天眼查顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 “電容器結構及其形成方法”專利公布，申請公布日為2024年2月20日，申請公布號為CN117577624A。專利摘要介紹，一種電容器結構及其形成方法，其中結構包括：包括：襯底；若干中間電極層，每層中間電極層包括：沿第一方向平行排布的第一中間電極端和第二中間電極端；位于第一中間電極端和第二中間電極端之間的若干第一中間指狀極板，其中，第一中間指狀極板包括：若干第一分割段和若干第二分割段。由于第一分割段和第二分割段之間的間隙可通過光刻工藝控制在較小的范圍，因此能夠保證第一分割段和第二分割段之間具有較大的存儲密度，以此提升電容器結構的存儲密度。