據芯能半導體官方消息，4月11日，芯能半導體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經開區(qū)舉行。據悉，本次交接項目為一棟三層半結構，約13000m²。

早在2023年5月，芯能半導體就與合肥市政府簽署項目合作協議，將在合肥安巢經開區(qū)建設10條IGBT、5條SiC MOS自動化生產線，產品應用于新能源汽車、太陽能和家電等行業(yè)。

據透露，簽約項目采用先進工藝，專注于大功率模塊封測，項目整體建成達產后，預計可實現年產480萬只IGBT模塊和60萬只SiC MOS模塊，年營收約15億元。

芯能半導體成立于2013年9月，是一家聚焦IGBT芯片、高壓柵極驅動芯片以及智能功率模塊的研發(fā)、生產、應用和銷售的國家高新技術企業(yè)和國家“專精特新”小巨人企業(yè)，目前已量產國際第七代（MPT技術）IGBT，第六代IGBT芯片國內出貨量領先。

芯能半導體總部位于深圳，除了合肥落地的模塊封測項目外，在布局方面，芯能半導體在浙江義烏建有大功率車規(guī)級功率模塊制造基地，深圳、上海、蘇州設有研發(fā)中心，并在深圳、上海、杭州等地建立了銷售辦事處。

融資方面，2023年6月，芯能半導體完成C++輪投資，本輪由國電投、中信建投資本、杭廣熠熠和正弦電氣共同參與。

此外，2022年5月消息，小米產投部獨家參與了芯能半導體的C+輪融資，投資金額近億元，融資資金將主要用于加強研發(fā)投入，尤其是新能源和新能源汽車類產品的開發(fā)。

產品方面，芯能半導體去年7月發(fā)布了IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產品。該產品內部集成了新一代N溝道增強型1200V-SiC_MOSFET芯片與優(yōu)化的SOI工藝6通道柵極驅動芯片。

作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，針對SiC定制優(yōu)化驅動部分，有效減小開關振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能。基于該產品，芯能聯合芯能的IDH推出基于這顆IPM的汽車空調的參考應用方案。

此外，今年4月，芯能半導體也新推出一款1200V 600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術的FRD芯片，封裝兼容62mm。該產品具有超低的飽和壓降、超低開關損耗的特點，內置全電流正溫度系數續(xù)流二極管，利于多并聯使用，主要應用在光伏、儲能、電機控制器等領域。

該C2模塊由芯能半導體自建的自動化封裝制造專線生產，可以實現模塊的常溫、高溫動靜態(tài)測試篩選，以及器件參數的分檔，滿足模塊并聯使用和高可靠性的要求。

據透露，芯能半導體的專門生產C2模塊的專線，全制程、全工序生產作業(yè)配備有先進的工藝自動化上下料系統， 以實現高效的生產和一致的產品質量。

來源：芯能半導體、NE時代半導體