碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在系統(tǒng)中應用時，會面臨系統(tǒng)不穩(wěn)定時，在漏極產(chǎn)生的大電流，在這個反向大電流的作用下，器件特性會退化，甚至會失效，因此展開這種極端應力（單次/重復電流沖擊）對器件的特性影響的研究是進一步提高器件可靠性的必要途徑，同時對器件在單次和重復浪涌應力下器件特性退化失效機制，浪涌過程中電熱耗散路徑分析、結構和工藝參數(shù)對浪涌能力的影響等問題的研究也是提高器件浪涌能力必須要解決的問題。

4月26-28日，“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”將于成都召開。西安電子科技大學副教授何艷靜受邀將出席會議，并做《SiC MOSFET浪涌可靠性的研究》的主題報告，將分享最新研究成果。其研究對比研究了不同結構的SiC MOSFET器件在不同柵極電壓下，單次和重復浪涌應力下器件特性的變化，分析了器件浪涌過程中電熱耗散路徑，分析結構設計和工藝參數(shù)對浪涌能力的影響，為SiC功率器件提高浪涌能力在芯片設計上提供優(yōu)化方法。

何艷靜，副教授，碩士生導師。2018年獲得西安電子科技大學微電子學與固體電子學博士學位，2019年留校工作。主要從事SiC基功率器件設計、工藝研發(fā)、器件制作及相關可靠性問題的研究，從2012年起一直從事SiC MOSFET器件的設計關鍵工藝及流片制備的研究，設計制備1200 V 5-150 A，1700 V 5-40 A，3300 V 1-30 A等多個系列預研產(chǎn)品，開發(fā)多個SiC MOSFET器件相關的關鍵工藝。主持過國家自然科學基金青年基金，廣東省自然科學基金青年基金，廣州市重點研發(fā)計劃；作為主要成員參與并完成了國家科技重大專項 、教育部支撐計劃等項目。近年來在Journal of alloys and compounds IEEE Electron Device Letters等國內(nèi)外重要期刊和會議上發(fā)表論文15余篇，申請專利40余項。

會議信息

“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）是在電子科技大學和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導下，極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、成都信息工程大學、電子科技大學集成電路研究中心、第三代半導體產(chǎn)業(yè)于2024年4月26-28日共同主辦”，論壇會議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

 會議時間：2024年4月26-28日

會議地點：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機構：

指導單位：

電子科技大學

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國重點實驗室

成都信息工程大學

電子科技大學集成電路研究中心

極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ynpmqx.com）

第三代半導體產(chǎn)業(yè)

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會：

大會主席：張波

程序委員會主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚 郭清 魏進 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

主題方向：

1.硅基功率器件與集成技術

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

4.模組與封裝技術

功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性

5.功率集成電路設計

功率集成IC設計、寬禁帶功率器件驅動IC、功率集成電路測試技術、功率集成工藝平臺與制造技術

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測及測試設備等

三、會議日程（擬定）   

時間：2024年4月26-28日    

地點：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區(qū)金府路668號

 擬參與單位：

電子科技大學、成都信息工程大學、中芯國際、三安半導體、浙江大學、中國科學技術大學、東南大學、西安電子科技大學、西安交通大學、清華大學、西安理工大學、山東天岳、科友半導體、國星光電、ULVAC、華虹半導體、斯達半導體、蓉矽半導體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學、廈門大學、中科院半導體所、南京大學、中科院微電子所、長飛半導體、華為、海思半導體、鍇威特、基本半導體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團、中科院微電子所、中鎵半導體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網(wǎng)、華大半導體、意法半導體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復旦大學、東莞天域、比亞迪半導體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導體、中國科學院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學、云鎵半導體、高芯（河南）半導體……

活動參與：

注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）

報告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價格：400  元/每晚（含早）