時間

主要安排

4月27日

09:00-20:00

報到&資料領取

11:00-13:30

自助午餐

13:30-17:30

開幕大會暨主旨報告

19:00-21:00

歡迎晚宴

4月28日

08:30-12:00

分論壇1：

分論壇2：

12:00-13:30

自助午餐&交流

13:30-18:00

分論壇1：

分論壇2：

備注：僅供參考，以現場為準。

時間

題目

報告人

主持人

4月27日

開幕大會及主旨報告

 13:30-18:00

13:30-13:50

嘉賓致辭

13:50-14:20

第三代半導體產業發展現狀及展望

趙璐冰---第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長

周 琦 電子科技大學教授

14:20-14:50

氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用

羅小蓉  —— 成都信息工程大學副校長、電子科技大學教授、

14:50-15:20

大規模碳化硅功率器件制造探索

相  奇  ——  芯粵能半導體首席技術官

15:20-15:35

Cofee break/茶歇

15:35-16:05

硅基脈沖功率器件

陳萬軍  電子科技大學 集成電路科學與工程學院副院長 教授

趙璐冰 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長

16:05-16:35

碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究

王來利   西安交通大學系主任、教授

西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長

16:35-17:05

高密度IGBT實現技術

孟繁新   成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導體有限公司CTO   

17:05-18:00

Panel Discussion/圓桌對話

19:00-21:00 歡迎晚宴

4月28日 8:30-12:00  13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設計及集成應用

8:30-8:50

ICT場景下中低壓(<200V) GaN器件應用挑戰

包琦龍   海思半導體功率半導體器件部技術專家   

周琦  電子科技大學教授

8:50-9:10

PGaN增強型GaN功率器件設計與仿真技術

劉  勇   成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監  

9:10-9:30

GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究

張紫輝    廣東工業大學教授

9:30-9:50

氮化鎵功率器件開關安全工作區的研究

蔣其夢   中國科學院微電子所研究員

9:50-10:10

氮化鎵異質界面溫升表征方法

張亞民   北京工業大學副教授

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高速低損耗SOI LIGBT新結構與機理研究

魏  杰    電子科技大學研究員  

周弘 西安電子科技大學教授

10:55-11:15

非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現

周賢達    廣東工業大學副教授

11:15-11:35

Ga-O原子間勢函數及其應用研究

化夢媛    南方科技大學助理教授

11:35-11:50

高功率氧化鎵肖特基二極管研究

韓仕達  中國電子科技集團公司第十三研究所 工程師

11:55-12:10

一種新型氮化鎵基發光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信

任開琳   上海大學副教授

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

金剛石半導體材料及功能器件研究

朱嘉琦   哈爾濱工業大學教授

羅鵬 氮矽半導體總經理

13:50-14:10

金剛石半導體器件可靠性新機制

徐躍杭  電子科技大學教授、電子科技大學長三角研究院（湖州）集成電路與系統中心主任

14:10-14:30

高K介質在橫向功率器件中的應用

姚佳飛   南京郵電大學南通研究院執行副院長姚佳飛

14:30-14:50

新型功率半導體器件在新基建中的應用

林書勛  成都海威華芯科技有限公司生產總監

潘嶺峰 萊普科技副總經理

14:50-15:10

用于功率轉換系統的氮化鎵單片集成

劉 雯  西交利物浦大學高級副教授

15:10-15:30

肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性

孫佳慧    香港科技大學助理教授 

15:30-15:45

Coffee Break/茶歇

15:45-16:05

如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

魏 進   北京大學研究員

黃義  重慶郵電大學教授

16:05-16:25

基于化合物半導體異質結的高性能器件設計與制備

巫 江 電子科技大學基礎與前沿研究院副院長

16:25-16:45

應用于工業及汽車市場的GaN功率器件制造技術

劉  成  湖南三安半導體有限責任公司 研發經理

16:45-17:00

氮化鎵功率器件與工業級應用前景

唐高飛   云鎵半導體技術總監

明鑫 電子科技大學教授

17:00-17:15

低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

王方洲   松山湖材料實驗室工程師

17:15-17:30

氧化鎵垂直功率半導體器件

徐光偉 中國科學技術大學研究員

17:30-17:45

高壓大功率氧化鎵晶體管研究

王晨璐  西安電子科技大學博士后

17:45- 18:00

氫處理p-GaN柵器件開發與單片集成電路共設計流程

李  帆  西交利物浦大學 

4 月28日 8:30-12:00

分論壇2：高壓器件設計、集成及封裝應用

8:30-8:50

碳化硅MOSFET研究進展及面臨的挑戰

金  銳   北京智慧能源研究院功率半導體研究所所長

鄧小川

電子科技大學

8:50-9:10

SiC MOSFET 過流保護技術分析與研發

程新紅   中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員

9:10-9:30

硅基超結-功率半導體More silicon發展的主力器件

章文通    電子科技大學教授

9:30-9:50

碳化硅功率器件的輻射效應及抗輻射技術

黃銘敏    四川大學副教授

9:50-10:10

碳化硅MOSFET動態閾值漂移

蔣華平    重慶大學教授   

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高功率密度高壓DC方案改善算力系統配電效率

代高強    成都復錦功率半導體技術發展有限公司研發副總裁

王德君 大連理工大學教授

10:55-11:15

IGBT的技術演進與未來發展趨勢

張金平    電子科技大學研究員

11:15-11:35

先進鍵合集成技術與應用

母鳳文   北京青禾晶元半導體科技有限責任公司董事長  

11:35-11:55

在功率變換器中電流檢測的挑戰

嚴穎怡    電子科技大學教授    

11:55-12:10

基于多層級多場域的壓接型IGBT模塊失效演化機制研究

劉人寬  電子科技大學博后

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

SiC半導體表界面缺陷及MOS器件可靠性

王德君   大連理工大學教授  

張金平 電子科技大學研究員

13:50-14:10

碳化硅先進封裝及全銅化技術

葉懷宇    南方科技大學副教授

14:10-14:30

3C/4H-SiC異構結場效應器件的構建和模擬

韋文生    溫州大學教授

14:30-14:50

高可靠性車載sic功率器件是高質量國產替代的關鍵

高  巍    蓉矽半導體副總經理    

葉懷宇    

南方科技大學副教授

14:50-15:10

SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

何艷靜    西安電子科技大學副教授

15:10-15:25

光控型SiC功率器件的理論與實驗研究

王 曦   西安理工大學自動化與信息工程學院 院長助理

15:25-15:40

Coffee Break/茶歇

15:40-16:00

基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅動電路研究

李俊宏  電子科技大學集成電路科學與工程學院 副教授

程新紅

中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員

16:00-16:20

碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

魏家行  東南大學集成電路學院副教授

16:20-16:40

基于工藝的IGBT動靜態參數TCAD建模研究

劉  盼   復旦大學副教授，上海碳化硅功率器件工程技術研究中心副主任

16:40-17:00

SiC功率模塊封裝燒結互連技術

劉 洋   哈爾濱理工大學教授

17:00-17:15

碳化硅MOSFET的第三象限特性研究

李 旭   電子科技大學博士生  

17:15-17:30

SiC MOS器件偏壓溫度應力可靠性劣化的缺陷物理機制

崔鵬飛   大連理工大學

17:30-17:45

集成4H-SiC/Si空穴控制結和半超結的FS-IGBT

汪子盛   溫州大學