本屆CSE博覽會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業領袖和創新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術與商貿交流”的形式，為產業鏈的升階發展搭建供需精準對接平臺，助力企業高效、強力拓展目標客戶資源，加速驅動中國化合物半導體產業鏈的完善和升級。

CSE作為2024年首場國際化合物半導體產業博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區，六大領域，將集中展示各鏈條關鍵環節的新技術、新產品、新服務，將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產業的燈塔級盛會，集中展示化合物半導體上下游全產業鏈產品，搭建企業發布年度新產品新技術的首選平臺，支撐產業鏈及中部地區建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產業集群。

江蘇魯汶儀器股份有限公司于2015年9月，由比利時魯汶儀器、中國科學院微電子研究所等共同注資成立。總部位于江蘇省徐州市，在北京、上海設有全資子公司。 

魯汶儀器致力于為集成電路制造產業提供先進的裝備和工藝解決方案。針對邏輯、存儲、功率器件、光學、微顯示等領域的關鍵工藝道次，魯汶儀器研發了業界領先的離子束塑形設備(IBS)、離子束沉積設備(IBD)等，為客戶推動技術創新、提升產能、優化工藝提供穩定可靠的設備與完善的技術支持。 

魯汶儀器也提供電感耦合等離子體刻蝕設備(ICP)、薄膜沉積設備(CVD)，以及氣相分解金屬沾污收集設備(VPD)等晶圓工藝制造設備與檢測設備。 

產品介紹

Pangea^® 系列

12英寸離子束塑形設備（IBS）

Pangea^® 系列IBS設備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來處理任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性；載片臺的角度可調整，實現離子束傾斜入射，可用于形成特殊圖案，也適用于側壁清洗等工藝。

Ganister™ 系列

8英寸離子束沉積設備（IBD）

Ganister™ 系列離子束沉積設備，是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發的專用產品，在磁性存儲、光學以及超導等領域中被廣泛使用。該設備采用濺射成膜，靶材選擇范圍廣。而其采用的多槽旋轉靶材基座，更可快速切換多種靶材，應對高質量復雜膜層結構的沉積應用。選配的輔助離子源，可以實現原位預清洗、優化膜層致密性等功能。此外，Ganister™ 的輔助離子源也可進行離子束刻蝕，一個腔室內兼備兩種工藝，顯著提高了該設備的功能。

Chimera^® 系列

12英寸ICP刻蝕設備

Chimera^® 系列12英寸ICP刻蝕設備，是面向半導體晶圓制造所設計的專用設備，可實現硅刻蝕、介質刻蝕、柵極刻蝕、鎢回刻、SADP、氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕、0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝、鋁墊（Al pad）刻蝕等工藝。

Pishow^® 系列

8英寸ICP刻蝕設備

Pishow^® 系列8英寸ICP刻蝕設備，是面向半導體晶圓制造所設計的專用設備，可實現鋁互連，STI和柵極刻蝕，深硅刻蝕以及主流的化合物刻蝕工藝。

Pishow^® M2 金屬刻蝕設備可用于8英寸的IC產線的鋁金屬互連及鋁墊刻蝕工藝。 Pishow^® P硅刻蝕設備，提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各項工藝的刻蝕解決方案。Pishow^® A2刻蝕設備則擁有多種材料刻蝕解決方案，包括介質和化合物半導體，高配可選ALE解決方案，實現對刻蝕速率和均勻性的高精度控制。

值得一提的是，Pishow^® 系列專為8英寸生產線的刻蝕工藝進行了設計優化，在保證領先業界的刻蝕均勻性，出色的刻蝕選擇比，以及優良的顆?？刂七@些指標的同時，達成了遠超行業水準的MTBC時數，大大降低了CoC。該系列以其高性價比的解決方案和優秀的空間利用率，為客戶投產、達產以及產能升級提供了細致完備的支持。