基功率半導體的未來發展與機遇，SiC的爆發點、瓶頸，GaN的發展空間，大規模應用領域，以及金剛石、GaO、AlN等的發展機會等當前產業發展的最熱點話題，展開探討，現場提問不斷，交流互動氛圍熱烈。
本次論壇除開幕大會，兩天時間里，還設置了兩大平行論壇，圍繞“硅基、化合物功率器件設計及集成應用”、“高壓器件設計、集成及封裝應用“等主題方向，來自產業鏈的企業及高?？蒲性核膶嵙ε杉钨e代表將深入研討，攜手促進功率半導體器件與集成電路技術及應用發展。
論壇同期還設置了主題展覽，交流晚宴、商務考察等線上線下豐富的活動形式，凝心聚力，助力對接資源，洽談合作。論壇期間，組織安排嘉賓代表們有意向的走訪電子科技大學、國家集成電路產教融合創新平臺、電子科技大學分析測試中心、功率集成技術實驗室等，實地了解，探討更多合作可能。
CASICON 系列活動簡介
“先進半導體產業大會（CASICON）” 是由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產業發展熱點領域與應用方向，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”等形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業發展為己任，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。
根據現場內容整理 供參考，更多會議詳細信息，敬請關注半導體產業網！
