2024年4月8-11日，一年一度化合物半導體行業盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會展中心舉辦。芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司將攜新品亮相本屆盛會，誠邀業界同仁蒞臨3T26展臺參觀、交流合作。

本屆CSE博覽會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業領袖和創新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術與商貿交流”的形式，為產業鏈的升階發展搭建供需精準對接平臺，助力企業高效、強力拓展目標客戶資源，加速驅動中國化合物半導體產業鏈的完善和升級。 

CSE作為2024年首場國際化合物半導體產業博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區，六大領域，將集中展示各鏈條關鍵環節的新技術、新產品、新服務，將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產業的燈塔級盛會，集中展示化合物半導體上下游全產業鏈產品，搭建企業發布年度新產品新技術的首選平臺，支撐產業鏈及中部地區建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產業集群。

芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司是一家根植本土，擁有全球高端人才和自主知識產權的尖端半導體芯片制造設備公司，致力于建立以中國為基地、世界領先的泛半導體產業關鍵設備和核心技術平臺。公司目前聚焦碳化硅SiC等高端核心第三代半導體裝備，傾心傾力為客戶提供最適合大規模量產的高性能和穩定的裝備和先進技術方案。并將擴展到泛半導體設備，打造泛半導體設備產業航空母艦，樹立全球半導體企業標桿!

產品介紹

產品名稱：大規模量產型碳化硅外延生長設備（SiC-CVD）

產品型號：SiCCESS系列單雙腔垂直流設備

產品參數：

（1）產能：≥1000片/月；通過工藝優化，可超過1200片/月

（2）外延規格：6吋（兼容8吋）

（3）溫區：多區控溫

（4）氣流模型：多區可調噴淋

（5）旋轉速度：0-1000轉/分鐘

（6）最高外延生長速率：≥60微米/小時

（7）片內厚度均勻性：≤2%（可優化到1%以內，δ/平均值，EE5mm）

（8）片內濃度均勻性：≤3%（可優化到2%以內，δ/平均值，EE5mm）

性能說明/產品特點：設備擁有完全獨立的自主知識產權，具有獨創的進氣方式、垂直氣流和溫場控制技術，輔以全自動上下料（EFEM）系統和高溫傳盤等手段，實現了全球領先的技術指標和卓越的性能，填補了國內碳化硅產業的空白，在高產能、6/8吋兼容、CoO成本、長時間多爐數連續自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有明顯的優勢。

值此之際，我們誠邀業界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現場參觀交流、洽談合作。 

關于JFSC&CSE 2024