2024年4月9-11日，一年一度化合物半導體行業盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會展中心舉辦。 山東力冠微電子裝備有限公司作為參展商，將攜新品亮相本屆盛會，分享在裝備技術方面的新突破及新進展。并邀您相聚博覽會，蒞臨2T32號展臺參觀交流、洽談合作。
本屆CSE博覽會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業領袖和創新者，以及從芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料和設備到核心部件領域企業參展。CSE作為2024年首場國際化合物半導體產業博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區，六大領域，將集中展示各鏈條關鍵環節的新技術、新產品、新服務，將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產業的燈塔級盛會，集中展示化合物半導體上下游全產業鏈產品，搭建企業發布年度新產品新技術的首選平臺，支撐產業鏈及中部地區建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產業集群。
力冠微成立于2013年，國家高新技術企業，經十年的發展，已成為國內領先的半導體工藝裝備制造商。主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售與專業化的技術服務。公司產品被廣泛服務于集成電路、功率半導體、化合物半導體、5G芯片、光通信、MEMS、等新型電子器件制造領域，致力于半導體裝備產業的振興與發展。
產品介紹
1.HVPE單晶生長設備（立式/臥式）
用于氮化鎵（GaN）單晶生長,以及氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）、磷化銦（InP）外延生長
產品特點：
·基礎工藝包
1.氮化鎵（GaN）單晶生長尺寸：2英寸
2.單晶生長速率：≥50微米/小時
3.藍寶石村底外延生長氮化鎵（GaN）單晶層厚度：＜200微米
·襯底：2/4/6英寸
·數量：1片/多片
·立式/臥式結構合理可靠，滿足客戶多種尺寸襯底，多種操作方式需要
·控溫精度高，溫區穩定性好
·完美可靠的安全保護功能：硬件保護+軟件互鎖
2.PVT晶體生長設備
本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）單晶生長
產品特點：
·提供兩種工藝包
①外形包：產出6英寸碳化硅（SiC）單晶，外形不開裂
②工藝包：晶型4H
電阻率：0.015~0.025ohm·cm
直徑：150.25±0.25mm
厚度：≥10（Figure 2）mm
微管密度：≤3ea/cm²
·溫度最高可達2400℃
·加熱方式：感應、電阻
·襯底尺寸：4/6/8英寸
3.晶體提拉設備
直拉法晶體生長專用設備，可實現在高壓、真空和保護氣氛下直拉生長晶體。采用自動稱重結構，在保證晶體品質的前提下實現了直拉晶體的自動生長過程。應用于氧化鎵單晶生長，SiC單晶、激光單晶等生長。
產品特點：
·高精度的傳感器和控制軟件
·自動控制晶體外形
·最高溫度：2400℃
·晶體尺寸：2-8英寸
值此之際，我們誠邀業界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現場參觀交流、洽談合作。
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