?4月9日，世紀(jì)金芯宣布他們實現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！

合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司基于設(shè)備、工藝、熱場、原料、結(jié)構(gòu)設(shè)計等多方面的長期技術(shù)積累，突破了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2024年2月，世紀(jì)金芯半導(dǎo)體8英寸SiC加工線正式貫通并進入小批量生產(chǎn)階段，在8英寸SiC襯底量產(chǎn)方向更進一步。

1、模擬優(yōu)化，減少研究成本，獲得預(yù)期的溫場情況

  世紀(jì)金芯公司采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度。并通過多次優(yōu)化數(shù)據(jù)庫參數(shù)，準(zhǔn)確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩(wěn)定性在90%以上。同時，合理的溫度梯度降低了晶體的凸度，有效降低了晶體開裂風(fēng)險，提高了原料利用率和晶體出片數(shù)量。

2、設(shè)計實驗，驗證生長晶體預(yù)期，獲得可重復(fù)性參數(shù)

     世紀(jì)金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，結(jié)合8英寸晶體生長的熱場結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝特性，在高穩(wěn)定性長晶爐的基礎(chǔ)上，公司采取了獨特的保溫設(shè)計和先進的熱場分區(qū)結(jié)構(gòu)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數(shù)變化量，獲得可重復(fù)性穩(wěn)定參數(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。突破了大尺寸、低應(yīng)力等碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)。

3、不斷開發(fā)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)，獲得低缺陷單晶

世紀(jì)金芯公司掌握多種自研結(jié)構(gòu)及技術(shù)，包括籽晶預(yù)處理粘接、低應(yīng)力生長結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝等，為8英寸晶體量產(chǎn)打下了重要基礎(chǔ)。采用籽晶迭代優(yōu)化的方式，進一步降低了位錯缺陷密度，通過設(shè)計不同過濾層及多段溫度調(diào)控，對碳包裹物起到抑制作用，有效減少了包裹引起的一系列缺陷。

世紀(jì)金芯公司開發(fā)的8寸SiC單晶生長技術(shù)可重復(fù)生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8寸加工線也同步建成，將配套8寸單晶生長。通過進一步優(yōu)化工藝，預(yù)期公司的8寸SiC晶錠厚度將達(dá)到20mm以上。