近日，又有一家知名廠商旗下8英寸SiC襯底項目迎來新進展。

1月30日，山東中晶芯源半導體科技有限公司（以下簡稱中晶芯源）8英寸SiC單晶和襯底產業化項目正式備案。據悉，該項目于2023年6月12日落地山東濟南，計劃在2025年滿產達產，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。

source：山東省投資項目在線審批監管平臺

股東信息顯示，中晶芯源由廣州南砂晶圓半導體技術有限公司（以下簡稱南砂晶圓）全資控股，后者成立于2018年8月，從事SiC單晶材料研發、生產和銷售，產品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。

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近年來，在8英寸SiC襯底熱度持續上漲趨勢下，南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日，南砂晶圓聯合山東大學成功實現8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。

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據介紹，經測試表征，上述襯底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，電阻率平均值22mΩ?cm，不均勻性小于4%，襯底(004)面高分辨XRD 5點搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒，說明襯底具有良好的結晶質量，邊緣擴徑區域沒有小角度晶界缺陷。

技術突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場重點關注對象，過去兩年多時間，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，包括今年1月剛剛完成的C輪融資，投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚子江基金、魯信創投等機構。

項目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區布局了SiC項目，總投資9億元，該項目2023年4月已經試投產，達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。

項目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式啟動，隨著項目建成達產，將有利于南砂晶圓未來在SiC襯底全面轉型8英寸后搶占先機。

來源：集邦化合物半導體