據日媒報道，3月14日，三菱電機宣布將增產碳化硅（SiC）功率半導體，于4月開始在熊本縣菊池市建設新SiC廠房。報道稱，該公司計劃投資約1000億日元（約合人民幣48.49億元），在熊本縣菊池市的工廠建設新廠房，該廠房計劃于2026年4月投入運營。預計2026年度的晶圓產能將大幅增加，達到2022年度的5倍。