據國家知識產權局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司取得一項名為“一種半導體器件及其制備方法“，授權公告號CN117438297B，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本發明提供一種半導體器件及其制備方法，半導體器件的制備方法包括以下步驟：提供一半導體襯底，半導體襯底包括相對設置的正面和背面，在正面的半導體襯底中形成有非晶態硅區域；在非晶態硅區域的半導體襯底上形成鎳膜層；從正面對半導體襯底進行兩次高溫退火工藝，以在非晶態硅區域的大部分中得到初始的鎳硅化合物層；從背面對所述半導體襯底進行激光退火工藝，以在整個非晶態硅區域得到最終的鎳硅化合物層。本發明在兩次高溫退火工藝之后再從背面執行一次激光退火工藝可以更好的吸收熱量，以修復晶格，其相對于正面加熱，背面加熱可以更好的抑制鎳的進一步擴散，阻止過度硅化，從而可以減少缺陷，改善電阻Rc，并提高良率。