2月3日消息，據國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種碳化硅平面柵MOSFET器件及其制備方法“，公開號CN117497597A，申請日期為2023年12月。
專利摘要顯示，本發明公開了一種碳化硅平面柵MOSFET器件及其制備方法。在傳統平面柵MOSFET器件的JFET區結構上，首先通過刻蝕形成源極溝槽，利用刻蝕掩模，使用常規離子注入在溝槽下形成P型重摻雜區，再通過自對準工藝和傾斜離子注入形成P型基區和源區。相比于傳統器件結構和工藝，本發明的平面柵MOSFET器件的P型重摻雜區、P型基區和源區的形成，只需要一次光刻，使用同一個注入掩模，即可完成所有的離子注入工藝，所需要考慮的光刻對準誤差更小，次數更低，因此能夠具有更窄的P型重摻雜區、P型基區和源區，以縮小器件的元胞寬度，增加器件的溝道密度，降低器件的溝道電阻，而不額外增加器件的JFET電阻。
