據國家知識產權局公告，江蘇宏微科技股份有限公司取得一項名為“一種電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結構“，授權公告號CN107942615B，申請日期為2017年12月。

專利摘要顯示，本發明屬于電動汽車晶體管技術領域，尤其涉及一種電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結構。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上間隔設置若干列溝槽，所述同一列溝槽重復斷開，所述同一列溝槽斷開間距0.6um，所述同一列溝槽斷開間距的中間設置發射極接觸孔，所述發射極接觸孔與相鄰所述溝槽之間的間距0.2um，相鄰兩列所述溝槽錯位設置并橫向連接，相鄰兩列所述溝槽之間的間距為0.2um。本發明通過溝槽以及發射極接觸孔的版圖設計使得元胞尺寸縮小，溝道密度增加，從而電流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小，從而成本降低，同時整個設計的余量也會更加充分。