近日，南京百識電子科技有限公司（以下簡稱“百識電子”）完成A+輪融資，多家知名機構參投，投中資本擔任財務顧問。

百識電子成立于2019年，由多名擁有數(shù)十年第三代半導體外延經(jīng)驗的資深專家聯(lián)合創(chuàng)辦，核心團隊具備外延工藝開發(fā)、良率保障、設備改良等全棧能力。公司首條產(chǎn)線位于南京市浦口區(qū)，于2021年投產(chǎn)，當前年產(chǎn)能達5萬片，客戶多為全球巨頭及國內(nèi)龍頭。公司計劃近期在長三角落地二期產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)劃28萬片/年，打造全國最領先的車規(guī)級三代半外延片制造工廠。

盡管碳化硅擴產(chǎn)如火如荼，但國內(nèi)碳化硅晶圓有效產(chǎn)能不足100萬片，尚存產(chǎn)能缺口。隨著主機廠加快高壓快充平臺上車，國內(nèi)襯底、設備等產(chǎn)業(yè)鏈上端工藝自主性更趨成熟，第三代半導體產(chǎn)業(yè)已進入規(guī)模化拐點。

百識電子憑借團隊雄厚量產(chǎn)經(jīng)驗及高質(zhì)量制造能力，提供六英寸及八英寸外延片, 以滿足新時代功率器件市場需求。除標準規(guī)格外延片，百識電子可針對特殊應用市場需求，提供客制化規(guī)格外延服務及器件開發(fā)所需的關鍵制程。

碳化硅外延層的厚度、濃度與表面缺陷的數(shù)量會影響器件電氣特性，導致碳化硅器件良率有所損失。目前一般外延技術只能控制表面尺寸較大 (如三角缺陷、胡蘿卜缺陷，直線缺陷與彗星缺陷等)的致命(killer)缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞(micro-pits)的數(shù)量高達每片5,000顆以上。百識以獨有的外延技術可將表面缺陷數(shù)量有效控制在密度小于0.4/cm2以下，表面微坑洞(micro-pits)< 1,000個/wafer，同時具備有較低的致命缺陷與表面微坑洞的優(yōu)勢。2023年百識外延工藝和技術水平持續(xù)精進，3,300V碳化硅外延片實現(xiàn)高良率高質(zhì)量生產(chǎn)，產(chǎn)品厚度均勻性1.18%，濃度均勻性1.32%，并穩(wěn)定出貨全球軌交頭部客戶。超高耐壓（6,500V及以上）外延技術持續(xù)突破，缺陷控制已達國際先進水平。

百識電子董事長李屏表示百識電子非常感謝大家的支持。目前南京廠量產(chǎn)順利，二期產(chǎn)線也在積極落地中。我們?nèi)詴μ嵘a(chǎn)品品質(zhì)，拓展海內(nèi)外市場，憑借誠信、專業(yè)、紀律和質(zhì)量的核心文化, 百識電子致力于成為國際一流的寬禁帶材料外延代工服務商。

百識電子CEO宣融表示第一代半導體和第二代半導體形成了深度專業(yè)化分工的格局，行業(yè)效率得到大幅提升。隨著第三代半導體產(chǎn)業(yè)逐步成熟，專業(yè)化分工亦是大勢所趨。相對產(chǎn)業(yè)鏈其他環(huán)節(jié)玩家擁擠，外延環(huán)節(jié)國內(nèi)規(guī)模企業(yè)較少。百識具備業(yè)內(nèi)第一批專注三代半外延研發(fā)及生產(chǎn)的團隊，并擁有海內(nèi)外尖端客戶扎實的信任基礎。非常感謝新老股東對于百識的支持，我們非常有信心在行業(yè)發(fā)展的浪潮下持續(xù)保持領先地位。