雙向阻斷功率器件是AC-AC功率變換電路的核心元件。基于Si襯底的GaN雙向阻斷功率器件具有大尺寸、低成本、COMS工藝兼容等優勢。然而，增強型Si基GaN雙向阻斷功率器件的研究尚處于早期階段，目前仍存在導通損耗較大和反向耐壓較低等問題，遠未發揮出其優勢。Si基GaN雙向阻斷功率器件的導通特性和反向阻斷能力之間存在矛盾關系。 

4 月26-28日，“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”將于成都召開。期間，松山湖材料實驗室工程師王方洲受邀將出席會議，并做《低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究》的主題報告，將分享研究成果。其研究提出了p-GaN/Schottky交替島漏極結構，優化開啟電壓和反向擊穿電壓的折衷關系；提出了Schottky-MIS級聯漏極結構，優化導通壓降和反向泄漏電流的折衷關系。通過在松山湖材料實驗室公共技術平臺進行的全流程工藝制備，獲得了低開啟電壓、低導通壓降、低反向泄漏電流、高反向擊穿電壓的高性能Si基GaN雙向阻斷功率器件。同時，面向應用需求進行了工藝整合，實現了整片晶圓上大柵寬雙向阻斷GaN功率器件原型的工藝制備。相關的研究成果可為低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件的發展提供優良的解決方案。 

王方洲 博士，松山湖材料實驗室公共技術平臺工程師，畢業于電子科技大學，專注于GaN功率半導體器件的理論模型、結構設計、器件工藝和測試表征等方面的研究。在博士期間，通過松山湖材料實驗室牽頭的“廣東省重點領域研發計劃”合作項目，完整經歷其公共技術平臺的GaN器件工藝能力建設進程，主導和完成全流程關鍵工藝技術開發，面向應用需求實現整片晶圓上的大柵寬器件工藝整合，獲得高性能和高一致性的增強型GaN功率器件。近年來，參與多項國家級和省部級項目，發表SCI期刊以及國際會議論文共20余篇，其中第一作者論文8篇，h-index為12，申請中國發明專利17項，其中授權7項。 

會議信息

“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）是在電子科技大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導下，極智半導體產業網聯合電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、成都信息工程大學、電子科技大學集成電路研究中心、第三代半導體產業于2024年4月26-28日共同主辦”，論壇會議內容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業鏈各環節。

會議時間：2024年4月26-28日

會議地點：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機構：

指導單位：

電子科技大學

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國重點實驗室

成都信息工程大學

電子科技大學集成電路研究中心

極智半導體產業網（www.ynpmqx.com）

第三代半導體產業

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會：

大會主席：張波

程序委員會主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚 郭清 魏進 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

主題方向：

1.硅基功率器件與集成技術

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

4.模組與封裝技術

功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性

5.功率集成電路設計

功率集成IC設計、寬禁帶功率器件驅動IC、功率集成電路測試技術、功率集成工藝平臺與制造技術

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測及測試設備等

三、會議日程（擬定）   

時間：2024年4月26-28日    

地點：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區金府路668號

 擬參與單位：

電子科技大學、成都信息工程大學、中芯國際、三安半導體、浙江大學、中國科學技術大學、東南大學、西安電子科技大學、西安交通大學、清華大學、西安理工大學、山東天岳、科友半導體、國星光電、ULVAC、華虹半導體、斯達半導體、蓉矽半導體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學、廈門大學、中科院半導體所、南京大學、中科院微電子所、長飛半導體、華為、海思半導體、鍇威特、基本半導體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學、華大九天、西門子、博世、三環集團、中科院微電子所、中鎵半導體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網、華大半導體、意法半導體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復旦大學、東莞天域、比亞迪半導體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導體、中國科學院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學、云鎵半導體、高芯（河南）半導體……

活動參與：

注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續查詢及開具發票。若需開具發票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現場繳費（接受現金和刷卡）

報告及論文投稿聯系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）

聯系人 何經理 13548180263，2569807009@qq.com

協議價格：400  元/每晚（含早）