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ASML High-NA EUV光刻機取得突破,成功印刷10nm線寬圖案

日期:2024-04-18 閱讀:297
核心提示:據(jù)外媒,4月18日消息,荷蘭阿斯麥 (ASML) 公司宣布,其首臺采用0.55數(shù)值孔徑 (NA) 投影光學系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑 (High-NA) 極紫外 (

 據(jù)外媒,4月18日消息,荷蘭阿斯麥 (ASML) 公司宣布,其首臺采用0.55數(shù)值孔徑 (NA) 投影光學系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑 (High-NA) 極紫外 (EUV) 光刻機已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一突破是ASML公司以及整個高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的一項重大里程碑。

ASML在聲明中表示,其位于埃因霍芬的高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)首次印刷出 10 納米線寬(dense line)圖案。此次成像是在光學系統(tǒng)、傳感器和移動平臺完成粗調(diào)校準后實現(xiàn)的。接下來將致力于讓系統(tǒng)達到最佳性能表現(xiàn),并最終在現(xiàn)實生產(chǎn)環(huán)境中復制這一成果。

據(jù)悉,ASML 配備 0.55 NA 鏡頭的新型 Twinscan EXE:5200 型光刻機能夠?qū)崿F(xiàn) 8nm 的超高分辨率,可在2nm及以下節(jié)點芯片的制造領(lǐng)域占據(jù)明顯優(yōu)勢。

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