2024年4月9-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將在武漢光谷科技會展中心舉辦。 第三代半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商山東晶升電子科技有限公司將攜新品亮相本屆盛會，誠邀業(yè)界同仁蒞臨A302號展臺參觀、交流合作。

本屆CSE博覽會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，以及從芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、材料和設(shè)備到核心部件領(lǐng)域企業(yè)參展，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對接平臺，助力企業(yè)高效、強力拓展目標(biāo)客戶資源，加速驅(qū)動中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級。

山東晶升電子科技有限公司坐落于泉城濟南，是一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體裝備研發(fā)和生產(chǎn)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)范圍覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝，已形成系列自主知識產(chǎn)權(quán)，實現(xiàn)先進技術(shù)自主可控。致力成為行業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備供應(yīng)商，并在濟南市長清區(qū)建設(shè)了寬禁帶半導(dǎo)體裝備制造場地。企業(yè)已順利申請下2019年知識產(chǎn)權(quán)貫標(biāo)，2019-2023年連續(xù)入庫濟南市科技型中小企業(yè)名單，2021被評為國家級高新技術(shù)企業(yè)，2022年通過GB/T9001-2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證。  2023年成為中國電子材料行業(yè)協(xié)會新成員。主要推廣產(chǎn)品為第三代、第四代半導(dǎo)體高端裝備，PVT晶體生長爐、電阻法晶體生長爐、液相法晶體生長爐、HVPE氫化物氣相外延爐（氮化鎵）、LPE氮化物高壓晶體生長爐、HVPE鹵化物氣相外延爐（氧化鎵）、導(dǎo)模法晶體爐、氧化鎵垂直布里奇曼晶體生長爐。

網(wǎng)站二維碼                       微信二維碼

產(chǎn)品介紹

PVT-SiC-400晶體爐：6/8英寸；

產(chǎn)品特點：

·適用于6，8英寸，導(dǎo)電/高純半絕緣型SiC晶體生長。

·適用于長時間，高質(zhì)量，規(guī)模型晶體生長。

·擁有高精度的控溫、控壓能力，工藝性能優(yōu)良，設(shè)備一致性好，具有豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗。

·可選恒功率、恒電流、恒溫工作模式；

·一鍵智能啟動，減少人工干預(yù)，利于規(guī)模化生產(chǎn)；

·緊湊立體化的整機設(shè)計，方便布局，提高廠房利用率；

·采用高精度蝶閥和質(zhì)量流量計控制爐內(nèi)長晶壓力，提供穩(wěn)定的長晶氣氛。尤其在晶體生長壓力下最高可達到±1Pa的控壓精度。

氮化鎵高壓助熔劑晶體生長設(shè)備：2/4/6英寸；

產(chǎn)品特點：

·Na助熔劑液相外延生長2-4 英寸GaN晶片，也可用于高壓助熔劑法探索新型氮化物晶體;

·助熔劑法(Na Flux method)生長氮化鎵(GaN)單晶具有諸多優(yōu)勢，是目前國際上公認(rèn)的可實現(xiàn)高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵體單晶產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的生長技術(shù)之一。由于氮化鎵單晶的生長體系(如下簡稱“生長體系”)一般采用含有金屬鈉和金屬鎵的黏性液相金屬和氮氣作為生長源，在生長過程中，于氣液界面處氮源首先達到過飽和，形成氮化鎵多晶殼層，導(dǎo)致外部氮氣在氣液界面處被阻斷，從而導(dǎo)致生長體系氮源供給中斷，進而使生長體系中的氮化鎵籽晶停止液相外延生長；形成的氮化鎵多晶殼層一方面阻斷體系氮源供給，另一方面消耗體系中金屬鎵源。因此，有效抑制生長體系中這種多晶的形成已經(jīng)成為該生長技術(shù)中的關(guān)鍵難點之一;

·雙溫區(qū)加熱，最高使用溫度1000℃，最高壓力9Mpa;

·氮氣溶解速度快，分布均勻，生長速度可達30um/h;

·可外延生長高結(jié)晶質(zhì)量和低位錯密度的單晶;

 HVPE氫化物氣相外延設(shè)備：2/4/6英寸；

            水平HVPE

                       立式HVPE

產(chǎn)品特點：

·高的生長速率。

·橫向縱向生長比率高,孔洞少，可以生長大面積厚膜。

·單晶生長速率：≥50微米/小時。

·藍寶石襯底外延生長氮化鎵（GaN）單晶層厚度：>1mm。

·產(chǎn)品尺寸：2/4/6英寸。

值此之際，我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。

關(guān)于JFSC&CSE 2024